HEXFET
电气特性@T
J
=25
C（除非
另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/
T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
12
58
45
47
4.5
2.0
25
25
250
100
-100
130
26
43
分钟。
100
0.13
0.023
4.0
V
S
A
nA
典型值。
MAX 。单位
V
E 3710
功率MOSFET
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=
250uA
V / C参考到25℃ ，我
D
=1mA
V
GS
=10V,I
D
=28A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
DS
=25V,I
D
=28A
V
DS
=100V,V
GS
=0V
V
DS
=80V,V
GS
=0V,T
J
=150C
V
GS
=20V
V
GS
=-20V
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
D
=28A
NC V
DS
=80V
V
GS
= 10V参见图6和13
V
DD
=50V
I
D
=28A
nS
R
G
=2.5
V
GS
= 10V见图10
铅之间，
6mm(0.25in.)
nH的从包中
和中心
模具接触
V
GS
=0V
pF的V
DS
=25V
f=1.0MH
Z
参见图5
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
参数
分钟。
.
.
典型值。
7.5
3130
410
72
马克斯。
57
A
230
1.2
140
670
220
1010
V
nS
nC
单位
源极 - 漏极额定值和特性
测试条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
=25C,I
S
=28A,V
GS
=0V
T
J
=25C,I
F
=28A
di/dt=100A/s
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
t
on
向前开启时间
注意事项：
固有的导通时间是可以忽略不计（开启由LS + L为主
D
)
ISD
TJ
28A ， di / dt的250A / S， VDD
175
C
300
S;占空比
2%.
V（ BR ） DSS ，
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温度（参见图11 ）
VDD = 25V ，启动TJ = 25
C
,L=0.70mH
RG=25
IAS = 28A （参见图12）
脉冲宽度
2
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