CHIPDATEN /冲模数据
（ Mechanisch - TECHNISCHE Kenndaten /机械技术特性数据）
E113x
筹码相对3x3mm的压力传感器
晶圆直径
模具尺寸
正面金属化
钝化
芯片背面
模具厚度
切割
在直径垫尺寸
焊盘间距
后孔最大直径
150mm / 6“
3毫米×3mm的
铝
氧化/ CVD氮化物/等离子氮化物/ EPOS
硅
850 ± 100 m
锯切
200 m
500 m
1,2毫米（典型值0.9毫米）
剖面图：
（不按比例）
氧化物，氮化物CVD
外延层/
压电电阻器
systemchip
AuSi等 - 合金
约束
芯片
等离子氮化
EPOS金属化
正面：
V
in
+
V
OUT
+
基板
基板
V
OUT
-
V
in
-
V
OUT
-
V
in
+
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（ Mechanisch - TECHNISCHE Kenndaten /机械技术特性数据）
E113x
电气特性为3x3mm的压力传感器芯片
在T电气特性= 25°C
参数
桥电阻（ 1 ）
输出电压（2）
E1139R
击穿电压（ 3 ）
泄漏电流（4 ）
VBR
IR
符号
RB
VOUT
-25
20
0
25
100
20
V
nA
民
4
最大单位
8
千欧
mV
测试条件
（ 1 ）电桥电阻测量垫1和4之间， VIN = 5V
（2 ）输出电压的测量是在相对压力p = 0千帕垫2间（ E113xR ） （Ⅴ
OUT
+)
和垫5 （Ⅴ
OUT
- ）与V
in
+ = 5V. V
in
- 接地。
（ 3 ）击穿电压： 1,2,4,5垫接地。使用100μA的垫之间的恒定电流
3 （加号）和接地（负极）的击穿电压的测量垫3和地之间。
（4）泄漏电流：垫1,2,4,5都被短路。反向偏压VR = 20V应用
间垫3 （加号）和接地（负极） 。红外光谱是接地（负极）和垫之间测量
1,2,4,5.
英飞凌
V
in
+
V
in
+
1
2
V
OUT
+
基板
4
V
in
-
V
OUT
-
基板
3
V
OUT
-
5
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（ Mechanisch - TECHNISCHE Kenndaten /机械技术特性数据）
E113x
的3x3mm的压力传感器芯片的典型数据
在T典型的电气特性= 25°C
芯片
E1132R
E1133R
E1134R
E1135R
E1136R
压力
范围
PN （千帕）
60
160
400
1000
2500
灵敏度
秒（ mV / V的/ kPa）的
0,4300
0,2000
0,1100
0,0520
0,0210
满量程
P = PN ， VIN = 5V
Vfin （毫伏）
130
160
220
260
260
线性
错误
FL （ ％ / Vfin ）
+- 0,3
+- 0,3
+-0,3
+-0,3
+-0,3
参数
失调电压（P = P0 ， VIN = 5V ）
压力滞后（1）
符号
V0
PH
（典型值） 。单位
+ - 10毫伏
+- 0,1 % / K
输出电压的（1）改变在大气压力的压力周期为P后
N
.
典型的温度特性
需要注意的是温度系数和-hysteresis偏移量和跨度都强烈地依赖于
该传感器的安装。
参数
跨度温度系数（ 1 ）
的温度系数的偏移（1 ）
E1132 ... 6 R
E1137 ... 9 R
电桥电阻的温度系数（ 2）
Termperature滞后（ 3）
符号
TC Vfin
TC V0
典型值。
单位
%/K
-0,17 % / K
+- 0,02
+- 0,01
TC RB
TH
+0,26 % / K
+ - 0.2 ％ / Vfin
（1）变化的V形翅片值介于25 ℃和125 ℃的相对Vfin （25 ℃）下
（2）变化以RB的值在25° C和125°C的相对的RB （25 ℃）下
（ 3 ）改变V0 （ 25 ° C）或Vfin （ 25 ° C）温度循环后， 25 °C - 125°C - 25°C时相对Vfin （ 25 ° C）
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