【Ennnnn超前信息英特尔的StrataFlash 存储技术32和64 MBIT28F320J5和2】,IC型号E28F320J5-120,E28F320J5-120 PDF资料,E28F320J5-120经销商,ic,电子元器件-51电子网

超前信息

英特尔的StrataFlash 存储技术

32和64 MBIT

28F320J5和28F640J5

高密度对称阻止

架构

64 128字节擦除块（ 64 M）

32 128字节擦除块（ 32 ）

5 V V

手术

2.7 V的I / O有能力

配置x8或x16 I / O

120纳秒读取时间（ 32 M）

150纳秒读取时间（ 64 M）

增强的数据保护功能

绝对保护带

笔

= GND

灵活的块锁定

块擦除/编程锁定

电源转换期间

行业标准包装

μBGA *包装， SSOP和TSOP

包（ 32 M）

交叉兼容命令支持

英特尔基本命令集

通用闪存接口

可扩展的指令集

32字节的写缓冲区

每字节有效的6微秒

编程时间

640000总擦除周期（ 64 M）

320000总擦除周期（ 32 M）

每座万擦除周期

自动化暂停选项

块擦除挂起阅读

块擦除挂起到计划

系统性能增强

STS状态输出

英特尔的StrataFlash 内存闪存

技术

充分利用两个位每单元技术，英特尔的StrataFlash 存储产品提供2倍于1X的位

空间。提供64兆位（ 8兆字节）和32兆位（ 4兆字节）的密度，英特尔StrataFlash闪存设备

率先实现可靠的， 2位每单元存储技术闪存市场。

英特尔StrataFlash闪存的好处包括：多密度更小的空间，成本最低的每比特的NOR器件，

用于代码和数据存储，以及未来的器件容易迁移支持。

使用相同的基于NOR的ETOX 技术为Intel的1位每单元的产品，英特尔的StrataFlash

存储设备利用400万台的生产制造经验自1988年以来其结果是，

英特尔的StrataFlash部件是理想的代码或数据的应用中，高密度和低成本是

所需。例子包括网络，电信，音频录制，以及数字成像。

通过应用FlashFile 存储系列引脚配置，英特尔StrataFlash闪存组件可以方便的设计

从现有28F016SA / SV ， 28F032SA ，和字宽度FlashFile存储设备迁移（ 28F160S5

和28F320S5 ）。

英特尔StrataFlash闪存组件提供新一代的向前兼容的软件支持。通过

使用通用闪存接口（ CFI ）和可扩展指令集（ SCS ），客户可以充分

密度优势升级和未来的英特尔StrataFlash闪存设备进行了优化写入能力。

英特尔0.4微米ETOX V制程技术制造的英特尔StrataFlash闪存提供

最高级别的质量和可靠性。

1998年1月

订单号： 290606-004

本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或

否则，任何知识产权授予本文件。除英特尔的条款和条件提供

出售此类产品，英特尔概不承担任何责任，英特尔公司不对任何明示或暗示的担保，以

英特尔产品的销售和/或使用包括责任或与适合特定目的的适销性保证，或

侵犯任何专利，版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗，生活中使用

拯救或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

该28F320J5和28F640J4可能包含设计缺陷或勘误表错误。当前勘误表可

根据要求提供。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可能是

从获得的：

英特尔公司

P.O.箱5937

丹佛，科罗拉多80217-9808

或致电1-800-548-4725

或访问英特尔网站http://www.intel.com

CG-041493

*第三方品牌和名称均为其各自所有者的财产。

英特尔的StrataFlash 存储技术， 32和64 MBIT

页面

5.0设计考虑........................ 40

5.1三线输出控制.......................... 40

5.2 STS和块擦除，编程，和锁相

位配置轮询............................ 40

5.3电源去耦.......................... 40

5.4 V

, V

笔

， RP ＃转换........................ 40

5.5电/断电保护........................ 41

5.6功耗....................................... 41

6.0电气特性.................. 42

6.1绝对最大额定值........................ 42

6.2工作条件.................................. 42

6.3电容............................................... 42

6.4直流特性..................................... 43

6.5 AC特征 - 只读

Operations.................................................45

6.6 AC特征 - 写操作....... 48

6.7块擦除，编程和锁定位

配置性能........................ 51

7.0订购信息......................... 52

8.0其他信息...................... 53

1.0产品概述................................... 5

2.0操作原理..................... 11

2.1数据保护.......................................... 12

3.0总线操作......................................... 12

3.1阅读................................................ .......... 13

3.2输出禁止........................................... 13

3.3待机................................................ ...... 13

3.4复位/掉电.................................... 13

3.5读取查询............................................... 0.14

3.6读取识别码................................. 14

3.7写................................................ .......... 14

4.0命令定义............................ 14

4.1读阵列命令................................ 18

4.2读取查询模式命令..................... 18

4.2.1查询结构输出....................... 18

4.2.2查询结构概述................... 20

4.2.3模块状态寄存器.......................... 21

4.2.4 CFI查询标识字符串............. 22

4.2.5系统界面的信息............... 23

4.2.6设备几何定义................. 24

4.2.7主要厂商特有的扩展

查询表....................................... 25

4.3读取识别码命令............... 26

4.4读状态寄存器命令................ 27

4.5清除状态寄存器命令................ 27

4.6块擦除命令.............................. 27

4.7块擦除挂起命令................ 27

4.8写入buffer命令........................... 28

4.9字节/ Word程序命令................. 28

4.10配置命令........................... 29

4.11设置块和主锁位

Commands................................................29

4.12清除块锁定位命令.............. 30

超前信息

英特尔的StrataFlash 存储技术， 32和64 MBIT

科幻居雷什

图1.英特尔的StrataFlash 内存块

Diagram..............................................6

图2. μBGA *包装（ 64兆和32兆比特） 9

图3. TSOP铅配置（ 32兆位） ..10

图4. SSOP无铅配置（ 64兆位

和32兆位） ..................................... 11

图5.内存映射..................................... 12

图6.设备识别码存储器映射0.14

图7.写入到缓冲器流程图................... 34

图8.字节/ Word程序流程图.......... 35

图9块擦除流程图...................... 36

图10.块擦除挂起/恢复

Flowchart..........................................37

图11.设置块锁定位流程图........... 38

图12.清除块锁位流程图........ 39

图13.瞬态输入/输出参考

波形的V

CCQ

= 5.0 V ± 10%

（标准测试配置） ...... 45

图14.瞬态输入/输出参考

波形的V

CCQ

= 2.7 V3.6V .....45

图15.等效瞬态负载测试

电路............................................... 45

图16. AC波形进行读操作0.47

图17. AC波形的写操作0.49

图18. AC波形进行复位操作..50

表

表1.铅说明................................. 7

表2芯片使能真值表..................... 13

表3.公交运营................................... 15

表4.英特尔的StrataFlash 内存命令

集定义................................... 16

查询结构输出表5.总结为

设备和模式......... 19的功能

查询结构输出表6例

一个x16-和x8功能的设备........... 19

表7.查询结构.................................. 20

表8.模块状态寄存器......................... 21

表9. CFI鉴定................................ 22

表10.系统接口信息............ 23

表11.设备几何定义.............. 24

表12.主要供应商特定扩展

Query.................................................25

表13.标识符代码................................ 26

表14.写保护的替代品............ 30

表15.配置编码定义....... 31

表16.状态寄存器定义............... 32

表17.扩展状态寄存器Definitions33

修订历史

日期

调整

09/01/97

09/17/97

12/01/97

VERSION

-001

-002

-003

蓝本

修改用于支付表

/ GND引脚转换为无添加的连接规格变更

CCS

, I

CCD

, I

CCW

和我

CCE

补充规格变更

订购代码规格变更补充

该

μBGA *

晶片级封装在图2中变更为52球

包和相应的文档添加。 64兆

μBGA

封装尺寸分别如图2所示。图4改为改为

阅读SSOP ，而不是TSOP 。

描述

1/31/98

-004

超前信息

英特尔的StrataFlash 存储技术， 32和64 MBIT

个别块锁定使用位的组合，

阻止锁定位和主锁位，锁定和

解锁块。块锁定位闸块擦除

和编程操作，而主锁位

门挡锁位修饰。三个锁位

设置配置操作和清晰的锁定位

（设置块锁定位，设置主锁定位，并

清除块锁定位命令）。

状态寄存器指示当WSM的

块擦除，编程或锁定位配置

操作完成。

在STS （状态）输出提供了一个额外的

WSM活性的同时提供一个指标

状态的硬件信号（与软件查询）

和状态屏蔽（中断屏蔽

背景块擦除，例如）。状态

使用STS指示既减少了CPU

开销和系统的功耗。当

构造成在电平模式（缺省模式），它作为

一个RY / BY ＃引脚。当低， STS表示该

WSM正在执行块擦除，编程或

锁定位配置。 STS-高表明，

WSM是准备好一个新的指令，块擦除

暂停（与编程是不活动的），或

器件处于复位/掉电模式。另外，

配置命令允许STS引脚来

被配置为脉冲上完成

编程和/或块擦除操作。

三个CE引脚用来启用和禁用

装置。独特的CE逻辑设计（见表2 ，

芯片使能真值表

）降低了解码器逻辑

通常所需的多芯片设计。外

设计一个单芯片时不要求逻辑，

双芯片，或4-芯片微型卡或SIMM

模块。

该BYTE ＃引脚允许使用x8或x16的读/写

到设备。 BYTE ＃为逻辑低电平选择8位

模式;地址A

低字节之间进行选择

与高字节。 BYTE ＃为逻辑高电平使16位

操作;地址A

变为最低阶

地址和地址A

未使用（不关心）。一

设备的框图，如图1所示。

当该装置处于关闭状态（见表2 ，

芯片

启用真值表

）和RP ＃引脚为V

中，

待机模式下被启用。当RP ＃引脚为

GND ，进一步省电模式启用

最大限度地减少功耗，并提供

复位时写保护。复位时间（t

PHQV

)

从RP ＃需要切换到较高的输出

1.0产品概述

英特尔的StrataFlash 存储系列包含

高密度存储器组织为8 MB或

4 Mwords （ 64兆）和4 MB或2 Mwords

（32兆位）。这些设备可被访问的8位或

16位的字。 64兆位的设备被组织成

64 128千字节（ 131,072字节）擦除块

而32兆位器件包含32 128

字节擦除块。块选择性地与

单独上锁和解锁的系统。

请参阅图5中的存储器映射。

一个通用闪存接口（ CFI ）允许软件

要用于对整个家庭的算法

设备。这使得设备无关， JEDEC

号无关，并且向前和向后

指定闪存兼容的软件支持

器件系列。闪存厂商能够规范

他们的现有接口进行长期的兼容性。

可扩展指令集（ SCS ）允许一个单一的，

在所有的主机系统简单的软件驱动程序工作

与所有SCS兼容的闪存设备，

独立的系统级封装（例如

存储卡， SIMM ，或直接到板占位

换货）。此外， SCS提供最高的

系统/设备的数据传输速率和最小化

设备和系统级的实施成本。

A命令的用户界面（ CUI）作为

系统处理器之间的接口

该装置的内部操作。一个有效的命令

顺序写入崔启动装置

自动化。内部写状态机

（ WSM ）自动执行的算法和

必要的块擦除，编程和时序

锁位的配置操作。

块擦除操作会擦除设备中的一个

通常在一个二线128千字节块

独立于其他块。每个块可以是

独立擦除万次。块擦除

暂停模式允许系统软件暂停

块擦除读取或程序的任何数据

其他区块。

每个器件集成了一个写入缓冲

32个字节（ 16个字），以允许最佳

编程性能。通过使用写

缓冲器，数据编程在缓冲递增。

这一功能可以提升系统程序

高达20倍的非写性能

缓冲区写入。

超前信息

5伏英特尔的StrataFlash

内存

28F320J5和28F640J5 （ X8 / X16 ）

数据表

产品特点

高密度对称阻止

架构

- 64 128字节擦除块（ 64 M）

- 32 128字节擦除块（ 32 ）

4.5 V–5.5 V V

手术

- 2.7 V ， 3.6 V和4.5 V - 5.5 V的I / O

能

120纳秒读取时间（ 32 M）

150纳秒读取时间（ 64 M）

增强的数据保护功能

- 绝对有保障

笔

= GND

- 灵活的块锁定

- 块擦除过程/程序锁定

电源转换

行业标准包装

- SSOP封装（ 32 ， 64男）

TSOP封装（ 32 M）

交叉兼容命令支持

- 英特尔公司基本命令集

- 通用闪存接口

- 可扩展指令集

32字节的写缓冲区

- 每字节有效的编程6微秒

时间

640万总擦除周期（ 64 M）

320万总擦除周期（ 32 M）

每座100,000次擦写循环

自动化暂停选项

- 块擦除挂起阅读

- 块擦除挂起到计划

系统性能增强

- STS状态输出

工作温度-20° C至+ 85°C

（ -40 ° C至+85°C的0.25

微米ETOX六）

工艺技术部分）

充分利用两个位每单元技术， 5伏英特尔的StrataFlash

内存产品提供2倍的位

在1X的空间。提供64兆位（ 8兆字节）和32兆位（ 4兆字节）的密度，英特尔StrataFlash闪存

设备是在第一带上可靠， 2位每单元存储技术闪存市场。

英特尔StrataFlash闪存的好处包括：多密度更小的空间，成本最低的每比特的NOR器件，

用于代码和数据存储，以及未来的器件容易迁移支持。

使用相同的基于NOR的ETOX 技术为Intel的1位每单元的产品，英特尔的StrataFlash

存储设备利用400万台的生产制造经验自1988年以来其结果是，

英特尔的StrataFlash部件是理想的代码或数据的应用中，高密度和低成本是

所需。例子包括网络，电信，音频录制，以及数字成像。

英特尔StrataFlash闪存组件提供新一代的向前兼容的软件支持。

通过使用通用闪存接口（CFI ）和可扩展命令集（ SCS），客户可以利用

密度优势升级和未来的英特尔StrataFlash闪存设备进行了优化写入能力。

英特尔0.4微米ETOX V的工艺技术和英特尔的0.25微米ETOX VI制造

工艺技术， 5伏英特尔StrataFlash闪存提供质量和可靠性的最高水平。

注意：

本文件包含有关产品的生产信息。规格有

如有更改，恕不另行通知。验证与您当地的英特尔销售办事处，你有最新的

敲定一个设计之前的数据表。

订单号： 290606-015

2002年4月

本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，对任何知识产权

产权授予本文件。除非英特尔产品销售条款和此类产品的条件提供，英特尔不承担任何责任

无论如何，英特尔不做任何明示或暗示的担保，销售和/或使用英特尔产品，包括责任或有关的保证

适合特定目的的适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。英特尔产品不

设计用于医疗，救生或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

设计者不得依赖于任何功能或说明的缺失或特性标记"reserved"或"undefined."英特尔保留

今后对其定义的权利，对于因今后对其进行修改所产生的冲突或不兼容性概不负责。

该28F320J5和28F640J5可能包含勘误表的设计缺陷或错误，这可能导致产品与已出版的偏离

规格。最新的勘误表备索。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可致电1-800-得到

548-4725或访问英特尔网站http://www.intel.com 。

*其他名称和品牌可能是其他公司的财产。

数据表

28F320J5和28F640J5

1.0

2.0

3.0

产品概述

.......................................................................................................7

操作原理

..........................................................................................11

2.1

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

数据Protection....................................................................................................11

Read....................................................................................................................13

产量Disable.....................................................................................................13

待机...............................................................................................................13

复位/掉电............................................. ................................................ 13

阅读查询.........................................................................................................14

读取识别码............................................... ........................................... 14

写....................................................................................................................16

读阵列命令............................................... .......................................... 18

阅读查询模式命令.............................................. ............................... 18

4.2.1查询结构输出............................................ .............................. 19

4.2.2查询结构概述............................................ .......................... 20

4.2.3模块状态寄存器............................................ ................................. 21

4.2.4 CFI查询标识字符串........................................... .................... 21

4.2.5系统界面的信息............................................ ..................... 22

4.2.6设备几何定义............................................ ........................ 23

4.2.7初级供应商特定的扩展查询表.................................... 23

阅读标识符代码命令.............................................. .......................... 24

读状态寄存器命令.............................................. ........................... 25

清除状态寄存器命令.............................................. ........................... 25

块擦除命令............................................... ......................................... 26

块擦除挂起命令.............................................. .......................... 26

写入buffer命令.............................................. ...................................... 27

字节/ Word程序命令............................................. ............................ 27

配置命令................................................ ..................................... 28

定座和主锁定位命令.......................................... ............... 28

清除块锁定位命令............................................ ............................. 29

三线输出控制............................................. ...................................... 38

STS和块擦除，编程和锁定位配置轮询.................. 38

电源去耦............................................... .................................... 38

输入信号跳变 - 减少过冲和下冲时使用

缓冲器/收发器............................................... ............................................ 39

, V

笔

， RP ＃转换.............................................. .................................. 39

上电/下保护............................................ ..................................... 39

动力Dissipation................................................................................................40

绝对最大额定值............................................... .................................. 40

总线操作

............................................................................................................12

4.0

命令德网络nitions

.............................................................................................17

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

4.7

4.8

4.9

4.10

4.11

4.12

5.0

设计注意事项

..........................................................................................38

5.1

5.2

5.3

5.4

5.5

5.6

5.7

6.0

电气规格

........................................................................................40

6.1

数据表

28F320J5和28F640J5

6.2

6.3

6.4

6.5

6.6

6.7

工作条件................................................ .......................................... 40

电容........................................................................................................ 41

直流特性................................................ .............................................. 41

交流特性 - 只读操作........................................... ............ 44

AC特征 - 写操作............................................. .................. 46

块擦除，编程和锁定位配置性能....................... 49

7.0

8.0

订购信息

.............................................................................................. 50

附加信息

........................................................................................... 51

数据表

28F320J5和28F640J5

修订历史

日期

调整

09/01/97

09/17/97

12/01/97

VERSION

-001

-002

-003

蓝本

修改用于支付表

/ GND引脚转换为无连接规格变更

额外

CCS

, I

CCD

, I

CCW

我

CCE

规格变更

额外

订购代码规格变更

额外

的μBGA *晶片级封装在图2中变更为52球包

和适当的文件添加。 64 -MB μBGA封装尺寸

如图2改图4分别改为SSOP ，而不是TSOP 。

32 - Mbit的英特尔StrataFlash闪存的读取访问时添加。数

块擦除周期被改变。写缓存器程序时间改变。

操作温度改变。读参数加入。 Sev-

全部擦除编程，擦除和锁定位的规格发生了变化。轻微的文档

心理状态进行了更改也是如此。从数据表名称变更

推进信息初步。

英特尔StrataFlash闪存32兆位μBGA包装中取出。吨

EHEL

阅读specifi-

阳离子减少。表4被修改。该

订购信息

已更新。

除去32兆， 100 ns的参考和订购信息相同。亲

vided更清晰的V

规格。提供最大编程/擦除规范

化。额外

输入信号跳变，减少过冲和下冲

使用缓冲器/收发器时，

设计注意事项

部分。

文件名从改变

英特尔的StrataFlash 内存技术32

和64兆比特。

更新CFI表，第4.2.1节，第4.2.7节。

工作温度范围规范升高至-20℃至

+ 85 ° C的32 - Mbit的读访问，在85 ℃的变化（第6.5节，

特点 - 只读操作）。

修改的写入脉冲宽度的定义

添加锁位的默认状态（第4.11节）

加入顺序码资料-20 ° C至+85°C

修改芯片使能真值表

在命令表纠正错误

除去排队擦除选项从图9 ，块擦除流程图

添加引用到0.25微米工艺上封面

在表10中纠正错误，最大缓冲区写入时间。

更新了部分6.7编程/擦除次数。

在表19的最高温度范围内校正误差

更改清除块锁定位时间6.7节。

增加了0.25

微米ETOX六，工艺技术订购信息

除去μBGA CSP信息

描述

01/31/98

-004

03/23/98

-005

07/13/98

12/01/98

-006

-007

05/04/99

09/16/99

-008

-009

10/20/99

-010

11/08/99

12/16/99

06/26/00

-011

-012

-013

03/28/01

04/23/02

-014

-015

数据表