DZT955
低V
CE （ SAT ）
PNP表面贴装晶体管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
外延平面片建设
非常适合于自动装配程序
适用于中等功率开关或放大应用
铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）
"Green"设备（注2 ）
SOT-223
新产品
机械数据
案例： SOT- 223
外壳材料：模压塑料， "Green “模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：完成 - 雾锡比退火铜引线框架
（无铅电镀） 。每MIL -STD- 202方法208
标识信息：请参阅第4页
订购信息：见第4页
重量： 0.115克（近似值）
3 E
C 4
2 C
1 B
顶视图
集热器
2,4
1
BASE
3
辐射源
原理图和引脚配置
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
价值
-180
-140
-6
-4
-10
单位
V
V
V
A
A
特征
热特性
特征
功率耗散（注3 ） @ T
A
= 25°C
热阻，结到环境空气（注3 ） @ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
注意事项：
1.
2.
3.
符号
P
D
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
价值
1
125
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
没有故意添加铅。
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
设备安装在FR- 4印刷电路板;如图4页或二极管Inc.的焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ，它可以
在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
DS31280修订版2 - 2
1 4
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电气特性
特征
开关特性（注4 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
民
-180
-140
-6
100
100
75
典型值
10
150
40
85
430
最大
-50
-1
-10
-60
-120
-150
-370
-1110
-950
300
单位
V
V
V
nA
μA
nA
测试条件
I
C
= -100μA ，我
E
= 0
I
C
= -10mA ，我
B
= 0
I
E
= -100μA ，我
C
= 0
V
CB
= -150V ，我
E
= 0
V
CB
= -150V ，我
E
= 0,
T
A
= 100°C
V
EB
= - 6V ，我
C
= 0
B
新产品
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征（注4 ）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极导通电压
直流电流增益
小信号特性
电流增益带宽积
输出电容
开关特性
开关时间
注意事项：
4.
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
mV
mV
mV
I
C
= -100mA ，我
B
= -5mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA
I
C
= -3A ，我
B
= -300mA
I
C
= -3A ，我
B
= -300mA
I
C
= -3A ，V
CE
= -5V
I
C
= -10mA ，V
CE
= -5V
I
C
= -1A ，V
CE
= -5V
I
C
= -3A ，V
CE
= -5V
I
C
= -10A ，V
CE
= -5V
B
B
B
B
B
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
兆赫
pF
ns
I
C
= -100mA ，V
CE
= -10V,
F = 100MHz的
V
CB
= -20V ， F = 1MHz的
I
C
= -1A ，我
B1
= -100mA
I
B2
= 100mA时V
CC
= -50V
脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%.
1.0
P
D
，功耗（毫瓦）
0.8
I
B
= -5mA
0.8
-I
C
，集电极电流（ A）
0.6
I
B
= -4mA
0.6
0.4
I
B
= -3mA
0.4
I
B
= -2mA
0.2
I
B
= -1mA
0.2
0
25
50
150
100
125
75
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1最大功率耗散与环境温度
0
0
1
2
3
4
5
-V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图。 2典型的集电极电流与集电极 - 发射极电压
0
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350
300
250
200
150
100
50
0
0.001
0.3
-V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
0.01
0.1
1
10
0.2
新产品
0.1
0
0.001
0.01
0.1
1
10
-I
C
，集电极电流（ A）
图。 4典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
-V
BE（上）
，基极发射极导通电压（V ）
-V
BE （ SAT ）
，基射极饱和电压（ V）
1.2
1.2
1
1.0
0.8
0.8
0.6
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
0
0.001
0
0.001
0.01
0.1
1
10
-I
C
，集电极电流（ A）
图。 5典型的基射极导通电压
与集电极电流
0.01
0.1
1
10
-I
C
，集电极电流（ A）
图。 6典型的基射极饱和电压
与集电极电流
F = 1MHz的
f
T
，电流增益带宽积（兆赫）
1,000
200
150
V
CE
= -10V
F = 100MHz的
100
100
50
10
0.1
1
10
100
V
R
，反向电压（V）的
图。 7典型输出电容特性
0
0
10
20 30 40 50 60 70 80 90 100
-I
C
，集电极电流（毫安）
图。 8典型增益带宽积与集电极电流
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订购信息
（注5 ）
设备
DZT955-13
注意事项：
5.
包装
SOT-223
航运
2500 /磁带&卷轴
用于包装的详细信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/ap02007.pdf 。
新产品
标识信息
（ TOP VIEW ）
YWW
P414
P414 =产品型号标识代码
YWW =日期代码标
Y =最后一位今年前7 = 2007
WW =星期代码01 - 52
包装外形尺寸
SOT-223
朦胧最小值最大值典型值
A
1.55 1.65 1.60
A1
0.010 0.15 0.05
b1
2.90 3.10 3.00
b2
0.60 0.80 0.70
C
0.20 0.30 0.25
D
6.45 6.55 6.50
E
3.45 3.55 3.50
E1
6.90 7.10 7.00
e
—
—
4.60
e1
—
—
2.30
L
0.85 1.05 0.95
Q
0.84 0.94 0.89
尺寸：mm
建议焊盘布局：
（单位：mm ）
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生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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