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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第254页 > EBS21RC2ACNA-7A
数据表
2GB注册SDRAM DIMM
EBS21RC2ACNA ( 256M词
×
72位, 2家银行)
描述
该EBS21RC2ACNA是256M的话
×
72位,2个
银行同步动态RAM注册的模块,
装72块256M位的SDRAM密封
TCP包。该模块提供了高密度,
大量内存在小的空间,而不
采用表面安装技术。脱钩
电容器被安装在电源线噪声
减少。
注意:不要推盖或删除模块
为了从机械缺陷,保护它
将电气缺陷。
特点
有8个字节DIMM完全兼容: JEDEC
标准大纲
168针插座型双列直插式内存模块
( DIMM )
PCB高度: 41.91毫米( 1.65inch )
引线间距: 1.27毫米
3.3V电源
时钟频率: 133MHz的(最大)
LVTTL接口
数据总线宽度:
×
72 ECC
单脉冲/ RAS
4银行可以同时操作和
独立地
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
可编程的脉冲串长度(BL ):1, 2,4, 8
爆序列的2个版本
顺序
交错
可编程/ CAS延迟(CL) :2,3
注册输入一个时钟延迟
通过DQMB字节控制
刷新周期: 8192刷新周期/ 64ms的
刷新2变化
自动刷新
自刷新
1件PLL时钟驱动器, 3个寄存器驱动器
和1片的串行EEPROM ( 2k个比特)为存在
检测(SPD)在PCB上。
一号文件E0105E50 (版本5.0 )
发布日期2002年6月(K )日本
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面,公司2001-2002年
EBS21RC2ACNA
订购信息
产品型号
EBS21RC2ACNA-7A
EBS21RC2ACNA-75*
1
时钟频率
兆赫( MAX 。 )
133
133
/ CAS延时
2, 3
3
168针DIMM
接触焊盘
安装设备
256M位的SDRAM
TCP *
2
注:在/ 1 100MHz的运行CAS延时= 2 。
2.请参考TSOP产品EDS25XXACTA数据表( E0277E )查看详细信息。
销刀豆网络gurations
1针10针11针
40针41针
84 PIN
85针94针95针124针125针
168针
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
引脚名称
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VDD
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
VSS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
VDD
DQ14
DQ15
CB0
CB1
VSS
NC
NC
VDD
/ WE
DQMB0
DQMB1
PIN号
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
引脚名称
VSS
NC
/CS2
DQMB2
DQMB3
NC
VDD
NC
NC
CB2
CB3
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VDD
DQ20
NC
NC
NC
VSS
DQ21
DQ22
DQ23
VSS
DQ24
DQ25
DQ26
PIN号
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
引脚名称
VSS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VDD
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
VSS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
VDD
DQ46
DQ47
CB4
CB5
VSS
NC
NC
VDD
/ CAS
DQMB4
DQMB5
PIN号
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
引脚名称
VSS
CKE0
/CS3
DQMB6
DQMB7
NC
VDD
NC
NC
CB6
CB7
VSS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
VDD
DQ52
NC
NC
雷杰
VSS
DQ53
DQ54
DQ55
VSS
DQ56
DQ57
DQ58
数据表E0105E50 (版本5.0 )
2
EBS21RC2ACNA
PIN号
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
引脚名称
/CS0
NC
VSS
A0
A2
A4
A6
A8
A10 ( AP)
BA1
VDD
VDD
CLK0
PIN号
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
引脚名称
DQ27
VDD
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VSS
CLK2
NC
NC
SDA
SCL
VDD
PIN号
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
引脚名称
/CS1
/ RAS
VSS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0
A11
VDD
CLK1
A12
PIN号
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
引脚名称
DQ59
VDD
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
VSS
CLK3
NC
SA0
SA1
SA2
VDD
引脚说明
引脚名称
A0到A12
BA0 , BA1
DQ0到DQ63
CB0到CB7
/ CS0到/ CS3
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQMB0到DQMB7
CLK0到CLK3
CKE0
雷杰*
1
SDA
SCL
SA0到SA2
VDD
VSS
NC
功能
地址输入
行地址
A0到A12
列地址A0到A9 ,A11,A12
银行选择地址
数据输入/输出
校验位(数据输入/输出)
片选输入
行启用( / RAS )输入
列使能( / CAS )输入
写使能输入
字节的数据屏蔽
时钟输入
时钟使能输入
注册/缓冲启用
数据输入/输出的串行的PD
时钟输入串行PD
串行地址输入
主电源正极
无连接
注: 1。 REGE
VIH :注册模式。
雷杰
VIL :缓冲模式。
数据表E0105E50 (版本5.0 )
3
EBS21RC2ACNA
PD系列矩阵*
第一个字节
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
函数来描述
所使用的模块的字节数
生产厂家
总SPD内存大小
内存类型
行地址数位
列地址数位
银行的数量
模块数据宽度
模块的数据宽度(续)
模块接口信号电平
SDRAM的周期时间
(最高/ CAS延迟)
7.5ns
从SDRAM的时钟访问
(最高/ CAS延迟)
5.4ns
模块配置类型
刷新率/类型
SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
SDRAM器件的属性:
最小时钟延时返回,用于─
回到随机列地址
SDRAM器件的属性:
突发长度支持
SDRAM器件属性:数
SDRAM器件银行
SDRAM器件的属性:
/ CAS延时
SDRAM器件的属性:
/ CS延时
SDRAM器件的属性:
/ WE等待时间
SDRAM的设备属性
SDRAM的设备属性:一般
SDRAM的周期时间
(第二最高/ CAS延迟)
( -7A ) 7.5ns
( -75 )为10ns
从SDRAM的时钟访问
(第二最高/ CAS延迟)
(-7A)5.4ns
( -75 )为6ns
SDRAM的周期时间
( 3最高/ CAS延迟)
未定义
从时钟SDRAM的访问(第3
最高/ CAS延迟)
未定义
位7位6位5位4位3位2位1位0的十六进制值
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
80H
08H
04H
0DH
0CH
02H
48H
00H
01H
75H
评论
128
256字节
SDRAM
13
12
2
72位
0 (+)
LVTTL
CL = 3 *
5
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
1
1
1
0
1
0
0
0
1
1
1
1
0
1
0
1
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
1
0
1
0
0
0
0
54H
02H
82H
02H
02H
01H
0FH
04H
06H
01H
01H
1FH
0EH
75H
A0H
54H
60H
00H
ECC
正常
(7.8125 s)
自刷新
128M
×
2
×
2
1 CLK
1, 2, 4, 8
4
2, 3
0
0
注册
VDD的± 10%的
CL = 2 *
5
24
25
26
0
0
0
0
0
0
0
0
00H
数据表E0105E50 (版本5.0 )
4
EBS21RC2ACNA
第一个字节
27
函数来描述
最小行预充电时间
(-7A)
(-75)
位7位6位5位4位3位2位1位0的十六进制值
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
×
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
1
1
0
×
1
1
1
0
0
1
1
0
1
1
1
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
1
1
1
0
×
0
0
0
1
1
0
0
1
0
0
0
0
1
1
0
1
1
0
1
0
0
1
0
0
1
0
1
0
0
1
0
0
1
1
1
1
1
0
×
0
0
1
1
1
1
0
1
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0
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0
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
1
0
0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
1
1
1
0
×
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
0
1
0
1
0
0
1
0
0
0
1
1
1
1
0
×
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
1
1
1
1
0
×
0
1
1
1
0
1
1
1
0
1
1
0
0
1
0
0
0
1
0
1
1
0
1
1
1
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
1
0
0
×
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
1
1
1
1
1
0
0FH
14H
0FH
0FH
14H
2DH
01H
15H
08H
15H
08H
00H
3CH
43H
00H
12H
36H
7EH
7FH
在FEh
00H
××
45H
42H
53H
32H
31H
52H
43H
32H
41H
43H
4EH
41H
2DH
37H
41H
35H
20H
评论
15ns
20ns
15ns
15ns
20ns
45ns
2银行
1G字节
1.5ns*
5
0.8ns*
5
1.5ns*
5
0.8ns*
5
未来使用
60ns
67.5ns
未来使用
修订版1.2
54
126
继续码
尔必达内存
28
29
行主动到行主动分钟
/ RAS到/ CAS延时分钟
(-7A)
(-75)
30
31
32
33
34
35
36至40
41
最小/ RAS脉冲宽度
模块每家银行的密度
地址和命令信号输入
建立时间
地址和命令信号输入
保持时间
数据信号输入建立时间
数据信号输入保持时间
超信息
最低的银行循环
(-7A)
(-75)
42至61
62
63
超信息
SPD数据进行修订的代码
校验和字节0 62
(-7A)
(-75)
64至65
66
67至71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
制造商的JEDEC的ID代码
制造商的JEDEC的ID代码
制造商的JEDEC的ID代码
生产地点
制造商零件编号
制造商零件编号
制造商零件编号
制造商零件编号
制造商零件编号
制造商零件编号
制造商零件编号
制造商
制造商零件编号
制造商零件编号
制造商零件编号
制造商零件编号
制造商零件编号
制造商零件编号
制造商零件编号
(-7A)
(-75)
*
2
( ASCII - 8位代码)
E
B
S
2
1
R
C
2
A
C
N
A
7
A
5
(空)
88
制造商零件编号
数据表E0105E50 (版本5.0 )
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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