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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第508页 > EBE51RD8ABFA-4A-E
数据表
注册512MB DDR2 SDRAM DIMM
EBE51RD8ABFA
( 64M字
×
72位,1个等级)
描述
该EBE51RD8ABFA是一个64M的话
×
72位, 1级
DDR2 SDRAM模组,安装9个DDR2的
SDRAM在FBGA封( μBGA
)封装。阅读和
写入操作时,在交叉点进行
在CK和/ CK 。这种高速数据传输是
由4位预取流水线架构实现。
数据选通( DQS和/ DQS)既用于读取和写入
可用于高速和可靠的数据总线
设计。通过设置扩展模式寄存器中,芯片上的
延迟锁定环(DLL ),可以设置允许或禁止。
该模块提供了高密度安装,而不
采用表面贴装技术。
脱钩
电容器被安装在每个FBGA ( μBGA )旁的
模块板。
注意:不要推组件或降
为了模块,以避免机械故障,
这可能会导致电气缺陷。
特点
240针插座型双列直插式内存模块
( DIMM )
PCB高度: 30.0毫米
引线间距: 1.0毫米
LEAD -FREE
1.8V电源
数据传输速率: 533Mbps / 400Mbps的(最大)
1.8 V ( SSTL_18兼容)I / O
双倍数据速率的架构:每两次数据传输
时钟周期
双向数据选通( DQS和/ DQS )是
发送/与数据接收的,要使用的
在接收器采集数据
DQS是边沿与读取数据对齐的;中心
与写入的数据一致
差分时钟输入( CK和/ CK )
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘;数据
参考DQS的两个边缘
四大银行内部的并发操作
(组成)
数据掩码(DM)写入数据
突发长度: 4,8
/ CAS延迟(CL) : 3 ,4,5
自动预充电选项为每个突发访问
自动刷新和自刷新模式
7.8μs平均周期刷新间隔
通过可编程附加延迟中科院发布
更好的命令和数据总线效率
片外驱动器阻抗调整和在复模机
终止更好的信号质量
/ DQS可以用于单端数据选通被禁用
手术
1件PLL时钟驱动器, 1个寄存器驱动器
和1个串行EEPROM ( 2K位EEPROM ),用于
检测( PD )
一号文件E0402E40 (版本4.0 )
发布日期2004年7月(K )日本
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面,公司2003-2004年
EBE51RD8ABFA
订购信息
数据速率
Mbps的(最大)
533
400
部件
JEDEC速度斌*
1
( CL - tRCD的-TRP )
DDR2-533 ( 4-4-4 )
DDR2-400 ( 3-3-3 )
联系
PAD
产品型号
EBE51RD8ABFA-5C-E
EBE51RD8ABFA-4A-E
240针DIMM
(无铅)
安装设备
EDE5108ABSE-5C
EDE5108ABSE -5C , -4A
注:1,模块/ CAS延迟=成分CL + 1
销刀豆网络gurations
正面
1针
64针65针
120针
121针
背面
184针185针
240针
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
引脚名称
VREF
VSS
DQ0
DQ1
VSS
/DQS0
DQS0
VSS
DQ2
DQ3
VSS
DQ8
DQ9
VSS
/DQS1
DQS1
VSS
/ RESET
NC
VSS
DQ10
DQ11
VSS
DQ16
DQ17
VSS
/DQS2
DQS2
PIN号
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
引脚名称
A4
VDD
A2
VDD
VSS
VSS
VDD
NC
VDD
A10
BA0
VDD
/ WE
/ CAS
VDD
NC
NC
VDD
VSS
DQ32
DQ33
VSS
/DQS4
DQS4
VSS
DQ34
DQ35
VSS
PIN号
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
引脚名称
VSS
DQ4
DQ5
VSS
DM0/DQS9
NU / / DQS9
VSS
DQ6
DQ7
VSS
DQ12
DQ13
VSS
DM1/DQS10
NU / / DQS10
VSS
NC
NC
VSS
DQ14
DQ15
VSS
DQ20
DQ21
VSS
DM2/DQS11
NU / / DQS11
VSS
PIN号
181
182
183
184
185
186
187
188
189
190
191
192
193
194
195
196
197
198
199
200
201
202
203
204
205
206
207
208
引脚名称
VDD
A3
A1
VDD
CK0
/CK0
VDD
A0
VDD
BA1
VDD
/ RAS
/CS0
VDD
ODT0
A13
VDD
VSS
DQ36
DQ37
VSS
DM4/DQS13
NU / / DQS13
VSS
DQ38
DQ39
VSS
DQ44
数据表E0402E40 (版本4.0 )
2
EBE51RD8ABFA
PIN号
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
引脚名称
VSS
DQ18
DQ19
VSS
DQ24
DQ25
VSS
/DQS3
DQS3
VSS
DQ26
DQ27
VSS
CB0
CB1
VSS
/DQS8
DQS8
VSS
CB2
CB3
VSS
VDD
CKE0
VDD
NC
NC
VDD
A11
A7
VDD
A5
PIN号
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
引脚名称
DQ40
DQ41
VSS
/DQS5
DQS5
VSS
DQ42
DQ43
VSS
DQ48
DQ49
VSS
SA2
NC
VSS
/DQS6
DQS6
VSS
DQ50
DQ51
VSS
DQ56
DQ57
VSS
/DQS7
DQS7
VSS
DQ58
DQ59
VSS
SDA
SCL
PIN号
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
引脚名称
DQ22
DQ23
VSS
DQ28
DQ29
VSS
DM3/DQS12
NU / / DQS12
VSS
DQ30
DQ31
VSS
CB4
CB5
VSS
DM8/DQS17
NU / / DQS17
VSS
CB6
CB7
VSS
VDD
NC
VDD
NC
NC
VDD
A12
A9
VDD
A8
A6
PIN号
209
210
211
212
213
214
215
216
217
218
219
220
221
222
223
224
225
226
227
228
229
230
231
232
233
234
235
236
237
238
239
240
引脚名称
DQ45
VSS
DM5/DQS14
NU / / DQS14
VSS
DQ46
DQ47
VSS
DQ52
DQ53
VSS
NC
NC
VSS
DM6/DQS15
NU / / DQS15
VSS
DQ54
DQ55
VSS
DQ60
DQ61
VSS
DM7/DQS16
NU / / DQS16
VSS
DQ62
DQ63
VSS
VDDSPD
SA0
SA1
数据表E0402E40 (版本4.0 )
3
EBE51RD8ABFA
引脚说明
引脚名称
A0到A13
A10 ( AP)
BA0 , BA1
DQ0到DQ63
CB0到CB7
/ RAS
/ CAS
/ WE
/CS0
CKE0
CK0
/CK0
DQS0到DQS17 , / DQS0到/ DQS17
DM0到DM8
SCL
SDA
SA0到SA2
VDD
VDDSPD
VREF
VSS
ODT0
/ RESET
NC
NU
功能
地址输入
行地址
列地址
自动预充电
银行选择地址
数据输入/输出
校验位(数据输入/输出)
行地址选通命令
列地址选通命令
写使能
芯片选择
时钟使能
时钟输入
差分时钟输入
输入和输出数据选通
输入掩码
时钟输入串行PD
数据输入/输出的串行的PD
串行地址输入
电源内部电路
电源串行EEPROM
输入参考电压
ODT控制
复位引脚(力注册和PLL投入低) *
1
无连接
不可用
A0到A13
A0到A9
注:1,复位引脚连接到PLL的两个OE和复位进行注册。
数据表E0402E40 (版本4.0 )
4
EBE51RD8ABFA
PD系列矩阵*
第一个字节
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
函数来描述
通过模块使用的字节数
生产厂家
串行PD的总字节数
设备
内存类型
行地址数
列地址的数
DIMM行列数
模块数据宽度
模块数据宽度的延续
Bit7
1
0
0
0
0
0
0
0
Bit6
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
位5位4
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
1
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
1
1
1
0
1
0
Bit3
0
1
1
1
1
0
1
0
0
1
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
Bit2
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
位1位0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
0
十六进制值
80H
08H
08H
0EH
0AH
60H
48H
00H
05H
3DH
50H
50H
60H
02H
82H
08H
08H
00H
0CH
04H
38H
00H
01H
00H
30H
3DH
50H
50H
60H
50H
60H
评论
128字节
256字节
DDR2 SDRAM
14
10
1
72
0
SSTL 1.8V
3.75ns*
1
5.0ns*
1
0.5ns*
1
0.6ns*
1
ECC
7.8s
×
8
×
8
0
4,8
4
3, 4, 5
0
注册
正常
VDD ± 0.1V
3.75ns*
1
5.0ns*
1
0.5ns*
1
0.6ns*
1
5.0ns*
1
0.6ns*
1
该组件0的电压电平接口
DDR SDRAM的周期时间, CL = 5
-5C
-4A
从时钟SDRAM存取( TAC)
-5C
-4A
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
DIMM配置类型
刷新率/类型
主SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
版权所有
SDRAM器件的属性:
突发长度支持
SDRAM器件属性:数
SDRAM器件银行
SDRAM器件的属性:
/ CAS延时
版权所有
DIMM类型信息
SDRAM模块属性
SDRAM的设备属性:一般
在CL最小时钟周期时间= 4
-5C
-4A
24
从最大数据存取时间( TAC)
在CL = 4个时钟
0
-5C
-4A
0
在CL最小时钟周期时间= 3
0
-5℃ , -4A
从最大数据存取时间( TAC)
在CL = 3的时钟
0
-5℃ , -4A
25
26
数据表E0402E40 (版本4.0 )
5
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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