【Ennnnn超前信息SMART 5 BOOT BLOCK闪存系列2，4， 8 MBIT28F200B】,IC型号E28F200B5T80,E28F200B5T80 PDF资料,E28F200B5T80经销商,ic,电子元器件-51电子网

超前信息

SMART 5 BOOT BLOCK

闪存系列

2，4， 8 MBIT

28F200B5 ， 28F400B5 ， 28F800B5 ， 28F004B5

SmartVoltage技术

智能闪光5 ： 5 V读取，

5 V或12 V写操作

增加吞吐量编程

在12 V V

极高性能的读取

2-， 4兆位： 60 ns访问时间

8兆位： 70 ns访问时间

X8或x8 / x16的可配置数据总线

低功耗

最大60毫安读取电流在5 V

自动省电： <1毫安典型

待机电流

优化阵列无阻塞架构

16 KB保护的引导块

两个8 KB参数块

96 KB和128 KB的主块

顶部或底部启动位置

扩展温度操作

-40 ° C至+85°C

行业标准包装

40 ， 48引脚TSOP ， 44引脚PSOP

扩展块擦除循环

100,000次在商业温度

10000次在扩展级温度

硬件数据保护功能

绝对的硬件保护

BOOT BLOCK

电源在写锁定

TRANSITIONS

自动字/字节编程和

块擦除

命令的用户界面

状态寄存器

擦除挂起功能

SRAM兼容写接口

复位/深度掉电输入

提供低功耗模式和

重置启动操作

兼容的引脚排列2 ， 4 ， 8兆

ETOX 闪存技术

0.6

ETOX IV初始生产

0.4

ETOX V后来生产

英特尔的智能5引导块闪存系列提供2,4和8 - Mbit的存储器具有高密度，

低成本，非易失性读/写存储解决方案的应用范围广泛。他们asymmetrically-

阻塞体系结构，灵活的电压，并延长循环提供一种适合于高柔性部件

嵌入代码执行的应用程序，例如网络基础设施和办公自动化。

基于英特尔的引导块架构，智能5引导块存储系列可快速，轻松

升级为要求国家的最先进的技术设计。该系列产品配备的业界

标准封装： 40引脚TSOP非常空间受限的8位应用的48引脚TSOP ，非常适合

董事会约束更高性能的16位应用程序，并且坚固耐用，易于处理44引脚PSOP 。

1997年12月

订单号： 290599-004

本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或

否则，任何知识产权授予本文件。除英特尔的条款和条件提供

出售此类产品，英特尔概不承担任何责任，英特尔公司不对任何明示或暗示的担保，以

英特尔产品的销售和/或使用包括责任或与适合特定目的的适销性保证，或

侵犯任何专利，版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗，生活中使用

拯救或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

该28F200B5 ， 28F400 / 004B5 ， 28F800B5可能包含设计缺陷或错误勘误表。最新的勘误表

可应要求提供。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可能是

从获得的：

英特尔公司

P.O.箱5937

丹佛，科罗拉多80217-9808

或致电1-800-548-4725

或访问英特尔网站http://www.intel.com

CG-041493

*第三方品牌和名称均为其各自所有者的财产。

SMART 5 BOOT BLOCK Memory系列

页面

4.0设计考虑........................ 24

4.1功耗................................... 24

4.1.1有功功率....................................... 24

4.1.2自动省电（ APS ） ......... 24

4.1.3备用电源.................................... 25

4.1.4深度掉电模式..................... 25

4.2电/缩小操作......................... 25

4.2.1 RP ＃连接到系统复位........ 25

4.3电路板设计............................................. 25

4.3.1电源去耦.................... 25

4.3.2 VPP跟踪印刷电路板... 25

5.0电气特性.................. 26

5.1绝对最大额定值........................ 26

5.2工作条件.................................. 26

5.3电容............................................... 27

5.4直流特性，商业和

扩展温度.............................. 27

5.5交流特性，读取操作 -

商业和扩展温度... 31

5.6擦除和编程时序，商业

和扩展级温度....................... 32

5.7交流特性 - 写操作 -

商业和扩展温度... 33

6.0订购信息.......................... 35

7.0其他信息....................... 36

附录A ：写状态机：电流 -

下一个状态图.......................................... 37

附录B ：产品结构图.............. 38

1.0简介............................................. 5

1.1的智能5内存新特性

Products......................................................5

1.2产品概述......................................... 5

2.0产品说明.............................. 6

2.1引脚说明........................................... 6

2.2引脚分配................................................ ......... 8

2.3内存阻断组织................... 10

2.3.1一个16 KB的引导块......................... 10

2.3.2两个8 KB参数块................ 10

2.3.3主要模块 - 一个96 - KB +其他

128 - KB块.................................... 10

操作3.0原理..................... 13

3.1总线操作.......................................... 13

3.1.1读.............................................. ...... 13

3.1.2输出禁止..................................... 14

3.1.3待机.............................................. 0.14

3.1.4字/字节配置...................... 14

3.1.5深度掉电/复位.................... 14

3.1.6写.............................................. ...... 14

操作.................................... 16 3.2模式

3.2.1读阵列.......................................... 16

3.2.2读取识别..................................... 16

3.2.3读状态寄存器.......................... 16

3.2.4字/字节编程............................. 17

3.2.5块擦除......................................... 17

3.3引导块锁定.................................... 23

3.3.1 V

= V

为完整的保护....... 24

3.3.2 WP ＃ = V

为引导块锁定....... 24

3.3.3 RP ＃ = V

或WP ＃ = V

为引导块

解锁........................................... 24

3.3.4注8 - Mbit的44 - PSOP封装...... 24

超前信息

SMART 5 BOOT BLOCK Memory系列

描述

修订历史

数

-001

-002

蓝本

在整个文档中细微的变化。

第3.1.5节和图14重做澄清编程/擦除操作中止。

添加到表2的信息，如图1和第3.3节澄清WP ＃ 8兆位，

44-PSOP.

读取和写入波形改变为编号的格式。

从直流特性和擦除/编程时序去除典型的数字。

次要文本更改整个文档。

图1中， 44 PSOP引脚排列：错在引脚3上的2 - Mbit的引脚排列从A修正

到NC 。

规格吨

EHQZ

和T

GHQZ

改进。

编程/擦除的说明中止返工表6所示，命令的命令

码。

添加规格28F004B5 40 - TSOP版本;擦除挂起文字和

流程图更新的清晰度（第3.2.5.1 ，表6 ，图10 ）

-003

-004

超前信息

1.0

1.1

SMART 5 BOOT BLOCK Memory系列

需要一个延迟，如果该部分中的复位

正在进行中的编程或擦除操作。

上飞字字节模式切换无

不再支持。字字节模式必须

在加电时配置并保持稳定

在操作过程中。

写操作不再指定

WE＃ - 或CE ＃ -controlled ，取而代之的是更简单

“统一”写入方法，它是兼容

与任老的方法。

介绍

该数据表包含规范2-，4- ，

和8兆位智能5引导块闪速存储器。

第1.0节提供了一个功能概述。节

2.0 ，3.0和4.0描述的产物和

功能。第5.0节详细介绍了电气和

定时规范的商业和

宽温操作。最后，第

6.0和7.0提供订购和参考

信息。

在新功能

5智能存储器产品

1.2

产品概述

智能5引导块闪存系列报价

相同的功能与BV / CV / BE / CE

SmartVoltage产品，除了智能5引导

阻止-B5部分只支持5 V V

读取电压。

以下区别区分智能5

从他们的前辈引导块产品：

智能5引导块存储系列产品提供

在的引脚兼容型快闪记忆体

2-，4-，和8-兆位密度。该28F200B5 ，

28F400B5和28F800B5可以被配置为

操作或者在16位或8位总线模式中，与

数据分为单独擦除块。该

28F004B5提供了一个紧凑的8位操作

封装。

表1.智能5引导块系列：功能概括

特征

读取电压

程序/擦除电压

总线宽度

速度快（纳秒）

EXTENDED

内存布局

闭塞

BOOT

参数

主

启动位置

锁定

工作温度

擦除循环

套餐

8位或16位

28F200B5

28F400B5

28F800B5

28F004B5

参考

第5.2节

8-bit

60, 80

无法使用

X8 ： 512K ×8

1 ×16 KB

2 ×8 KB

1 ×96 KB

3× 128 KB

第2.3节，

图。 4-7

表2

第5.6节

5 V

5%, 5 V

10%

5 V

10％或12伏

5 ％，自动检测

8位或16位

70, 90

60, 80

X8 ： 256K ×8

X8 ： 512K ×8

X8 ： 1M ×8

X16 ： 128K ×16 X16 ： 256K ×16 X16 ： 512K ×16

1 ×16 KB

2 ×8 KB

1 ×96 KB

1 ×128 KB

1 ×16 KB

2 ×8 KB

1 ×96 KB

3× 128 KB

1 ×16 KB

2 ×8 KB

1 ×96 KB

7 ×128 KB

提供顶部或底部启动位置

使用WP ＃和/或RP ＃引导块可锁定

所有其他受保护块采用V

开关

商业： 0 °C - + 70

°C,

扩展： -40°C - + 85

°C

10万次，在商业， 10000次在扩展

44 PSOP ， 48 TSOP

40-TSOP

图。 1-2

第3.3节

第5.2节

超前信息

初步

5 VOLT BOOT BLOCK

FL灰内存

28F200B5 ， 28F004 / 400B5 ， 28F800B5 （ X8 / X16 ）

SmartVoltage技术

5伏引导块闪存：

5 V读取， 5 V或12 V写操作

增加吞吐量编程

在12 V V

极高性能的读取

2-， 4兆位： 55 ns访问时间

8兆位： 70 ns访问时间

X8或x8 / x16的可配置数据总线

低功耗

最大60毫安读取电流在5 V

自动省电： <1毫安典型

待机电流

优化阵列无阻塞架构

16 KB保护的引导块

两个8 KB参数块

96 KB和128 KB的主块

顶部或底部启动位置

扩展温度操作

-40 ° C至+85°C

行业标准包装

40 ， 48引脚TSOP ， 44引脚PSOP

扩展块擦除循环

100,000次在商业温度

10000次在扩展级温度

30,000次的参数块

1000环的主块在

汽车温度

硬件数据保护功能

绝对的硬件保护

BOOT BLOCK

电源在写锁定

TRANSITIONS

自动字/字节编程和

块擦除

命令的用户界面

状态寄存器

擦除挂起功能

SRAM兼容写接口

复位/深度掉电输入

提供低功耗模式和

重置启动操作

兼容的引脚排列2 ， 4 ， 8兆

ETOX 闪存技术

0.6

ETOX IV初始生产

0.4

ETOX V后来生产

英特尔

5伏引导块闪存系列提供2,4和8 - Mbit的存储器具有高

密度，低成本，非易失性读/写存储解决方案的应用范围广泛。其

不对称封端的体系结构，灵活的电压，并延长循环提供高度灵活的

适于嵌入代码执行的应用程序，例如网络基础设施和办公组件

自动化。

基于Intel

引导块架构， 5伏引导块闪存系列可快速，轻松

升级为要求国家的最先进的技术设计。该系列产品配备的业界

标准封装： 40引脚TSOP非常空间受限的8位应用的48引脚TSOP ，非常适合

董事会约束更高性能的16位应用程序，并且坚固耐用，易于处理44引脚PSOP 。

注意：

本文原名

智能5引导块闪存系列2 ， 4 ， 8兆比特

1999年6月

订单号： 290599-007

本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或

否则，任何知识产权授予本文件。除英特尔的条款和条件提供

出售此类产品，英特尔概不承担任何责任，英特尔公司不对任何明示或暗示的担保，以

英特尔产品的销售和/或使用包括责任或与适合特定目的的适销性保证，或

侵犯任何专利，版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗，生活中使用

拯救或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

该28F200B5 ， 28F0040 / 400B5 ， 28F800B5可能包含设计缺陷或错误勘误表。目前已确定

勘误表备索。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可能是

从获得的：

英特尔公司

P.O.箱5937

丹佛，科罗拉多80217-9808

或致电1-800-548-4725

或访问英特尔网站http://www.intel.com

CG-041493

*其他品牌和名称是其各自所有者的财产。

28F200B5 ， 28F004 / 400B5 ， 28F800B5

页面

4.2电/缩小操作........................ 25

4.2.1 RP ＃接到系统复位...... 25

4.3电路板设计............................................. 25

4.3.1电源去耦................... 25

4.3.2 V

跟踪印刷电路板... 25

5.0电气特性................. 26

5.1绝对最大额定值....................... 26

5.2工作条件................................. 26

5.3电容.............................................. 27

5.4直流特性，商业和

扩展温度............................. 27

5.5直流特性 - 汽车

温度............................................. 29

5.6交流特性，读取操作 -

商业和扩展温度34 ..

5.7交流特性，读取操作 -

汽车温度.......................... 35

5.8擦除和编程时序，商业

和扩展级温度...................... 36

5.9擦除和编程时序，汽车

温度............................................. 37

5.10 AC特征 - 写操作 -

商业和扩展温度38 ..

5.11 AC特征 - 写操作 -

汽车温度.......................... 39

6.0订购信息......................... 41

7.0其他信息...................... 42

附录A ：写状态机：电流 -

下一个状态图......................................... 43

附录B ：产品结构图............. 44

1.0简介.............................................. 5

1.1产品概述......................................... 5

2.0产品说明.............................. 6

2.1引脚说明........................................... 6

2.2引脚分配................................................ ......... 8

2.3内存阻断组织................... 10

2.3.1一个16 KB的引导块......................... 10

2.3.2两个8 KB参数块................ 10

2.3.3主要模块 - 一个96 - KB +其他

128 - KB块.................................... 10

操作3.0原理..................... 13

3.1总线操作.......................................... 13

3.1.1读.............................................. ...... 13

3.1.2输出禁止..................................... 14

3.1.3待机.............................................. 0.14

3.1.4字/字节配置...................... 14

3.1.5深度掉电/复位.................... 14

3.1.6写.............................................. ...... 14

操作.................................... 16 3.2模式

3.2.1读阵列.......................................... 16

3.2.2读取识别..................................... 16

3.2.3读状态寄存器........................... 16

3.2.4字/字节编程............................. 17

3.2.5块擦除......................................... 17

3.3引导块锁定..................................... 24

3.3.1 V

= V

为完整的保护........ 24

3.3.2 WP ＃ = V

为引导块锁定........ 24

3.3.3 RP ＃ = V

或WP ＃ = V

为引导块

解锁........................................... 24

3.3.4注意对于8 - Mbit的44 - PSOP封装..... 24

4.0设计考虑........................ 24

4.1功耗................................... 24

4.1.1有功功率....................................... 24

4.1.2自动省电（ APS ） ......... 24

4.1.3备用电源.................................... 25

4.1.4深度掉电模式..................... 25

初步

28F200B5 ， 28F004 / 400B5 ， 28F800B5

描述

修订历史

数

-001

-002

蓝本

在整个文档中细微的变化。

第3.1.5节和图14重做澄清编程/擦除操作中止。

添加到表2的信息，如图1和第3.3节澄清WP ＃ 8兆位，

44-PSOP.

读取和写入波形改变为编号的格式。

从直流特性和擦除/编程时序去除典型的数字。

次要文本更改整个文档。

图1中， 44 PSOP引脚排列：错在引脚3上的2 - Mbit的引脚排列从A修正

到NC 。

规格吨

EHQZ

和T

GHQZ

改进。

编程/擦除的说明中止返工表6所示，命令的命令

码。

添加规格28F004B5 40 - TSOP版本;擦除挂起文字和

流程图更新的清晰度（第3.2.5.1 ，表6 ，图10 ）

加入TE28F004B5提供的产品订购信息图表。

增加了55纳秒的速度能力为2和4 - Mbit的器件。

修订后的我

CCD

最大值。

文件名从改变

智能5引导块闪存系列2 ， 4 ， 8

兆比特。

-006

-007

增加了汽车级温度产品供应。

修改后的文档显示新8兆位， 80 ns的汽车级温度产品

产品。

-003

-004

-005

初步

1.0

总线宽度

速度快（纳秒）

28F200B5 ， 28F004 / 400B5 ， 28F800B5

介绍

1.1

产品概述

该数据表包含规范2-，4- ，

和8 - Mbit的5伏引导块闪存。

第1.0节提供了一个功能概述。节

2.0 ，3.0和4.0描述的产物和

功能。第5.0节详细介绍了电气和

定时规范的商业和

宽温操作。最后，第

6.0和7.0提供订购和参考

信息。

5伏引导块闪存系列

在提供的引脚兼容型快闪记忆体

2-，4-，和8-兆位密度。该28F200B5 ，

28F400B5和28F800B5可以被配置为

操作或者在16位或8位总线模式中，与

数据分为单独擦除块。该

28F004B5提供了一个紧凑的8位操作

封装。

表1. 5伏引导块闪存引导块系列：功能概括

特征

读取电压

程序/擦除电压

8位或16位

EXTENDED

汽车

内存布局

闭塞

BOOT

参数

主

启动位置

锁定

工作温度

擦除循环

28F200B5

28F400B5

28F800B5

28F004B5

参考

第5.2节

8-bit

60, 80

不适用

X8 ： 512K ×8

1 ×16 KB

2 ×8 KB

1 ×96 KB

3× 128 KB

第2.3节，

图。 4-7

表2

第5.6节

第5.7节

5 V

5%, 5 V

10%

5 V

10％或12伏

5 ％，自动检测

8位或16位

70, 90

80, 90

(1)

, 80

X8 ： 256K ×8

X8 ： 512K ×8

X8 ： 1M ×8

X16 ： 128K ×16 X16 ： 256K ×16 X16 ： 512K ×16

1 ×16 KB

2 ×8 KB

1 ×96 KB

1 ×128 KB

1 ×16 KB

2 ×8 KB

1 ×96 KB

3× 128 KB

1 ×16 KB

2 ×8 KB

1 ×96 KB

7 ×128 KB

提供顶部或底部启动位置

使用WP ＃和/或RP ＃引导块可锁定

所有其他受保护块采用V

开关

商业： 0 °C - + 70

°C,

扩展： -40°C - + 85

°C,

汽车-40°C - + 125

°C

10万次，在商业， 10000次的扩展，

30,000次的参数块

和

1000个周期，在汽车主引导块

44 PSOP ， 48 TSOP

40-TSOP

图。 1-2

第3.3节

第5.2节

套餐

注意：

1.本文件发布之日起，并不是所有28F200B5 -60器件符合55纳秒读取规范。请参考

到5伏引导块闪存系列28F200B5 ， 28F004 / 400B5 ， 28F800B5规格更新，以确定

具体28F200B5 -T / B60材料，其能够为55 ns的读访问时间。所有其他28F200B5 T / B60德维克是

可60纳秒读取访问时间，当VCC = 5V ± 5 ％和30 pF负载。

此产品2.汽车版本仅提供28F200B5 ， 28F400B5和28F800B5 ，并且只提供了

44引脚PSOP封装。

初步