ASG304
DC -2000 MHz的硅锗HBT放大器
特点
·硅锗
技术
·18
dB增益在900 MHz的
·+24
dBm的P1dB为
·+41
dBm的输出IP3
·2.6
dB的噪声系数
= MTTF
> 100年
*单
+6 V电源
·SOT-89
表面贴装封装
描述
该ASG304是专为高线性度，高
增益，并在很宽的范围内的频低噪声
昆西，适合于在两个接收器使用
和发射机的无线和有线与电信
通信系统。该产品的制造
使用的一个国家的最先进的硅锗HBT工艺
公司自己的，使得它具有成本效益和
高度可靠。该放大器是一个可用
低成本的SOT- 89封装完成严格的
DC和RF测试。
封装形式： SOT- 89
特定网络阳离子
1)
参数
频带
收益
输入VSWR
输出IP3
3)
2)
2)
应用
单位
兆赫
dB
-
-
DBM
dB
DBM
mA
V
4)
分钟。
典型值。
250 - 2000
马克斯。
· CDMA ，
GSM， W-CDMA， PCS
-PA
驱动放大器
ΔGAIN
块
· CATV
扩音器
●如果
扩音器
17.5
18
1.2
1.7
输出VSWR
噪声系数
输出P1dB为
39
41
2.6
24
110
6
32
45
电源电流
电源电压
热电阻R
th
更多信息
电话： （ 82 ） 42-528-7220
传真： （ 82 ） 42-528-7222
ASB公司， 4 FI 。创业城大厦，
367-17 Goijeong东，西区，
大田302-716 ，韩国
th
° C / W
1）测定条件如下：T = 25℃ ，V
CC
= 6 V ，频率。 = 900兆赫， 50欧姆系统。
2） S11 & S22中能够得到改善，在一个特定的频率，通过沿输入传输线移动的输入旁路电容器（C2） 。
3 ） OIP3是测量两个音调在8 dBm的/音1 MHz的分开的输出功率。
4）耐热性在0.834 W上的直流功率来确定（Ⅴ
CC
= 6 V，I
C
= 139毫安）与RF信号和铅温度
85.2
°C.
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
电源电压
工作结温
输入射频功率（连续）
1)
等级
-40
+
85°C
-40
+
150°C
8V
150°C
3分贝上面输入P1dB的
1)
备注
1 ）请联系我们以了解更多更高的输入功率操作的详细信息。
应用笔记
应用电路950兆赫（ GSM ）
应用电路1750兆赫
应用电路对2250年至2750年兆赫
应用电路900兆赫（ 5 V ）
订购信息
产品型号
ASG304
EB-ASG304-900
EB-ASG304-2000
EB-ASG304-1750
EB-ASG304-IF
EB-ASG304-CATV
描述
高线性度中等功率放大器
（可在磁带和卷轴）
完全组装的评估板（ 900兆赫）
完全组装的评估板（ 2000兆赫）
完全组装的评估板（ 1750兆赫）
完全组装的评估板（ 10-200兆赫）
完全组装的评估板（ 50-860兆赫）
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六月
2003
ASG304
外形绘图
（单位：毫米）
3
a
2
2
1
引脚说明
功能
输入
地
产量
PIN号
1
2
3
土地模式
安装配置
（单位：毫米）
注：1，通过在电路板中的孔的数量和地面尺寸为热临界
和射频接地的考虑。
2.我们建议，通路孔的地面被放置在引线脚2的底部供
更好的RF性能和热性能，如在左侧示出在图中。
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六月
2003
ASG304
应用电路： 900兆赫
典型性能
频率
大小S21
大小S11
大小S22
输出P1dB为
输出IP3
2)
1)
1)
概要
900兆赫
18分贝
-24分贝
-11分贝
24 dBm的
41 dBm的
2.6分贝
6V
110毫安
在RF
C2 = 8 pF的
R1 = 7.5千欧
C1 = 10 pF的
L1 = 100 nH的
VCC = 6 V
C4=
C5=
C6=
100 pF的1000 pF的0.1μF
50
3 mm
ASG304
C3 = 100 pF的
RF OUT
噪声系数
电源电压
当前
1） S11 & S22中能够得到改善，在一个特定的频率，通过移动
输入分路电容（C2）沿输入传输线。
2 ） OIP3是在8 dBm的/音输出功率测量两个音
1 MHz的分离。
2
电路板布板（ FR4 ， 40×40毫米， 0.8T ）
增益与温度
20
19
增益（dB ）
18
17
频率= 900 MHz的
16
-60
-1 5
-2 0
-2 5
S12 （分贝）
-3 0
85 C
-3 5
o
o
25 C
-40 C
o
-40
-20
0
20
o
40
60
80
100
-4 0
6 00
7 00
80 0
90 0
100 0
11 00
1 200
频率
uenc Y [兆赫]
温度（℃）
S-参数
10
-15
0
-20
-10
S11（ dB）的
-25
-20
-30
85 C
o
25 C
o
-40 C
o
S12 （ dB）的
-30
-40
-35
85 C
o
25 C
o
-40 C
o
-50
600
700
800
900
1000
1100
1200
-40
600
700
800
900
1000
1100
1200
频率（MHz）
频率（MHz）
25
5
20
0
15
-5
S21 （ dB）的
10
S22 （ dB）的
5
85 C
o
25 C
o
-40 C
o
-10
-15
85 C
o
25 C
o
-40 C
o
0
600
700
800
900
1000
1100
1200
-20
600
700
800
900
1000
1100
1200
频率（MHz）
频率（MHz）
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2003
ASG304
应用电路： 2000兆赫
典型性能
频率
大小S21
大小S11
大小S22
输出P1dB为
输出IP3
2)
1)
1)
概要
2000兆赫
10.5分贝
-20分贝
-15分贝
24 dBm的
40 dBm的
3.5分贝
6V
110毫安
5 mm
在RF
L2 = 3.3 nH的
C1 = 10 pF的
ASG304
C2 = 2.7 pF的
GND
R1 = 7.5千欧
L1 = 56 nH的
VCC = 6 V
C4=
100 pF的
C5=
1000 pF的
C6=
0.1
F
50
8.75 mm
C3 = 5 pF的
RF OUT
噪声系数
电源电压
当前
1） S11 & S22中能够得到改善，在一个特定的频率，通过移动
输入旁路电容器（C2）和电感（L2）的沿输入传输线。
2 ） OIP3是在8 dBm的/音输出功率测量两个音
1 MHz的分离。
增益与温度
14
电路板布板（ FR4 ， 40×40毫米
2
, 0.8T)
13
增益（dB ）
12
11
频率= 2 GHz的
10
-60
-40
-20
0
20
o
40
60
80
100
温度（℃）
S-参数
20
-10
0
85 C
o
25 C
o
-40 C
o
-15
85 C
o
25 C
o
-40 C
o
S11（ dB）的
S12 （ dB）的
-20
-20
-40
-25
-60
1800
1900
2000
2100
2200
-30
1800
1900
2000
2100
2200
频率（MHz）
20
频率（MHz）
10
15
85 C
o
25 C
o
-40 C
o
0
85 C
o
25 C
o
-40 C
o
S21 （ dB）的
S22 （ dB）的
10
-10
5
-20
0
1800
1900
2000
2100
2200
-30
1800
1900
2000
2100
2200
频率（MHz）
频率（MHz）
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DC -2000 MHz的硅锗HBT放大器
特点
·硅锗
技术
·18
dB增益在900 MHz的
·+24
dBm的P1dB为
·+41
dBm的输出IP3
·2.6
dB的噪声系数
= MTTF
> 100年
*单
+6 V电源
·SOT-89
表面贴装封装
描述
该ASG304是专为高线性度，高
增益，并在很宽的范围内的频低噪声
昆西，适合于在两个接收器使用
和发射机的无线和有线与电信
通信系统。该产品的制造
使用的一个国家的最先进的硅锗HBT工艺
公司自己的，使得它具有成本效益和
高度可靠。该放大器是一个可用
低成本的SOT- 89封装完成严格的
DC和RF测试。
封装形式： SOT- 89
特定网络阳离子
1)
参数
频带
收益
输入VSWR
输出IP3
3)
2)
2)
应用
单位
兆赫
dB
-
-
DBM
dB
DBM
mA
V
4)
分钟。
典型值。
250 - 2000
马克斯。
· CDMA ，
GSM， W-CDMA， PCS
-PA
驱动放大器
ΔGAIN
块
· CATV
扩音器
●如果
扩音器
17.5
18
1.2
1.7
输出VSWR
噪声系数
输出P1dB为
39
41
2.6
24
110
6
32
45
电源电流
电源电压
热电阻R
th
更多信息
电话： （ 82 ） 42-528-7220
传真： （ 82 ） 42-528-7222
ASB公司， 4 FI 。创业城大厦，
367-17 Goijeong东，西区，
大田302-716 ，韩国
th
° C / W
1）测定条件如下：T = 25℃ ，V
CC
= 6 V ，频率。 = 900兆赫， 50欧姆系统。
2） S11 & S22中能够得到改善，在一个特定的频率，通过沿输入传输线移动的输入旁路电容器（C2） 。
3 ） OIP3是测量两个音调在8 dBm的/音1 MHz的分开的输出功率。
4）耐热性在0.834 W上的直流功率来确定（Ⅴ
CC
= 6 V，I
C
= 139毫安）与RF信号和铅温度
85.2
°C.
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
电源电压
工作结温
输入射频功率（连续）
1)
等级
-40
+
85°C
-40
+
150°C
8V
150°C
3分贝上面输入P1dB的
1)
备注
1 ）请联系我们以了解更多更高的输入功率操作的详细信息。
应用笔记
应用电路950兆赫（ GSM ）
应用电路1750兆赫
应用电路对2250年至2750年兆赫
应用电路900兆赫（ 5 V ）
订购信息
产品型号
ASG304
EB-ASG304-900
EB-ASG304-2000
EB-ASG304-1750
EB-ASG304-IF
EB-ASG304-CATV
描述
高线性度中等功率放大器
（可在磁带和卷轴）
完全组装的评估板（ 900兆赫）
完全组装的评估板（ 2000兆赫）
完全组装的评估板（ 1750兆赫）
完全组装的评估板（ 10-200兆赫）
完全组装的评估板（ 50-860兆赫）
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ASG304
外形绘图
（单位：毫米）
3
a
2
2
1
引脚说明
功能
输入
地
产量
PIN号
1
2
3
土地模式
安装配置
（单位：毫米）
注：1，通过在电路板中的孔的数量和地面尺寸为热临界
和射频接地的考虑。
2.我们建议，通路孔的地面被放置在引线脚2的底部供
更好的RF性能和热性能，如在左侧示出在图中。
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ASG304
应用电路： 900兆赫
典型性能
频率
大小S21
大小S11
大小S22
输出P1dB为
输出IP3
2)
1)
1)
概要
900兆赫
18分贝
-24分贝
-11分贝
24 dBm的
41 dBm的
2.6分贝
6V
110毫安
在RF
C2 = 8 pF的
R1 = 7.5千欧
C1 = 10 pF的
L1 = 100 nH的
VCC = 6 V
C4=
C5=
C6=
100 pF的1000 pF的0.1μF
50
3 mm
ASG304
C3 = 100 pF的
RF OUT
噪声系数
电源电压
当前
1） S11 & S22中能够得到改善，在一个特定的频率，通过移动
输入分路电容（C2）沿输入传输线。
2 ） OIP3是在8 dBm的/音输出功率测量两个音
1 MHz的分离。
2
电路板布板（ FR4 ， 40×40毫米， 0.8T ）
增益与温度
20
19
增益（dB ）
18
17
频率= 900 MHz的
16
-60
-1 5
-2 0
-2 5
S12 （分贝）
-3 0
85 C
-3 5
o
o
25 C
-40 C
o
-40
-20
0
20
o
40
60
80
100
-4 0
6 00
7 00
80 0
90 0
100 0
11 00
1 200
频率
uenc Y [兆赫]
温度（℃）
S-参数
10
-15
0
-20
-10
S11（ dB）的
-25
-20
-30
85 C
o
25 C
o
-40 C
o
S12 （ dB）的
-30
-40
-35
85 C
o
25 C
o
-40 C
o
-50
600
700
800
900
1000
1100
1200
-40
600
700
800
900
1000
1100
1200
频率（MHz）
频率（MHz）
25
5
20
0
15
-5
S21 （ dB）的
10
S22 （ dB）的
5
85 C
o
25 C
o
-40 C
o
-10
-15
85 C
o
25 C
o
-40 C
o
0
600
700
800
900
1000
1100
1200
-20
600
700
800
900
1000
1100
1200
频率（MHz）
频率（MHz）
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应用电路： 2000兆赫
典型性能
频率
大小S21
大小S11
大小S22
输出P1dB为
输出IP3
2)
1)
1)
概要
2000兆赫
10.5分贝
-20分贝
-15分贝
24 dBm的
40 dBm的
3.5分贝
6V
110毫安
5 mm
在RF
L2 = 3.3 nH的
C1 = 10 pF的
ASG304
C2 = 2.7 pF的
GND
R1 = 7.5千欧
L1 = 56 nH的
VCC = 6 V
C4=
100 pF的
C5=
1000 pF的
C6=
0.1
F
50
8.75 mm
C3 = 5 pF的
RF OUT
噪声系数
电源电压
当前
1） S11 & S22中能够得到改善，在一个特定的频率，通过移动
输入旁路电容器（C2）和电感（L2）的沿输入传输线。
2 ） OIP3是在8 dBm的/音输出功率测量两个音
1 MHz的分离。
增益与温度
14
电路板布板（ FR4 ， 40×40毫米
2
, 0.8T)
13
增益（dB ）
12
11
频率= 2 GHz的
10
-60
-40
-20
0
20
o
40
60
80
100
温度（℃）
S-参数
20
-10
0
85 C
o
25 C
o
-40 C
o
-15
85 C
o
25 C
o
-40 C
o
S11（ dB）的
S12 （ dB）的
-20
-20
-40
-25
-60
1800
1900
2000
2100
2200
-30
1800
1900
2000
2100
2200
频率（MHz）
20
频率（MHz）
10
15
85 C
o
25 C
o
-40 C
o
0
85 C
o
25 C
o
-40 C
o
S21 （ dB）的
S22 （ dB）的
10
-10
5
-20
0
1800
1900
2000
2100
2200
-30
1800
1900
2000
2100
2200
频率（MHz）
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