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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第348页 > EBE25UC8AAFA-4C-E
初步数据表
256MB无缓冲DDR2 SDRAM DIMM
EBE25UC8AAFA
( 32M字
×
64位,1个等级)
描述
该EBE25UC8AAFA是32M的话
×
64位, 1级
DDR2 SDRAM缓冲模块,安装8块
256M的位DDR2 SDRAM的FBGA封( μBGA
)
封装。读取和写入操作在执行
在CK的交叉点和/ CK 。这个高
高速数据传输是通过4个比特来实现prefetch-
流水线结构。数据选通( DQS和/ DQS )
既用于读操作,写操作可用于高速和
可靠的数据总线设计。通过设置扩展模式
寄存器中,芯片上的延迟锁定环(DLL),可以是
设置启用或禁用。该模块提供了高
密度安装,而无需使用表面贴装
技术。
去耦电容安装
旁各FBGA ( μBGA )上的模块基板。
注意:不要推组件或降
为了模块,以避免机械故障,
这可能会导致电气缺陷。
特点
240针插座型双列直插式内存模块
( DIMM )
PCB高度: 30.0毫米
引线间距: 1.0毫米
LEAD -FREE
1.8V电源
数据传输速率: 533Mbps / 400Mbps的(最大)
1.8V ( SSTL_18兼容)I / O
双倍数据速率的架构:每两次数据传输
时钟周期
双向,差分数据选通( DQS和
/ DQS )被发送/与数据接收的,所用
在接收器采集数据
DQS是边沿与数据一致的内容如下:中心 -
与写入的数据一致
差分时钟输入( CK和/ CK )
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘:数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
四大银行内部的并发操作
(组件)
数据掩码(DM)写入数据
突发长度: 4,8
/ CAS延迟(CL) : 3 ,4,5
对于每一个突发访问自动预充电操作
自动刷新和自刷新模式
7.8μs平均周期刷新间隔
通过可编程附加延迟中科院发布
更好的命令和数据总线效率
片外驱动器阻抗调整和在复模机
终止更好的信号质量
/ DQS可以用于单端数据选通被禁用
手术
EO
一号文件E0465E10 (版本1.0 )
发布日期2004年2月(K )日本
网址: http://www.elpida.com
L
本产品成为了EOL于2005年4月。
Elpida
内存方面, 2004年公司
od
Pr
uc
t
EBE25UC8AAFA
订购信息
产品型号
EBE25UC8AAFA-5C-E
EBE25UC8AAFA-4A-E
EBE25UC8AAFA-4C-E
数据速率
Mbps的(最大)
533
400
400
部件
JEDEC速度斌
( CL - tRCD的-TRP )
DDR2-533 ( 4-4-4 )
DDR2-400 ( 3-3-3 )
DDR2-400 ( 4-4-4 )
240针DIMM
(无铅)
联系
PAD
安装设备
EDE2508AASE-5C
EDE2508AASE -5℃ , -4A
EDE2508AASE -5℃ , -4A , -4℃
销刀豆网络gurations
正面
1针
64针65针
120针
EO
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
引脚名称
VREF
VSS
DQ0
DQ1
VSS
/DQS0
DQS0
VSS
DQ2
DQ3
VSS
DQ8
DQ9
VSS
/DQS1
DQS1
VSS
NC
NC
VSS
DQ10
DQ11
VSS
DQ16
DQ17
VSS
/DQS2
DQS2
121针
背面
184针185针
240针
PIN号
61
62
63
引脚名称
A4
VDD
A2
VDD
VSS
VSS
VDD
PIN号
121
122
123
124
125
126
127
引脚名称
VSS
DQ4
DQ5
VSS
DM0
NC
VSS
PIN号
181
182
183
184
185
186
187
引脚名称
VDD
A3
A1
VDD
CK0
/CK0
VDD
A0
VDD
BA1
VDD
/ RAS
/CS0
VDD
ODT0
NC
VDD
VSS
DQ36
初步数据表E0465E10 (版本1.0 )
L
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
od
Pr
NC
128
DQ6
188
189
VDD
A10
129
DQ7
VSS
130
190
BA0
131
DQ12
191
VDD
/ WE
132
DQ13
VSS
192
133
193
/ CAS
VDD
NC
134
DM1
NC
194
195
135
136
VSS
196
NC
137
CK1
197
VDD
VSS
138
/CK1
198
139
VSS
199
DQ32
DQ33
VSS
/DQS4
DQS4
VSS
DQ34
DQ35
VSS
140
141
142
143
144
145
146
147
148
DQ14
200
DQ15
VSS
201
202
DQ20
203
DQ21
VSS
DM2
NC
VSS
204
205
206
207
208
uc
DQ37
VSS
DM4
NC
VSS
DQ38
DQ39
VSS
t
DQ44
2
EBE25UC8AAFA
PIN号
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
引脚名称
VSS
DQ18
DQ19
VSS
DQ24
DQ25
VSS
/DQS3
DQS3
VSS
DQ26
PIN号
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
引脚名称
DQ40
DQ41
VSS
/DQS5
DQS5
VSS
DQ42
DQ43
VSS
DQ48
DQ49
VSS
SA2
NC
VSS
/DQS6
DQS6
VSS
DQ50
DQ51
VSS
DQ56
DQ57
PIN号
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
引脚名称
DQ22
DQ23
VSS
DQ28
DQ29
VSS
DM3
NC
VSS
DQ30
DQ31
VSS
NC
NC
VSS
NC
NC
VSS
NC
NC
VSS
VDD
NC
PIN号
209
210
211
212
213
214
215
216
217
218
219
220
221
222
223
224
225
226
227
228
229
230
231
引脚名称
DQ45
VSS
DM5
NC
VSS
DQ46
DQ47
VSS
DQ52
DQ53
VSS
CK2
/CK2
VSS
DM6
NC
VSS
DQ54
DQ55
VSS
DQ60
DQ61
VSS
DM7
NC
VSS
DQ62
DQ63
VSS
VDDSPD
SA0
SA1
EO
40
41
42
DQ27
VSS
NC
43
44
45
NC
VSS
NC
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
NC
VSS
NC
NC
VSS
VDD
CKE0
VDD
NC
NC
VDD
A11
A7
VDD
A5
初步数据表E0465E10 (版本1.0 )
L
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
od
Pr
VSS
172
VDD
NC
232
233
/DQS7
DQS7
VSS
173
174
NC
234
175
VDD
A12
A9
235
DQ58
176
236
DQ59
VSS
177
237
178
VDD
A8
238
SDA
179
239
SCL
180
A6
240
uc
t
3
EBE25UC8AAFA
引脚说明
引脚名称
A0到A12
A10 ( AP)
BA0 , BA1
DQ0到DQ63
/ RAS
/ CAS
/ WE
/CS0
功能
地址输入
行地址
列地址
自动预充电
银行选择地址
数据输入/输出
行地址选通命令
列地址选通命令
写使能
芯片选择
时钟使能
时钟输入
差分时钟输入
输入和输出数据选通
输入掩码
时钟输入串行PD
数据输入/输出的串行的PD
串行地址输入
电源内部电路
电源串行EEPROM
输入参考电压
A0到A12
A0到A9
EO
CKE0
CK0到CK2
/ CK0到/ CK2
DM0到DM7
SCL
SDA
SA0到SA2
VDD
VDDSPD
VREF
VSS
ODT0
NC
DQS0到DQS7 , / DQS0到/ DQS7
初步数据表E0465E10 (版本1.0 )
L
od
Pr
ODT控制
无连接
uc
t
4
EBE25UC8AAFA
PD系列矩阵
第一个字节
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
函数来描述
通过模块使用的字节数
生产厂家
串行PD的总字节数
设备
内存类型
行地址数
列地址的数
DIMM行列数
模块数据宽度
模块数据宽度的延续
Bit7
1
0
0
0
0
0
0
0
Bit6
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
Bit5
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
Bit4
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
Bit3
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
1
Bit2
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
Bit1
0
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0
0
1
0
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0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
Bit0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
十六进制值
80H
08H
08H
0DH
0AH
60H
40H
00H
05H
3DH
50H
50H
60H
00H
82H
08H
00H
00H
0CH
04H
38H
评论
128字节
256字节
DDR2 SDRAM
13
10
1
64
0
SSTL 1.8V
3.75ns*
5.0ns*
0.5ns*
0.6ns*
无。
7.8s
×
8
无。
0
4,8
4
3, 4, 5
0
无缓冲
正常
VDD ± 0.1V
3.75ns*
5.0ns*
0.5ns*
0.6ns*
1
1
1
1
EO
-4A , -4℃
10
-4A , -4℃
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
版权所有
版权所有
-4A , -4℃
24
-4A , -4℃
25
-4C
26
-4C
该组件0的电压电平接口
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
DDR SDRAM的周期时间, CL = 5
-5C
从时钟SDRAM存取( TAC)
-5C
DIMM配置类型
1
1
刷新率/类型
主SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
SDRAM器件的属性:
突发长度支持
SDRAM器件属性:数
SDRAM器件银行
SDRAM器件的属性:
/ CAS延时
DIMM类型信息
SDRAM模块属性
SDRAM的设备属性:一般
在CL最小时钟周期时间= 4
-5C
从最大数据存取时间( TAC)
在CL = 4个时钟
0
-5C
在CL最小时钟周期时间= 3
-5℃ , -4A
从最大数据存取时间( TAC)
在CL = 3的时钟
0
-5℃ , -4A
1
初步数据表E0465E10 (版本1.0 )
L
od
Pr
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
0
1
1
1
0
1
1
0
1
0
0
1
0
1
0
0
1
0
1
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
00H
02H
00H
30H
3DH
50H
50H
60H
1
1
uc
50H
5.0ns*
1
FFH
未定义*
1
1
60H
0.6ns*
FFH
未定义*
1
t
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    EBE25UC8AAFA-4C-E
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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