CHIPDATEN /冲模数据
( Mechanisch - TECHNISCHE Kenndaten /机械技术特性数据)
E113x
筹码相对3x3mm的压力传感器
晶圆直径
模具尺寸
正面金属化
钝化
芯片背面
模具厚度
切割
在直径垫尺寸
焊盘间距
后孔最大直径
150mm / 6“
3毫米×3mm的
铝
氧化/ CVD氮化物/等离子氮化物/ EPOS
硅
850 ± 100 m
锯切
200 m
500 m
1,2毫米(典型值0.9毫米)
剖面图:
(不按比例)
氧化物,氮化物CVD
外延层/
压电电阻器
systemchip
AuSi等 - 合金
约束
芯片
等离子氮化
EPOS金属化
正面:
V
in
+
V
OUT
+
基板
基板
V
OUT
-
V
in
-
V
OUT
-
V
in
+
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( Mechanisch - TECHNISCHE Kenndaten /机械技术特性数据)
E113x
电气特性为3x3mm的压力传感器芯片
在T电气特性= 25°C
参数
桥电阻( 1 )
输出电压(2)
E1139R
击穿电压( 3 )
泄漏电流(4 )
VBR
IR
符号
RB
VOUT
-25
20
0
25
100
20
V
nA
民
4
最大单位
8
千欧
mV
测试条件
( 1 )电桥电阻测量垫1和4之间, VIN = 5V
(2 )输出电压的测量是在相对压力p = 0千帕垫2间( E113xR ) (Ⅴ
OUT
+)
和垫5 (Ⅴ
OUT
- )与V
in
+ = 5V. V
in
- 接地。
( 3 )击穿电压: 1,2,4,5垫接地。使用100μA的垫之间的恒定电流
3 (加号)和接地(负极)的击穿电压的测量垫3和地之间。
(4)泄漏电流:垫1,2,4,5都被短路。反向偏压VR = 20V应用
间垫3 (加号)和接地(负极) 。红外光谱是接地(负极)和垫之间测量
1,2,4,5.
英飞凌
V
in
+
V
in
+
1
2
V
OUT
+
基板
4
V
in
-
V
OUT
-
基板
3
V
OUT
-
5
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( Mechanisch - TECHNISCHE Kenndaten /机械技术特性数据)
E113x
的3x3mm的压力传感器芯片的典型数据
在T典型的电气特性= 25°C
芯片
E1132R
E1133R
E1134R
E1135R
E1136R
压力
范围
PN (千帕)
60
160
400
1000
2500
灵敏度
秒( mV / V的/ kPa)的
0,4300
0,2000
0,1100
0,0520
0,0210
满量程
P = PN , VIN = 5V
Vfin (毫伏)
130
160
220
260
260
线性
错误
FL ( % / Vfin )
+- 0,3
+- 0,3
+-0,3
+-0,3
+-0,3
参数
失调电压(P = P0 , VIN = 5V )
压力滞后(1)
符号
V0
PH
(典型值) 。单位
+ - 10毫伏
+- 0,1 % / K
输出电压的(1)改变在大气压力的压力周期为P后
N
.
典型的温度特性
需要注意的是温度系数和-hysteresis偏移量和跨度都强烈地依赖于
该传感器的安装。
参数
跨度温度系数( 1 )
的温度系数的偏移(1 )
E1132 ... 6 R
E1137 ... 9 R
电桥电阻的温度系数( 2)
Termperature滞后( 3)
符号
TC Vfin
TC V0
典型值。
单位
%/K
-0,17 % / K
+- 0,02
+- 0,01
TC RB
TH
+0,26 % / K
+ - 0.2 % / Vfin
(1)变化的V形翅片值介于25 ℃和125 ℃的相对Vfin (25 ℃)下
(2)变化以RB的值在25° C和125°C的相对的RB (25 ℃)下
( 3 )改变V0 ( 25 ° C)或Vfin ( 25 ° C)温度循环后, 25 °C - 125°C - 25°C时相对Vfin ( 25 ° C)
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