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STE30NK90Z
N沟道900V - 0.21Ω - 28A ISOTOP
齐纳保护的超网 MOSFET
表1 ：一般特点
TYPE
STE30NK90Z
s
s
s
s
图1 ：包装
I
D
28 A
Pw
500 W
V
DSS
900 V
R
DS （ ON）
< 0.26
典型
DS
（上） = 0.21
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被照顾，以确保一个很好的dv / dt能力
为要求最苛刻的应用程序。这种系列
补充ST全系列高电压MOSFET导
场效应管，包括革命性的MDmesh 产品。
应用
大电流，高开关速度
s
理想焊接设备
s
ISOTOP
图2 ：内部原理图
表2 ：订购代码
销售类型
STE30NK90Z
记号
E30NK90Z
包
ISOTOP
包装
管
Rev.3
2005年1月
1/10
STE30NK90Z
表3 ：绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
j
T
英镑
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
隔热所有四个耐压（ AC- RMS）
端子外部散热器
工作结温
储存温度
价值
900
900
± 30
28
18
112
500
4.3
6.5
4.5
2500
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
KV
V / ns的
V
- 65 150
°C
( )
脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤
28A ， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
表4 ：热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
0.23
40
° C / W
° C / W
表5：雪崩特征
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 35 V)
最大值
13
500
单位
A
mJ
表6 ：门源齐纳二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/10
STE30NK90Z
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表7 ：开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 150 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 14 A
3
3.75
0.21
分钟。
900
10
100
±100
4.5
0.26
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
表8 ：动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 14 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
26
12000
852
166
377
67
59
250
72
350
51
190
490
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至720 V
V
DD
= 450 V，I
D
= 13 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（参见图17）
V
DD
= 720 V，I
D
= 26 A,
V
GS
= 10V
（参见图20）
表9 ：源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 28 A，V
GS
= 0
I
SD
= 26 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 25°C
（参见图18）
I
SD
= 26 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 150°C
（参见图18）
1
18.9
36.6
1.33
25.2
37.8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
28
112
2
单位
A
A
V
s
C
A
s
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
3/10
STE30NK90Z
图3 ：安全工作区
图6 ：热阻抗
图4 ：输出特性
图7 ：传输特性
图5：跨导
图8 ：静态漏源导通电阻
4/10
STE30NK90Z
图9 ：栅极电荷VS栅源电压
图12 ：电容变化
图10 ：归一门Thereshold电压
年龄与温度
图13 ：归在电阻与温
perature
图11 ：源极 - 漏极二极管正向煤焦
Cucumis Sativus查阅全文
图14 ：归BVDSS与温度
5/10
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