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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第540页 > EBD10RD4ABFA-6B
初步数据表
注册1GB DDR SDRAM DIMM
EBD10RD4ABFA
( 128M的话
×
72位,1个等级)
描述
该EBD10RD4ABFA是128M的话
×
72位, 1级
双倍数据速率( DDR ) SDRAM注册模块,
安装18块512M比特DDR SDRAM密封
在TSOP封装。读取和写入操作
在CK和/ CK的交叉点处执行。
这个高速数据传输是通过2位来实现
预取流水线架构。数据选通( DQS )
既用于读操作,写操作可用于高速和
可靠的数据总线设计。通过设置扩展模式
寄存器中,芯片上的延迟锁定环(DLL),可以是
设置启用或禁用。该模块提供了高
密度安装,而无需使用表面贴装
技术。
去耦电容安装
旁边的模块板的每个TSOP 。
特点
184针插座型双列直插式内存模块
( DIMM )
PCB高度: 30.48毫米
引线间距: 1.27毫米
2.5V电源
数据传输速率: 333Mbps / 266Mbps (最大)
2.5 V ( SSTL_2兼容)I / O
双倍数据速率的架构;两种数据传输每
时钟周期
双向的,数据选通(DQS )被发送
/接收的数据,在捕获数据中使用
接收器
数据输入和输出都与DQS同步
4个内部银行的并发操作
(组成)
DQS是边沿与读取数据对齐的;中心
与写入的数据一致
差分时钟输入( CK和/ CK )
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘;数据
参考DQS的两个边缘
自动预充电选项为每个突发访问
可编程的突发长度: 2,4, 8
可编程/ CAS延迟(CL) : 2,2.5
更新周期: ( 8192刷新周期/ 64ms的)
7.8μs最大平均周期刷新间隔
刷新2变化
自动刷新
自刷新
1件PLL时钟驱动器, 2个寄存器驱动器
和1片的串行EEPROM ( 2k个比特)为存在
检测(SPD)在PCB上。
一号文件E0274E40 (版本4.0 )
发布日期2003年4月(K )日本
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面,公司。 2002至03年
EBD10RD4ABFA
订购信息
数据速率
Mbps的(最大)
333
266
266
部件
JEDEC速度斌*
1
( CL - tRCD的-TRP )
DDR333B ( 2.5-3-3 )
DDR266A ( 2-3-3 )
DDR266B ( 2.5-3-3 )
联系
PAD
产品型号
EBD10RD4ABFA-6B
EBD10RD4ABFA-7A
EBD10RD4ABFA-7B
184针DIMM
安装设备
EDD5104ABTA-6B
EDD5104ABTA -6B , -7A
EDD5104ABTA -6B , -7A , -7B
注:1,模块/ CAS延迟=成分CL + 1
销刀豆网络gurations
正面
1针
52针53针
92针
93针
背面
144针145针184针
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
引脚名称
VREF
DQ0
VSS
DQ1
DQS0
DQ2
VDD
DQ3
NC
/ RESET
VSS
DQ8
DQ9
DQS1
VDD
NC
NC
VSS
DQ10
DQ11
CKE0
VDD
DQ16
DQ17
DQS2
VSS
A9
PIN号
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
引脚名称
DQS8
A0
CB2
VSS
CB3
BA1
DQ32
VDD
DQ33
DQS4
DQ34
VSS
BA0
DQ35
DQ40
VDD
/ WE
DQ41
/ CAS
VSS
DQS5
DQ42
DQ43
VDD
NC
DQ48
DQ49
PIN号
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
引脚名称
VSS
DQ4
DQ5
VDD
DM0/DQS9
DQ6
DQ7
VSS
NC
NC
NC
VDD
DQ12
DQ13
DM1/DQS10
VDD
DQ14
DQ15
NC
VDD
NC
DQ20
A12
VSS
DQ21
A11
DM2/DQS11
PIN号
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
引脚名称
VSS
DM8/DQS17
A10
CB6
VDD
CB7
VSS
DQ36
DQ37
VDD
DM4/DQS13
DQ38
DQ39
VSS
DQ44
/ RAS
DQ45
VDD
/CS0
NC
DM5/DQS14
VSS
DQ46
DQ47
NC
VDD
DQ52
初步数据表E0274E40 (版本4.0 )
2
EBD10RD4ABFA
PIN号
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
引脚名称
DQ18
A7
VDD
DQ19
A5
DQ24
VSS
DQ25
DQS3
A4
VDD
DQ26
DQ27
A2
VSS
A1
CB0
CB1
VDD
PIN号
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
引脚名称
VSS
NC
NC
VDD
DQS6
DQ50
DQ51
VSS
VDDID
DQ56
DQ57
VDD
DQS7
DQ58
DQ59
VSS
NC
SDA
SCL
PIN号
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
引脚名称
VDD
DQ22
A8
DQ23
VSS
A6
DQ28
DQ29
VDD
DM3/DQS12
A3
DQ30
VSS
DQ31
CB4
CB5
VDD
CK0
/CK0
PIN号
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
引脚名称
DQ53
NC
VDD
DM6/DQS15
DQ54
DQ55
VDD
NC
DQ60
DQ61
VSS
DM7/DQS16
DQ62
DQ63
VDD
SA0
SA1
SA2
VDDSPD
初步数据表E0274E40 (版本4.0 )
3
EBD10RD4ABFA
引脚说明
引脚名称
A0到A12
BA0 , BA1
DQ0到DQ63
CB0到CB7
/ RAS
/ CAS
/ WE
/CS0
CKE0
CK0
/CK0
DQS0到DQS8
DM0到DM8 / DQS9到DQS17
SCL
SDA
SA0到SA2
VDD
VDD
VDDSPD
VREF
VSS
VDDID
/ RESET
NC
功能
地址输入
行地址
列地址
数据输入/输出
校验位(数据输入/输出)
行地址选通命令
列地址选通命令
写使能
芯片选择
时钟使能
时钟输入
差分时钟输入
输入和输出数据选通
输入和输出数据选通
时钟输入串行PD
数据输入/输出的串行的PD
串行地址输入
电源内部电路
电源电路DQ
电源串行EEPROM
输入参考电压
VDD识别标志
复位引脚(部队寄存器输入低)
无连接
A0到A12
A0到A9 ,A11,A12
银行选择地址
初步数据表E0274E40 (版本4.0 )
4
EBD10RD4ABFA
PD系列矩阵*
第一个字节
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
函数来描述
通过模块使用的字节数
生产厂家
串行PD的总字节数
设备
内存类型
行地址数
列地址的数
DIMM行列数
模块数据宽度
模块数据宽度的延续
DDR SDRAM的周期时间, CL = X
-6B
-7A , -7B
从时钟SDRAM存取( TAC)
-6B
-7A , -7B
DIMM配置类型
刷新率/类型
主SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
SDRAM器件的属性:
最小时钟延迟背到背
接入列
SDRAM器件的属性:
突发长度支持
SDRAM器件属性:数
SDRAM器件银行
SDRAM器件的属性:
/ CAS延时
SDRAM器件的属性:
/ CS延时
SDRAM器件的属性:
/ WE等待时间
SDRAM模块属性
SDRAM的设备属性:一般
Bit7
1
0
0
0
0
0
0
0
Bit6
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
1
0
0
1
1
位5位4
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
1
0
0
0
1
Bit3
0
1
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
Bit2
0
0
1
1
1
0
0
0
1
0
1
0
1
0
0
1
1
0
1
1
1
0
0
1
0
1
0
0
1
0
0
0
0
位1位0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
1
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
十六进制值
80H
08H
07H
0DH
0CH
01H
48H
00H
04H
60H
75H
70H
75H
02H
82H
04H
04H
01H
0EH
04H
0CH
01H
02H
26H
C0H
75H
A0H
70H
75H
00H
00H
48H
50H
评论
128
256字节
DDR SDRAM
13
12
1
72位
0 (+)
SSTL 2.5V
CL = 2.5 *
3
该组件0的电压电平接口
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
10
0.70ns*
3
0.75ns*
3
ECC
7.8 s
自刷新
×
4
×
4
1 CLK
2, 4, 8
4
2/2.5
0
1
注册
± 0.2V
CL = 2 *
3
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
最小时钟周期的时间CLX - 0.5
0
-6b , -7A
-7B
1
从最大数据存取时间( TAC)
时钟在CLX - 0.5
0
-6B
-7A , -7B
0
0
1 - 最小时钟周期的时间CLX
24
0.70ns*
3
0.75ns*
3
25
26
27
从最大数据存取时间( TAC)
0
1 - 在CLX时钟
最小行预充电时间(TRP)
0
-6B
-7A , -7B
0
18ns
20ns
初步数据表E0274E40 (版本4.0 )
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    EBD10RD4ABFA-6B
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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