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HEXFET

ê 24N

功率MOSFET

l

l

l

l

l

先进的工艺技术

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

D

V

DSS

= 55V

G

S

R

DS （ ON）

= 0.07

I

D

= 17A

描述

第五代

功率MOSFET

从

国际整流器利用先进的加工

技术，以实现尽可能低的导通电阻

每硅片面积。这样做的好处，结合快速

开关速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET

功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用在各种各样的一个非常有效的装置，用于使用

的应用程序。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平到约50瓦。在低热阻

和TO- 220封装低的成本导致其广泛

接受整个行业。

HEXFET

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝。

马克斯。

17

12

68

45

0.30

±20

71

10

4.5

5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

分钟。

––––

––––

––––

典型值。

––––

0.50

––––

马克斯。

3.3

––––

62

单位

° C / W

1

HEXFET

ê 24N

功率MOSFET

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

55

–––

–––

2.0

4.5

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

0.052

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

4.9

34

19

27

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.07

V

GS

= 10V ，我

D

= 10A

4.0

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 10A

25

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 44V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 20V

nA

-100

V

GS

= -20V

20

I

D

= 10A

5.3

nC

V

DS

= 44V

7.6

V

GS

= 10V ，参照图6和13

–––

V

DD

= 28V

–––

I

D

= 10A

ns

–––

R

G

= 24

–––

R

D

= 2.6Ω ，参照图10

铅之间，

4.5 –––

6毫米（0.25英寸）。

nH

从包

–––

7.5 –––

而中心的模具接触

370 –––

V

GS

= 0V

140 –––

pF

V

DS

= 25V

65 –––

= 1.0MHz的，见图。五

D

G

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

56

120

17

A

68

1.3

83

180

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 10A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 10A

的di / dt = 100A / μs的

D

G

S

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

I

SD

≤

图10A中， di / dt的

≤

280A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

V

DD

= 25V ，起始物为

J

= 25℃时，L = 1.0mH

R

G

= 25, I

AS

= 10A 。（参见图12）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

2

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