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e5130
低电压CMOS驱动器电路
描述
在e5130包含4个独立的驱动器输出与
对典型的阻力。 25
W
(15
W)
TOR的P沟道
输出晶体管和典型。 20
W
(13
W)
对于N型沟道
输出晶体管;以1.5 V( 3 V)的一个电源电压。对
获得快速的输出转变,即使是缓慢的
上升/ -fall时间的输入信号,所有数字输入( IN1 ... IN4 )
有一个施密特触发器的特性;同的滞后
(典型值) 。 50毫伏。如果需要更高的驱动能力是需要的,所有
输入和输出可以被并联连接。在这
情况下,上升/输入的-fall时间信号IN1 ... IN4绝
小于200纳秒。由于快速开关
的三态输出驱动器的特性,该电路
还适用于低电压总线驱动程序。
特点
D
1.1 - 3.6 V的工作电压范围
D
4非反相,三态驱动程序
以下应用:
- 双极步进电机在手表电机驱动器/ -
时钟应用
- 驱动压电换能器(蜂鸣器)
- LED驱动器
- 中速线路驱动器
优势
D
高负载电流,低电源电压
D
替代多个分立晶体管
D
三态操作成为可能
D
可能的应用:
电机驱动器
- 电波钟/表
- 为迷你电脑线路驱动器,笔记本电脑
- LED驱动器
继电器驱动器
垫CON组fi guration
OUT1 OUT2 OUT3 OUT4
V
DD
V
SS
V
DD
IN1 ... IN4
名字
描述
正电源电压
负电源电压
数字输入
三态输入
驱动器输出
e5130
94 8178
OUT1 ... OUT4
Chipsize : X = 1.08毫米, Y = 1.42毫米,
Padwindow : 90× 90
m
IN1
IN2
IN3
IN4
V
SS
订购信息
扩展型数
e5130A–DIT
DIE
死在托盘
备注
牧师A2 , 13 -MAR -01
1 (4)
e5130
绝对最大额定值
绝对最大额定值定义参数限制它,它突破,可能会永久地改变或损坏设备。
所有的输入和输出电路受到高度保护,防止静电释放。
然而,注意尽量减少积聚的处理过程中的静电电荷被推荐的。
电路免受电源电压反转为通常5分钟,如果电流限制在120毫安。
参数
电源电压
输入电压范围内,所有输入
工作环境温度范围
存储温度范围
焊接过程中焊接温度为2毫米的距离, 10秒
符号
V
DD
– V
SS
V
I
价值
- 0.3 + 5
V
SS
- 0.3 V
DD
+ 0.3
- 20至+ 70
- 40至+ 125
260
单位
V
V
°C
°C
°C
工作特性
V
SS
= 0 V, V
DD
= + 1.5 V,T
AMB
= + 25
°C,
除非另有规定ED 。
所有电压电平进行测量,参照V
SS
.
参数
工作电压
工作温度
工作电流(待机)V
DD
= 3.6 V ,R
L12
= R
L34
=
R,
IN1到IN4在V
DD
或V
SS
,三处
V
SS
驱动输出OUT1到OUT4
输出电流
输出电流
输出电流
延迟时间
延迟时间
上升/ -fall时间
上升/ -fall时间
数字输入IN1到IN4
输入电流
输入电流
门槛
迟滞
三态输入TRI
输入电流TRI
V
IH
= V
DD
I
IH
0.15
0.4
1.2
mA
V
IL
= 0 V
V
IH
= V
DD
V
mV
I
IL
I
IH
V
TH
V
HYST
V
DD
/2
50
–100
100
nA
nA
V
mV
V
DD
= 1.2 V,R 1
L12
= R
L34
= 200
W
V
DD
= 1.5 V ,R
L12
= R
L34
= 200
W
V
DD
= 3.0 V ,R
L12
= R
L34
= 200
W
V
DD
= 3 V ,C
L
= 50 pF的
V
DD
= 1.5 V ,C
L
= 50 pF的,
参见图2,注意1
V
DD
= 3 V ,C
L
= 50 pF的
V
DD
= 1.5 V ,C
L
= 50 pF的,
参见图2,注意2
I
OUT
I
OUT
I
OUT
T
Dr
, T
Df
T
Dr
, T
Df
t
r
, t
f
t
r
, t
f
& QUOT ;
4.3
& QUOT ;
5.7
& QUOT ;
12
& QUOT ;
4.75
& QUOT ;
6.20
& QUOT ;
13
35
80
8
12
60
150
15
25
mA
mA
mA
ns
ns
ns
ns
测试条件/销
符号
V
DD
T
AMB
I
DD
1.1
– 10
0.05
典型值
最大
3.6
60
1
单位
V
°C
mA
2 (4)
牧师A2 , 13 -MAR -01
e5130
R
L12
R
L34
15
V
DD
IN1
e5130
IN2
IN3
IN4
V
SS
94 8179
I
RL
(MA )
OUT1 OUT2 OUT3 OUT4
10
5
0
1.0
94 8192
1.5
2.0
V
DD
( V )
2.5
3.0
图1.测试电路
94 8181
图3.典型电流为200
W
负载电阻器,条件如
按照图1
50
IN1...4
t
r
t
f
R
ON
(
W
)
40
P沟道晶体管
30
OUT1...4
t
Dr
图2中。
20
10
0
1.0
1.5
2.0
V
DD
( V )
2.5
3.0
N沟道晶体管
t
Df
注1:T
Dr
, t
Df
被限定在电源电压的50%的
注2 :吨
r
, t
f
从10%定义为90%, RESP 。 90 %至
电源电压的10 %
94 8193
导通电阻与电源电压图4.典型输出
V
DS
= 0.2 V
0
1014.0
851.0
118.0
366.0
534.0
782.0
1014.0
447.5
e5130
0
10
0
221.0
389.0
610.0
778.0
0
94 8180
图5.垫坐标
牧师A2 , 13 -MAR -01
3 (4)
e5130
应用电路
线路驱动器
微电机或
步进电机
M
负载4.8毫安@ 1.5 V
12毫安@ 3.0 V
OUT1 OUT2 OUT3 OUT4
V
DD
e5130
IN2
IN3
IN4
V
SS
从逻辑
or
mP
IN1
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户进行验证
应用程序由客户。如买方使用爱特梅尔无线微控制器&产品的任何意外
或未经授权的应用程序,买方应赔偿爱特梅尔无线微控制器&的所有索赔,
费用,损失,费用,直接或间接地引起的,人身损害,伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关。
数据表还可以检索来自互联网:
http://www.atmel-wm.com
爱特梅尔德国公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2594 ,传真号码: 49 ( 0 ) 67 7131 2423
4 (4)
牧师A2 , 13 -MAR -01
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