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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第504页 > EB1500SOT89E-BA
FPD1500SOT89
L
OW
N
OISE
H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输P
HEMT
F
EATURES
(1850MH
Z
):
27.5 dBm的输出功率( P1dB为)
17分贝小信号增益( SSG )
1.2分贝噪声系数
42 dBm的输出IP3
50%的功率附加效率
FPD1500SOT89E - 符合RoHS标准
数据手册V3.0
P
ACKAGE
:
RoHS指令
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FPD1500SOT89是封装耗尽
模式的AlGaAs /砷化铟镓假晶高
电子迁移率晶体管( pHEMT制) 。它
采用了0.25微米× 1500微米的肖特基势垒
栅,通过高分辨率定义步进系
光刻。双门凹陷
结构,最大限度地减少寄生效应,优化
性能,具有外延结构
设计用于改善线性度的范围内
偏置条件和I / P功率水平。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
在PCS驱动程序或输出级/蜂窝
基站发射机放大器
高拦截点低噪声放大器
WLL和WLAN系统和其它类型的
无线基础设施系统。
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
:
P
ARAMETER
功率1分贝增益压缩
小信号增益
功率附加英法fi效率
S
YMBOL
P1dB
SSG
PAE
C
ONDITIONS
VDS = 5 V ; IDS = 50 % IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 50 % IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 50%的智能决策支持系统;
POUT =的P1dB
M
IN
26.0
15.5
T
YP
27.5
17
50
M
AX
U
尼特
DBM
dB
%
噪声系数
NF
VDS = 5 V ; IDS = 50 % IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 25 % IDSS
1.0
1.2
dB
输出三阶截取点
(从15 5 dB以下的P1dB )
IP3
VDS = 5V ; IDS = 50 % IDSS
匹配的最佳动力
匹配最佳IP3
38
40
42
375
465
750
400
1
0.7
12
12
1.0
16
16
60
15
1.3
550
mA
mA
mS
A
V
V
V
° C / W
DBM
饱和漏源电流
最大漏源电流
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热阻
IDSS
IMAX
GM
IGSO
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
RθJC
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS
+1 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VGS = -5V
VDS = 1.3 V ; IDS = 1.5毫安
IGS = 1.5毫安
IGD = 1.5毫安
注:t
环境
= 22 ° ;在f = 1850 MHz的使用CW信号的RF测量规范(特别注明的除外)
1
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真: +44 ( 0 ) 1325 306177
电子邮件: sales@filcs.com
电话:+44 ( 0 ) 1325 301111
网址:
www.filtronic.com
FPD1500SOT89
数据手册V3.0
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
阿婷
1
:
P
ARAMETER
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
2
S
YMBOL
VDS
VGS
IDS
IG
总胆固醇
TSTG
P合计
比较。
3
T
美东时间
C
ONDITIONS
-3V < VGS < + 0V
0V < VDS < + 8V
对于VDS < 2V
正向或反向电流
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
2个或更多最大值。范围
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
8V
-3V
IDSS
15mA
350mW
175°C
-55 ° C至150℃
2.3W
5dB
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
限制同时结合
注意事项:
1
T
环境
= 22 ° C除非另有说明;超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会导致
对设备造成永久性损坏
2
马克斯。 1 : RF输入限制,如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
用户应避免超过80 %的2个或更多同时限制
4
定义为总功耗:P
合计
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
,
其中,P
DC
:直流偏置电源,P
IN
: RF输入功率,P
OUT
:射频输出功率
总功耗要降额,符合上述22 ° C:
P
合计
= 2.3 - ( 0.016W / ° C)控制x T
PACK
其中T
PACK
=源标签铅温度高于22°C
(降额式的系数是热导率)
例如:对于一个65 ℃的温度载体:P
合计
= 2.3W - ( 0.016 ×( 65 - 22 ) ) = 1.61W
B
IASING
G
UIDELINES
:
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度,但是需要的组件相比,自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款,以确保门偏压漏极偏置之前应用。
双偏置电路实现起来比较简单,但需要调节的负电压
供应耗尽型器件。
对于标准的A类操作, IDSS偏置点的50%的建议。少量
在压缩之前的发作RF增益扩张是正常的,这个工作点。一类
的IDSS的25-33 %, A / B偏置,以达到更好的OIP3和噪声系数性能提出了建议。
2
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FPD1500SOT89
数据手册V3.0
F
Characteristic低频
R
反应的影响
:
偏见@ 5V 50 % IDSS
1.4
味精
S21
偏见@ 5V , 200毫安
1.2
噪声系数(dB )
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.5
0.9
1.3
1.7
2.1
2.5
2.9
3.3
3.7
4.1
4.5
4.9
5.3
5.7
N.F. ( dB)的
35
30
味精
MAG S21
&放大器;
25
20
15
10
5
0
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
频率(GHz )
6.5
7.5
8
频率(GHz )
注:设备调整为最小噪声系数
T
emperature
R
反应的影响
:
偏见@ 5V , 50 % IDSS
在1.85GHz采取评估板数据
偏见@ 5V , 33 % IDSS
在评估和演示板@ 1.85GHz采取数据
18.0
17.0
SSG ( dB)的
15.0
14.0
13.0
12.0
-20
-10
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
温度(℃)
SSG ( dB)的
P1dB的( DBM)
P1dB的( DBM)
16.0
10
20
30
40
50
60
70
80
-20
-10
温度(℃)
注:评估板调整为最大功率
3
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90
0
30.0
29.0
28.0
27.0
26.0
25.0
24.0
23.0
22.0
21.0
20.0
.70
.60
.50
.40
.30
.20
.10
.00
噪声系数(dB )
N.F.
( dB)的
FPD1500SOT89
数据手册V3.0
T
YPICAL
T
联联
RF P
ERFORMANCE
:
功率传输特性
3.50
29.00
比较点
漏极效率和PAE
70.00%
3.00
70.00%
27.00
2.50
25.00
增益压缩(分贝)
60.00%
PAE
EFF 。
60.00%
50.00%
PAE (%)
50.00%
排水 FFI效率( % )
输出功率(dBm )
2.00
23.00
21.00
19.00
17.00
15.00
13.00
-2.00
1.50
40.00%
40.00%
1.00
30.00%
30.00%
.50
20.00%
20.00%
.00
10.00%
10.00%
0.00
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
14.00
-.50
16.00
.00%
-2.00
0.00
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
14.00
.00%
16.00
输入功率(dBm )
输入功率(dBm )
注:典型的功率和效率如上图所示。该器件在V偏压名义上
DS
= 5V ,我
DS
第I = 50%
DSS
在1.85 GHz的测试频率。测试器件进行调谐(输入和输出调整)为
最大输出功率在1分贝增益压缩。
典型的互调性能
VDS = 5V IDS = 50 % IDSS在f = 1.85GHz
-10.00
25.00
-15.00
-20.00
23.00
-25.00
21.00
-30.00
-35.00
19.00
-40.00
-45.00
17.00
-50.00
15.00
-1.00
1.00
3.00
5.00
输入功率(dBm )
-55.00
7.00
9.00
11.00
IM3 , dBc的
注意:
pHEMT制
设备有
增强
互调性能。这就产生OIP3
关于P的值
1dB
+ 14dBm 。这IMD
增强是受静态偏置和
施加到器件上的匹配
.
典型的I -V特性
直流IV曲线FPD1500SOT89
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
VG=-1.5V
VG-1.25V
VG=-1.00V
VG=-0.75V
VG=-0.5V
VG=-0.25V
VG=0V
0.10
注意:测量我的推荐方法
DSS
任何特定的I
DS
,是设置漏源电压(V
DS
)
在1.3V 。该测定点避免的发作
寄生自激振荡通常会扭曲
电流测量(该效果已被过滤从
的I-V曲线呈现上文)。设置V
DS
> 1.3V
通常会导致错误的测量电流,
即使在稳定电路。
漏源电流(A )
0.00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
漏源极电压( V)
4
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第三奥德IM Poroducts ( DBC)
输出功率(dBm )
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FPD1500SOT89
数据手册V3.0
T
YPICAL
O
安输出
P
车道
P
OWER
C
ONTOURS
( VDS = 5V , IDS = 50 % IDSS ) :
SWP最大
159
2.
0
0.4
1.
0
2.
0
3.0
0.
6
0.4
0.
8
1.
0
0.
6
0.
8
SWP最大
123
3.0
22dBm
0.2
4.0
5.0
0.2
23dBm
24dBm
0
0.
2
0.
26dBm
0.
4
6
0. 1.
0
8
2.
0
3. 4. 5.
0 0 0
10.0
10
.0
0
0.
2
23dBm
24dBm
25dBm
26dBm
0.
27dBm
4
0.
6
0. 1.
0
8
2.
0
3. 4. 5.
0 0 0
4.0
5.0
10.0
10
.0
25dBm
28dBm
27dBm
-0.2
-10.0
-0.2
-10.0
28dBm
-5.0
-4.0
-3.0
-0.4
-
0.
6
-
2.
0
-
1.
0
-5.0
-4.0
-0.4
-
0.
6
22dBm
-
2.
0
-
1.
0
-3.0
-
0.
8
SWP敏
1
-
0.
8
SWP敏
1
1850兆赫
横扫轮廓以恒定的输入功率,
设置这样的最佳P
1dB
在实现
点的输出匹配。
输入(源平面)
Γ
s
:
0.74
168.2
0.15 + j0.1 (标准化)
7.5 + j5.0
与此得到标称的IP3性能
输入平面匹配,并输出平面
匹配,如图所示。
900兆赫
横扫轮廓以恒定的输入功率,
设置这样的最佳P
1dB
在实现
点的输出匹配。
输入(源平面)
Γ
s
:
0.67
103.6
0.30 + j0.74 (标准化)
15 + j37.0
与获得的标称IP3性能
该输入面匹配,并且输出平面
匹配,如图所示。
T
YPICAL
S
CATTERING
P
ARAMETERS
(50 S
变体系
):
FPD1500SOT89 5V / 50% IDSS
6
0.
2.
0
FPD1500SOT89 5V / 50% IDSS
SWP最大
8GHz
0.
8
0.
6
0.4
3.0
0
4.
5 .0
0.8
1.
0
2.
0
5 GHz的
6 GHz的
SWP最大
8GHz
1.0
4 GHz的
7 GHz的
0
3.
3.5 GHz的
3 GHz的
0.2
2.5 GHz的
10.0
0.4
2.0
4.0
0.2
0.8
1.0
3.0
5.0
0.6
0
2 GHz的
1.5
2
GHz的
-4
.0
- 5.
0
-0.
.4
-0
1 GHz的
.0
-2
-0. 8
-1.0
S11
-0
.6
SWP敏
0.5GHz
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电子邮件: sales@filcs.com
- 10 .0
-3
.0
0.
4
0.2
5 GHz的
4 GHz的
3 GHz的
6 GHz的
4.0
7 GHz的
5.0
1 0. 0
10.0
0.
0.
8
1.
0
2.
0
3. 4. 5.
0 0 0
10
.0
0
0.
2
2 GHz的
6
4
0.
1 GHz的
-10.0
-0.2
-5.0
-4.0
-0.4
-
0.
6
-
2.
0
-
1.
0
-3.0
S22
-
0.
8
SWP敏
0.5GHz
5
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    -
    -
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