初步数据表
512MB全缓冲DIMM
EBE51FD8AGFD
EBE51FD8AGFN
特定网络阳离子
密度： 512MB
组织
64M的话
×
72位， 1级
安装9块512M比特的DDR2 SDRAM
在FBGA封
包
240针全缓冲，承插式双列直插式
内存模块（ FB -DIMM ）
PCB高度： 30.35毫米
引线间距： 1.00毫米
高级内存缓存（AMB ） ： 655球FCBGA
无铅（符合RoHS）
电源
DDR2 SDRAM ： VDD
=
1.8V
±
0.1V
安博： VCC
=
1.5V
+
0.075V/0.045
数据传输速率： 667Mbps / 533Mbps （最大）
四大银行内部的并发操作
（组件）
接口： SSTL_18
脉冲串长度（BL） ： 4,8
/ CAS延迟（CL） ： 3 ，4，5
预充电：对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
刷新：自动刷新，自刷新
刷新周期： 8192次/ 64ms的
平均更新周期
7.8μs在0℃下
≤
TC
≤ +85°C
在3.9μs
+ 85°C <
TC
≤ +95°C
工作温度范围
TC = 0 ° C至+ 95°C
特点
JEDEC标准的原始卡的设计
行业标准的高级内存缓冲（ AMB ）
高速差分点对点链路的接口处
1.5V （ JEDEC规范草案）
14北行（ NB ）高速串行通道
10南行（ SB ）的高速串行通道
各种功能/模式：
MemBIST和IBIST测试功能
透明模式和直接访问方式
DRAM测试
用于热传感器和状态指示器接口
信道错误检测和报告
自动DDR2 SDRAM总线和通道
校准
SPD （串行存在检测）以256字节1片
串行EEPROM
如果保修无效移除DIMM热：注
吊具。
性能
FB -DIMM
系统时钟
频率
167MHz
133MHz
速度等级
PC2-5300F
PC2-4200F
山顶道
吞吐量
8.0GByte/s
6.4GByte/s
FB- DIMM链路数据速率
4.0Gbps
3.2Gbps
DDR2 SDRAM
速度等级
DDR2-667 （ 5-5-5 ）
DDR2-533 （ 4-4-4 ）
DDR数据传输率
667Mbps
533Mbps
一号文件E0869E30 （版本3.0 ）
发布日期2006年8月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面， 2006年公司
EBE51FD8AGFD ， EBE51FD8AGFN
订购信息
产品型号
EBE51FD8AGFD-6E-E
EBE51FD8AGFD-5C-E
EBE51FD8AGFN-6E-E
EBE51FD8AGFN-5C-E
DIMM速度
GRADE
PC2-5300F
PC2-4200F
PC2-5300F
PC2-4200F
JEDEC组件
速度斌（ CL- tRCD的-TRP ）
DDR2-667 （ 5-5-5 ）
DDR2-533 （ 4-4-4 ）
DDR2-667 （ 5-5-5 ）
DDR2-533 （ 4-4-4 ）
包
安装的设备*
EDE5108AGSE-6E-E
EDE5108AGSE-5C-E
240针的FB -DIMM EDE5108AGSE - 6E -E
EDE5108AGSE-6E-E
EDE5108AGSE-5C-E
240针的FB -DIMM EDE5108AGSE - 6E -E
注：请参阅EDE5104AGSE ， EDE5108AGSE数据表（ E0715E ）的详细操作部分，
时序波形
产品型号
E B ê 51女性D 8一G F - 6E - é
尔必达内存
TYPE
B：模块
环境法规
E：无铅
（符合RoHS ）
产品系列
E： DDR2
DRAM速度等级
6E ： DDR2-667 （ 5-5-5 ）
5C ： DDR2-533 （ 4-4-4 ）
AMB设备信息
D：集成设备技术有限公司
N：英特尔公司
密度/排名
51 ： 512MB / 1秩
模块类型
F：全缓冲
单密度
D： 512Mbit的
单声道组织
8: x8
模块的外形
F： 240针DIMM
模具牧师（单声道）
电源，接口
答： 1.8V ， SSTL_1.8
初步数据表E0869E30 （版本3.0 ）
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EBE51FD8AGFD ， EBE51FD8AGFN
高级内存缓冲器概述
高级内存缓存（AMB ）的参考设计符合了FB -DIMM架构和协议
规格。它支持DDR2 SDRAM主存储器。安博允许的内存缓冲的流量，支持大
内存容量。用于DRAM的所有存储器控制驻留在主机中，其中包括存储器请求发起，定时
刷新，擦洗，备用，配置访问和电源管理。安博接口负责
处理FB-DIMM通道和存储器请求，并从本地的DIMM和将请求转发至其他
DIMM内存模块上的FB- DIMM通道。
在FB- DIMM提供高内存带宽，大容量的信道解决方案，有一个狭窄的主机接口。
FB- DIMM使用商品从DRAM的DIMM上的缓冲区后面的通道隔离。内存容量
每个通道的内存总容量刻度与DRAM的位密度288设备。
安博是隔离通道中的DRAM缓存。
高级内存缓冲器的功能
安博会执行以下FB -DIMM通道功能。
支持作为FB -DIMM架构的初始化章定义通道初始化程序和
协议规范来调整时钟和帧边界，验证通道连接，并确定AMB
DIMM位置。
支持南行和北行帧的转发，服务的请求定向到一个特定的AMB或
的DIMM，在协议中定义的章节，和合并的返回数据转换成北行帧。
如果AMB驻留在通道的最后一个DIMM ，安博初始化路北帧。
检测该信道的错误，并报告给主机存储器控制器。
支持FB -DIMM配置寄存器中的寄存器的章节中定义设置。
作为所有读DRAM内存缓冲区，写和配置存取给DIMM 。
提供一个读缓冲器FIFO和写缓冲器FIFO 。
支持访问安博配置寄存器的SMBus协议接口。
提供了逻辑支持MemBIST和IBIST设计测试功能。
提供热传感器和状态指示灯的寄存器接口。
用作中继器来扩展FB-DIMM链路的最大长度。
初步数据表E0869E30 （版本3.0 ）
3
EBE51FD8AGFD ， EBE51FD8AGFN
高级内存缓冲器框图
南行
10×2
DATA IN
10×2
南行
数据输出
参考
时钟
1×2
PLL
数据合并
复时间
重新同步
解复用
PISO
/ RESET
RESET
控制
10×12
热
传感器
故障转移
命令
解码器&
CRC校验
链接初始化SM
与控制
和客户服务代表
IBIST -RX
10×12
INIT
图案
MUX
4
IBIST -TX
DRAM时钟
4
DRAM时钟
命令
OUT
DRAM
接口
数据输出
29
DRAM
地址
命令副本1
DRAM
地址
命令COPY2
DRAM
数据选通信号
赖逻辑
DRAM命令
MUX
DDR状态控制器
和客户服务代表
29
CORE
调节器
和客户服务代表
写数据
FIFO
外部MEMBIST
DDR校准
同步&空闲
图案
发电机
IBIST -TX
IBIST -RX
MUX
72+18×2
DATA IN
数据CRC
发生器和
读FIFO
赖
调节器
NB赖缓冲区
MUX
链接初始化SM
与控制
和客户服务代表
SMBUS
SMBUS
调节器
故障转移
14×6×2
PISO
14×12
解复用
重新同步
复时间
数据合并
北行14 × 2
数据输出
14 × 2路北
DATA IN
注：此图是安博的数据的概念框图流量和时钟域。
初步数据表E0869E30 （版本3.0 ）
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EBE51FD8AGFD ， EBE51FD8AGFN
接口
图框图AMB界面显示AMB和它的所有接口。它们包括两个FB-DIMM链接，
1 DDR2的信道和一个SMBus接口。每个FB -DIMM连接主用主控板连接到主机内存控制器或
相邻的FB-DIMM 。该通道DDR2支持上的FB- DIMM直接连接的DDR2 SDRAM 。
存储器接口
NB FBD
出链接
SB FBD
在链接
AMB
NB FBD
在链接
SB FBD
出链接
SMB
框图AMB接口
接口拓扑
在FB -DIMM信道使用菊花链拓扑结构以提供从每通道一个DIMM扩展到多达8个
每个通道的DIMM 。主机发送的南行链接到第一个DIMM在那里接收数据重新驱动
到第二个DIMM 。南行数据路径的每个DIMM接收该数据，并再次重新驱动器中的数据到
下一个DIMM，直到最后一个DIMM的接收数据。在链中的最后一个DIMM的初始化数据的发送
方向上的主机（又称北行） 。北行的数据路径中的每个DIMM接收数据并重新驱动器
的数据到下一个DIMM，直到主机到达。
主持人
南行
Nourthbound
AMB
AMB
AMB
AMB
N / C
框图FB- DIMM通道南行和北行的路径
初步数据表E0869E30 （版本3.0 ）
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二级或
可选的下一个FBD
原发性或主机
方向
N / C
QQ：2880707522 复制
