添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第221页 > EBD52UC8AAFA-7B
数据表
512MB无缓冲DDR SDRAM DIMM
EBD52UC8AAFA
( 64M字
×
64位, 2级)
描述
该EBD52UC8AAFA是64M的话
×
64位, 2级
双倍数据速率( DDR ) SDRAM无缓冲模块,
安装16块256M比特DDR SDRAM密封
在TSOP封装。读取和写入操作
在CK和/ CK的交叉点处执行。
这个高速数据传输是通过2位来实现
预取流水线架构。数据选通( DQS )
既用于读操作,写操作可用于高速和
可靠的数据总线设计。通过设置扩展模式
寄存器中,芯片上的延迟锁定环(DLL),可以是
设置启用或禁用。该模块提供了高
密度安装,而无需使用表面贴装
技术。
去耦电容安装
旁边的模块板的每个TSOP 。
特点
184针插座型双列直插式内存模块
( DIMM )
PCB高度: 31.75毫米
引线间距: 1.27毫米
2.5V电源
数据传输速率: 266Mbps (最大)
2.5 V ( SSTL_2兼容)I / O
双倍数据速率的架构;两种数据传输每
时钟周期
双向的,数据选通(DQS )被发送
/接收的数据,在捕获数据中使用
接收器
数据输入和输出都与DQS同步
4个内部银行的并发操作
(组成)
DQS是边沿与读取数据对齐的;中心
与写入的数据一致
差分时钟输入( CK和/ CK )
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘;数据
参考DQS的两个边缘
自动预充电选项为每个突发访问
可编程的突发长度: 2,4, 8
可编程/ CAS延迟(CL) : 2,2.5
更新周期: ( 8192刷新周期/ 64ms的)
7.8μs最大平均周期刷新间隔
刷新2变化
自动刷新
自刷新
EO
一号文件E0362E20 (版本2.0 )
发布日期2003年5月(K )日本
网址: http://www.elpida.com
L
本产品成为了EOL于2004年6月。
Elpida
内存方面,公司2003
od
Pr
t
uc
EBD52UC8AAFA
订购信息
数据速率
Mbps的(最大)
266
组件JEDEC速度斌
( CL - tRCD的-TRP )
DDR 266B ( 2.5-3-3 )
联系
PAD
产品型号
EBD52UC8AAFA-7B
184-pin
DIMM
安装设备
M2S56D30ATP-75
销刀豆网络gurations
正面
1针
52针53针
92针
EO
PIN号
1
2
3
4
引脚名称
VREF
DQ0
VSS
DQ1
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
DQS0
DQ2
VDD
DQ3
NC
NC
VSS
DQ8
DQ9
DQS1
VDD
CK1
/CK1
VSS
DQ10
DQ11
CKE0
VDD
DQ16
DQ17
DQS2
VSS
A9
DQ18
A7
数据表E0362E20 (版本2.0 )
93针
背面
144针145针184针
PIN号
47
48
49
50
引脚名称
NC
A0
NC
VSS
NC
BA1
DQ32
VDD
DQ33
PIN号
93
94
95
96
97
98
99
100
101
引脚名称
VSS
DQ4
DQ5
VDD
DM0/DQS9
DQ6
DQ7
VSS
NC
PIN号
139
140
141
142
143
144
145
146
147
引脚名称
VSS
NC
A10
NC
VDD
NC
VSS
DQ36
DQ37
VDD
DM4/DQS13
DQ38
DQ39
VSS
DQ44
/ RAS
DQ45
VDD
/CS0
/CS1
DM5/DQS14
L
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
od
Pr
DQS4
102
NC
148
DQ34
103
NC
149
VSS
BA0
104
VDD
150
105
DQ12
151
DQ35
106
DQ13
152
DQ40
107
DM1/DQS10
153
VDD
/ WE
108
VDD
154
109
DQ14
155
DQ41
110
DQ15
156
/ CAS
VSS
111
CKE1
157
112
VDD
158
DQS5
DQ42
DQ43
VDD
NC
DQ48
DQ49
VSS
/CK2
113
114
115
116
117
118
119
120
121
NC
159
DQ20
A12
VSS
160
161
162
DQ21
A11
163
164
DM2/DQS11
VDD
165
166
DQ22
167
t
uc
VSS
DQ46
DQ47
NC
VDD
DQ52
DQ53
NC
2
EBD52UC8AAFA
PIN号
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
引脚名称
VDD
DQ19
A5
DQ24
VSS
DQ25
DQS3
A4
VDD
DQ26
DQ27
A2
PIN号
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
引脚名称
CK2
VDD
DQS6
DQ50
DQ51
VSS
VDDID
DQ56
DQ57
VDD
DQS7
DQ58
DQ59
VSS
NC
SDA
SCL
PIN号
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
引脚名称
A8
DQ23
VSS
A6
DQ28
DQ29
VDD
DM3/DQS12
A3
DQ30
VSS
DQ31
NC
NC
VDD
CK0
/CK0
PIN号
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
引脚名称
VDD
DM6/DQS15
DQ54
DQ55
VDD
NC
DQ60
DQ61
VSS
DM7/DQS16
DQ62
DQ63
VDD
SA0
SA1
SA2
VDDSPD
EO
VSS
A1
NC
45
46
NC
VDD
数据表E0362E20 (版本2.0 )
L
od
Pr
t
uc
3
EBD52UC8AAFA
引脚说明
引脚名称
A0到A12
BA0 , BA1
DQ0到DQ63
/ RAS
/ CAS
/ WE
/ CS0 , / CS1
CKE0 , CKE1
CK0到CK2
功能
地址输入
行地址
列地址
数据输入/输出
行地址选通命令
列地址选通命令
写使能
芯片选择
时钟使能
时钟输入
差分时钟输入
输入和输出数据选通
输入掩码
时钟输入串行PD
数据输入/输出的串行的PD
串行地址输入
电源内部电路
电源串行EEPROM
输入参考电压
VDD识别标志
A0到A12
A0到A9
银行选择地址
EO
/ CK0到/ CK2
DQS0到DQS7
SCL
SDA
SA0到SA2
VDD
VDDSPD
VREF
VSS
VDDID
NC
数据表E0362E20 (版本2.0 )
DM0到DM7 / DQS9到DQS16
L
od
Pr
无连接
t
uc
4
EBD52UC8AAFA
PD系列矩阵
第一个字节
0
1
2
3
4
5
6
7
函数来描述
通过模块使用的字节数
生产厂家
串行PD的总字节数
设备
内存类型
行地址数
列地址的数
DIMM行列数
模块数据宽度
模块数据宽度的延续
Bit7
1
0
0
0
0
0
0
0
Bit6
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
位5位4
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
Bit3
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
1
Bit2
0
0
1
1
0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
1
1
1
位1位0
0
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
1
0
0
0
十六进制值
80H
08H
07H
0DH
0AH
02H
40H
00H
04H
75H
75H
00H
82H
08H
00H
01H
0EH
04H
0CH
01H
02H
20H
评论
128字节
256字节
DDR SDRAM
13
10
2
64
0
SSTL2
7.5ns
0.75ns
无。
7.6s
×
8
无。
1 CLK
2,4,8
4
2, 2.5
0
1
迪FF erential
时钟
VDD = 0.2V
10ns
0.75ns
EO
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25至26
27
28
29
30
31
32
33
数据表E0362E20 (版本2.0 )
该组件0的电压电平接口
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
DDR SDRAM的周期时间, CL = 2.5
从时钟SDRAM存取( TAC)
DIMM配置类型
刷新率/类型
主SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
SDRAM器件的属性:
最小时钟延迟背到背
接入列
SDRAM器件的属性:
突发长度支持
SDRAM器件属性:数
SDRAM器件银行
SDRAM器件的属性:
/ CAS延时
SDRAM器件的属性:
/ CS延时
SDRAM器件的属性:
/ WE等待时间
SDRAM模块属性
SDRAM的设备属性:一般
在CL最小时钟周期时间= 2
从最大数据存取时间( TAC)
0
在CL = 2个时钟
0
最小行预充电时间(TRP)
最小行主动向行活动
延迟( TRRD )
最小/ RAS到/ CAS延迟( tRCD的)
最低活跃预充电时间
( TRAS )
模块级密度
地址和命令设置时间
1
时钟前( TIS )
地址和命令后保持时间
1
时钟( TIH )
L
od
Pr
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
1
1
1
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
1
1
0
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
C0H
A0H
75H
00H
50H
20ns
15ns
3CH
50H
t
uc
20ns
2DH
40H
45ns
256M字节
90H
90H
0.9ns
*1
0.9ns
*1
5
查看更多EBD52UC8AAFA-7BPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    EBD52UC8AAFA-7B
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
EBD52UC8AAFA-7B
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8054
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多EBD52UC8AAFA-7B供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!