三重独立的逻辑接口半桥
EBO2
M I C R T E C H N 0 1 摹
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(800) 546-2739
特点
兼容的PWM频率高达50KHZ
10V至100V的电机电源
10A的连续输出电流
HCMOS兼容施密特触发器逻辑输入
单独的源输出，负轨
电流检测
休眠模式
广范用于栅极驱动和逻辑电源
应用
高供电电路，数字控制：
三轴运动使用刷式
汽车
三相无刷直流电机驱动
三相交流马达驱动器
三个相步进电机驱动器
轩1月12日
SD 11
半
桥
司机
FET
半
桥
产量
13
14
HV1
OUT1
林一10
V
cc
1
9
15
S1
HVRTN1
描述
该EB02由三个独立的FET半
桥梁的驱动程序。该驱动器可接口
与CMOS或HCMOS逻辑电平。
16
轩2
V
ss
，逻辑地
8
17
半
桥
司机
FET
半
桥
产量
HV2
7
18
OUT2
林2 6
19
20
S2
HVRTN2
V
cc
2
5
V
dd
，逻辑电源4
Hin3 3
半
桥
司机
林3
2
FET
半
桥
产量
21 HV3
22
OUT3
23
24
S3
HVRTN3
V
cc
3 1
图1.框图
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1
EB02
绝对最大额定值
电机电源电压， HV
输出电流，峰值
输出电流，连续
1
GATE电源电压Vcc的
逻辑电源电压VDD
功耗，内部
1
逻辑输入电压
热阻案例
3
温度，焊针， 10秒
温度，结
2
温度范围存储
工作温度，案例
测试条件
I
OUT
= 10A ; V
cc
=10.8V, V
dd
=5V;
HV = 100V， FPWM = 50kHz的中，L = 100微亨
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
通过设置外部电路
通过设置内部电阻
民
99.2
-1.5
典型值
绝对最大额定值
特定网络阳离子
特定网络阳离子
参数
正输出电压
负输出电压
正边沿延迟
上升时间
下降沿延迟
下降时间
PWM频率
输入阻抗
100V
20A
10A
20V
20V
51瓦
-0.3V到V
dd
+ 0.3V
2.1°C/Watt
300°C
150°C
-55到+ 150°C
-25至+ 85°C
最大
101.5
.8
260
50
310
5 0
50
50
单位
伏
伏
正二
正二
正二
正二
千赫
千欧姆
输入和输出信号
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
注：1 。
2.
3.
符号
V
cc
3
Lin3
Hin3
V
dd
V
cc
2
Lin2
V
ss
Hin2
V
cc
1
Lin1
SD
Hin1
功能
门源3
在3低射逻辑
3高驱动逻辑
逻辑电源
门源2
2低射逻辑
信号地
2高驱动逻辑
门源1
在1低射逻辑
在关闭逻辑
1高驱动逻辑
针
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
符号
HV1
OUT1
S1
HVRTN1
HV2
输出2
S2
HVRTN2
HV3
OUT 3
S3
HVRTN 3
功能
高压电源1
第1输出
第1节源
第1回
高压电源2
第2输出
第2节源
第2回
高压电源3
第3输出
第3节源
第3回
在整个工作温度范围内。
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。较低的内部温度
减少内部消耗或使用更好的散热，以达到较高的平均无故障时间。
每个场效应管。
输入
逻辑电平输入独立控制每个场效应管
半桥。逻辑电平高的圈上的FET和
低将其关闭。一个常见的关断输入将关闭所有
FET的高时。
所有的输入是施密特触发器使用的阈值上限
2/3 V
dd
并且在1/3 V的低阈值
dd
。这种舒适
与CMOS或HCMOS接口提供了VDD为
逻辑家族和EB02是相同的。
如果上拉至Vcc加到TTL家庭也可以使用
在TTL门驱动EB02 ，和Vdd为EB02是
同一电源V
cc
为TTL家庭。
一个开放的信号连接器拉关停投入高，
所有其他投入低，确保所有输出关闭。
但是，输入阻抗为50K上的所有投入;因此，如果
一个输入为开路的高辐射噪声水平可
不合逻辑地打开一个场效应管。
产量
每个输出部分包括一个开关型FET半
桥梁。独立的高压电源，发射器和高压回线
提供给每个部分。
场效应管是保守的额定承载10A 。在10A
的饱和电压为1.5 V最大，在整个
环境范围。
每个场效应晶体管的特性的二极管连接的反并联。
当切换电感负载这个二极管将进行，
而在下跌10A将是最大1.5V ，在整个
环境范围。
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5980北香农路亚利桑那州图森85741 美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739
2
包
特定网络阳离子
EB02
包装规格
DIP9包装
重量69 g或2.4盎司
尺寸单位：英寸
换算单位为[mm ]
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3
操作
注意事项
EB02
电流。 （天线的尺寸）。因此，在1μF
陶瓷电容旁路每个HV其回报率在
在EB02的引脚。
电源要求
供应
HV1
HV2
HV3
V
cc
1
V
cc
2
V
cc
3
V
dd
电压
10V至100V
10V至100V
10V至100V
10V至20V
10V至20V
10V至20V
4.5V至20V
MAX CURRENT
如图10A所示，连续的，图20A的峰值
如图10A所示，连续的，图20A的峰值
如图10A所示，连续的，图20A的峰值
10mA
10mA
10mA
10mA
射穿保护
功率FET具有相对短的接通延迟，和一个
长延时关闭。因此，如果在对输入的转向的FET
半桥电路与所述转同时施加断
输入到另一场效应晶体管在半桥式，会有一个时间
当这两个FET是同时上。这"shoot通过
condition"将短过FET功率导轨，使得
功耗过大和非常高的电磁干扰。
通过条件避免拍一个FET的导
必须被延迟足够长的其他场效应晶体管在同一
半桥已经完全关闭。
是必需的EB02的至少0.5 μ秒的延时。
这个延迟是都需要的欣和林的投入。
HV1， HV2 ， HV3和可单独使用，或可
有一个电源。另外V
cc
1, V
cc
2 ，和V
cc
3也可以使用
单独或捆绑在一起。在V
dd
电源必须
与输入逻辑兼容。如果一个高电压逻辑如
CMOS使用它可以与V绑
cc
耗材。 HCMOS
需要5V ± 10 ％电源
特别注意事项
一般
该EB02的目的是给用户最大的灵活性
在一个基于数字或DSP的运动控制系统。热，
过压，过流和交叉连接重保护电路
该用户的设计的一部分。
用户应阅读使用说明1 ， "General工作
注意事项; “和应用笔记30 ， ” PWM基础知识“
在运用这部分很多有用的信息。这些
应用说明是在“电源集成电路数据
书“，并于线www.apexmicrotech.com 。
保护电路
在EB02不包括保护电路。
然而，有一个关闭输入这将关闭所有
场效应晶体管在逻辑“1”时。该输入可以与用户所用
设计的温度感测和电流检测电路
关闭的FET中的一个检测到不安全的事件
条件。这个建议因为场效应晶体管可以是
关闭这种方式，即使在正常输入逻辑或DSP
编程是错误的。
START UP的注意事项
下导轨的FET中的半桥必须打开
至少2 μ秒的自举电容充电
顶部轨道之前的FET可以被导通。这是一定要做
打开顶部轨道之前不超过330 μ秒
FET 。然而，接地载荷将给出相同的目的
如接通下部导轨的FET 。然而，一个接地负载
将给出相同的目的接通下部导轨
FET 。因此，接地的负载可在不操作
这方面的考虑。
内部浮动供给用于提高操作
自举偏置电路。这允许上导轨的FET来
举行不知疲倦网络奈特雷一次打开。
接地和旁路
正如在任何高功率PWM系统，接地和
旁路是一些成功的关键。该EB02是
能够产生2千瓦的脉冲40正第二次上涨和
下降时间。如果接地不当或绕过这可能会导致
可怕的传导和辐射EMI。
为了减少传导EMI ，将EB02提供了一种
独立的电源地，命名HVRTN ，每个高压
供应量。这些理由在电气上的逻辑分离
地和彼此。这种隔离消除了大电流
接地环路。然而，超过5V之间的偏移
理由会破坏EB02 。先端建议回
备份逻辑和权力之间的大电流二极管
理由;这将保持孤立的，而是不断抵消在
安全的水平。所有的理由应该在一个共同的绑在一起
点在系统中。
为了减少辐射EMI ，顶点建议100
μF或HV和HVRTN之间更大的电容。该电容
应该是一个开关电源级电容的ESR额定
在20kHz的。该电容应放在身体尽量靠近
至EB02越好。
然而，这样的电容器通常具有几
百毫欧姆左右ESR 。因此，每个节
还必须具有低ESR的1μF以上旁路
陶瓷电容器。
为了尽量减少辐射噪声，有必要
减少含高频率的回路的面积
散热器
该EB02应该苏夫网络cient散热器提供
当在100V ， 10A ， 50kHz至3时消散51瓦特
部分同时提供的最大电流。
该散热由导通损耗（我
OUT
xV
SAT
)
高达每半桥16瓦特和开关约1损失
每个半桥瓦。传导损耗正比
到我
OUT
;开关损耗正比于高压电源电压
负载电容，以及开关频率。
此数据表已经被仔细检查，被认为是可靠的，但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。所有特定网络ciations如有更改，恕不另行通知。
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