本产品符合RoHS指令（欧盟第2002/95 / EC ） 。
DZ2J056
硅外延平面型
对于恒压/波形剪和浪涌吸收电路
低噪音型
特点
包
CODE
SMini2-F5-B
名字
针
1 ：阴极
2 ：阳极
齐纳电流I的优异特性上涨
z
环保型无卤封装
包装
浮雕式（热压密封） ： 3000个/卷（标准）
绝对最大额定值
T
a
= 25°C
参数
重复峰值正向电流
总功耗
*
结温
储存温度
符号
I
FRM
P
T
T
j
T
英镑
等级
200
200
150
-55到+150
单位
mA
mW
°C
°C
标记符号： DJ ，杜
注） * ：P
T
= 200毫瓦与印刷电路板来实现。
电气特性
T
a
= 25°C±3°C
参数
正向电压
齐纳电压
*1, 2, 4
齐纳营业性
齐纳升经营性
反向电流
齐纳电压的温度COEF网络cient
*3
符号
V
F
V
Z
R
Z
R
ZK
I
R
S
Z
I
F
= 10毫安
I
Z
= 5毫安
I
Z
= 5毫安
I
Z
- 0.5毫安
V
R
=2.5 V
I
Z
= 5毫安
1.6
5.32
条件
民
典型值
最大
1.0
5.88
40
200
0.5
单位
V
V
W
W
mA
毫伏/°C的
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7031测量方法的二极管。
输入和输出的2.绝对频率为5MHz 。
3. * 1：温度必须控制在25 ℃的V
Z
测量。 V
Z
在其它温度测量值必须被调整到V
Z
(25°C)
*2 : V
Z
目前溢流后，保证20毫秒。
*3 : T
j
= 25 ℃至150 ℃的
* 4 ：等级分类网络阳离子
CODE
秩
V
Z
标记符号
M
M
5.48至5.76
DU
0
无秩
5.32至5.88
DJ
出版日期： 2009年11月
ZKE00055BED
1
本产品符合RoHS指令（欧盟第2002/95 / EC ） 。
DZ2J056
DZ2J056_IF-VF
I
F
V
F
DZ2J056_IZ-VZ
DZ2J056_IR-VR
I
Z
V
Z
I
R
V
R
T
a
= 25°C
10
3
10
3
10
2
T
a
=
25°C
10
2
T
a
= 25°C
正向电流I
F
（MA ）
10
1
10
1
10
2
10
3
1
反向电流I
R
（MA ）
10
齐纳电流I
Z
（MA ）
10
5
10
1
10
7
10
2
0
正向电压V
F
(V)
DZ2J056_RZ-IZ
0.4
0.8
1.2
10
3
0
齐纳电压V
Z
(V)
DZ2J056_SZ-IZ
2
4
6
8
10
10
9
0
反向电压V
R
(V)
DZ2J056_Ct-VR
1
2
3
4
R
Z
I
Z
S
Z
I
Z
C
t
V
R
T
a
= 25°C
齐纳电压的S北部沿海地区系数
Z
（毫伏/ ° C）
100
5
40
T
a
= 25°C
齐纳二极管的工作电阻R
Z
()
终端电容C
t
（PF ）
0
2
4
6
8
10
3
30
10
1
20
1
1
3
10
0.1
0.1
1
10
100
5
0
齐纳电流I
Z
（MA ）
齐纳电流I
Z
（MA ）
0
反向电压V
R
(V)
1
2
3
4
5
2
ZKE00055BED
本产品符合RoHS指令（欧盟第2002/95 / EC ） 。
DZ2J056
SMini2-F5-B
单位：mm
1.25
±0.10
0.35
±0.05
2
0.13
0.02
+0.05
0 0.05
1
0.50
±0.05
0.4
±0.1
5°
0.7
±0.1
5
°
(0.15)
1.7
±0.1
2.5
±0.2
ZKE00055BED
3
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在这本书中描述的半导体
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设备，通讯设备，测量仪器和家用电器） 。
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–
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，燃烧设备，生命支持
系统和安全设备） ，其中优异的质量和可靠性是必需的，或者如果在本产品的失效或故障
UCTS可能直接危害生命或对人体造成伤害。
–
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
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提前的标准，以确保最新的技术规格满足您的要求。
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（工作电源电压和工作环境等） 。特别是，请注意不要超过绝对范围
最大额定值的过渡状态下，如电源接通，断电和模式切换。否则，我们将不承担任何责任
缺陷可以在你的设备后出现的。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到分解，故障发生率的考虑因素
模式下，可能发生对半导体产品。措施对系统，如冗余设计，火势蔓延
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（ 6）使用说明，以防止击穿遵守和特点发生变化，由于外部因素（ ESD ， EOS ，
热应力和机械应力）在搬运，安装或客户的流程的时间。在使用产品而
防潮包装是必需的，满足该条件，如货架寿命和自第一开口的包所经过的时间。
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20080805
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