DZ23-V-Series
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威世半导体
小信号齐纳二极管，双
特点
3
双硅平面齐纳二极管，通用
阴极
齐纳电压是根据分级
E24国际标准。标准齐纳
电压容差为± 5 ％ 。替换“ C”与“B”
2 ％容差
参数都有效二极管在一个案例。
V
Z
和
R
zj
两个二极管中的一种情况是
5 %
AEC- Q101标准
1
2
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.7 51
5
脉冲电流
双
单位
V
mA
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
订购信息
设备名称
DZ23-V-series
DZ23-V-series
订购代码
DZ23-V-series-GS18
DZ23-V-series-GS08
每卷胶带单位
10 000（ 13"上排8毫米磁带）
3000 （上7"卷轴8mm带）
最小起订量
10 000
15 000
包
包名称
SOT-23
重量
8.8毫克
模塑料湿度敏感度
可燃性等级
水平
符合UL 94 V -0
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
功耗
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
齐纳电流
测试条件
设备上的玻璃基板，
请参见第6页的布局
设备上的玻璃基板，
请参见第6页的布局
符号
P
合计
R
thJA
T
j
T
英镑
I
Z
价值
300
420
150
- 65至+ 150
P
合计
/V
Z
单位
mW
K / W
°C
°C
mA
修订版1.8 ， 02 - 12
文档编号： 85765
1
您所在区域内的技术问题：
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DZ23-V-Series
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威世半导体
动态
阻力
F = 1千赫
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
在我
ZT2
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
75 （ < 83 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
70 （ < 78 ）
30 （ < 60 ）
10 （ < 40 ）
4.8 （ < 10 ）
4.5 （ < 8 ）
4 （ < 7 ）
4.5 （ < 7 ）
4.8 （ < 10 ）
5.2 （ < 15 ）
6 （ < 20 ）
7 （ < 20 ）
9 （ < 25 ）
11 （ < 30 ）
13 （ < 40 ）
18 （ < 50 ）
20 （ < 50 ）
25 （ < 55 ）
28 （ < 80 ）
30 （ < 80 ）
35 （ < 80 ）
40 （ < 80 ）
40 （ < 90 ）
50 （ < 90 ）
60 （ < 100 ）
70 （ < 100 ）
70 （ < 100 ）
马克斯。
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
< 480
＆ LT ; 400
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＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
< 70
< 70
＆ LT ; 90
< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 300
＆ LT ; 700
＆ LT ; 750
＆ LT ; 750
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
VZ
在我
ZT1
10
-4
/°C
分钟。
马克斯。
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
9.5
9.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
(1)
产品型号
记号
CODE
分钟。
DZ23C2V7-V
DZ23C3V0-V
DZ23C3V3-V
DZ23C3V6-V
DZ23C3V9-V
DZ23C4V3-V
DZ23C4V7-V
DZ23C5V1-V
DZ23C5V6-V
DZ23C6V2-V
DZ23C6V8-V
DZ23C7V5-V
DZ23C8V2-V
DZ23C9V1-V
DZ23C10-V
DZ23C11-V
DZ23C12-V
DZ23C13-V
DZ23C15-V
DZ23C16-V
DZ23C18-V
DZ23C20-V
DZ23C22-V
DZ23C24-V
DZ23C27-V
DZ23C30-V
DZ23C33-V
DZ23C36-V
DZ23C39-V
DZ23C43-V
DZ23C47-V
DZ23C51-V
V1
V2
V3
V4
V5
V6
V7
V8
V9
V10
V11
V12
V13
V14
V15
V16
V17
V18
V19
V20
V21
V22
V23
V24
V25
V26
V27
V28
V29
V30
V31
V32
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
马克斯。
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
TEST
当前
I
ZT1
mA
I
ZT2
反向
电压
V
R
在我
R
V
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
> 0.8
>1
>2
>3
>5
>6
>7
＆ GT ; 7.5
> 8.5
>9
＆ GT ; 10
> 11
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
> 15
＆ GT ; 17
> 18
＆ GT ; 20
> 22.5
＆ GT ; 25
> 27
> 29
> 32
> 35
> 38
nA
记
(1)
测试了脉冲T = 5毫秒
p
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2
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威世半导体
动态
阻力
F = 1千赫
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
在我
ZT2
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
75 （ < 83 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
70 （ < 78 ）
30 （ < 60 ）
10 （ < 40 ）
4.8 （ < 10 ）
4.5 （ < 8 ）
4 （ < 7 ）
4.5 （ < 7 ）
4.8 （ < 10 ）
5.2 （ < 15 ）
6 （ < 20 ）
7 （ < 20 ）
9 （ < 25 ）
11 （ < 30 ）
13 （ < 40 ）
18 （ < 50 ）
20 （ < 50 ）
25 （ < 55 ）
28 （ < 80 ）
30 （ < 80 ）
35 （ < 80 ）
40 （ < 80 ）
40 （ < 90 ）
50 （ < 90 ）
60 （ < 100 ）
70 （ < 100 ）
70 （ < 100 ）
马克斯。
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
< 480
＆ LT ; 400
＆ LT ; 200
＆ LT ; 150
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
< 70
< 70
＆ LT ; 90
< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 300
＆ LT ; 700
＆ LT ; 750
＆ LT ; 750
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
VZ
在我
ZT1
10
-4
/°C
分钟。
马克斯。
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
0.5
0.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
(1)
产品型号
记号
CODE
分钟。
DZ23B2V7-V
DZ23B3V0-V
DZ23B3V3-V
DZ23B3V6-V
DZ23B3V9-V
DZ23B4V3-V
DZ23B4V7-V
DZ23B5V1-V
DZ23B5V6-V
DZ23B6V2-V
DZ23B6V8-V
DZ23B7V5-V
DZ23B8V2-V
DZ23B9V1-V
DZ23B10-V
DZ23B11-V
DZ23B12-V
DZ23B13-V
DZ23B15-V
DZ23B16-V
DZ23B18-V
DZ23B20-V
DZ23B22-V
DZ23B24-V
DZ23B27-V
DZ23B30-V
DZ23B33-V
DZ23B36-V
DZ23B39-V
DZ23B43-V
DZ23B47-V
DZ23B51-V
V1
V2
V3
V4
V5
V6
V7
V8
V9
V10
V11
V12
V13
V14
V15
V16
V17
V18
V19
V20
V21
V22
V23
V24
V25
V26
V27
V28
V29
V30
V31
V32
2.65
2.94
3.23
3.53
3.82
4.21
4.61
5
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.8
11.8
12.7
14.7
15.7
17.6
19.6
21.6
23.5
26.5
29.4
32.3
35.3
38.2
42.1
46.1
50
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
马克斯。
2.75
3.06
3.37
3.67
3.98
4.39
4.79
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.4
24.5
27.5
30.6
33.7
36.7
39.8
43.9
47.9
52
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
TEST
当前
I
ZT1
mA
I
ZT2
反向
电压
V
R
在我
R
V
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
> 0.8
>1
>2
>3
>5
>6
>7
＆ GT ; 7.5
> 8.5
>9
＆ GT ; 10
> 11
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
> 15
＆ GT ; 17
> 18
＆ GT ; 20
> 22.5
＆ GT ; 25
> 27
> 29
> 32
> 35
> 38
nA
记
(1)
测试了脉冲T = 5毫秒
p
修订版1.8 ， 02 - 12
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3
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DZ23-V-Series
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基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
威世半导体
mA
10
3
10
2
Ω
100
T
J
= 25 °C
5
4
I
F
10
1
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
0
18114
T
J
= 100 °C
r
zj
3
2
33
27
22
18
15
12
10
6.8/8.2
6.2
T
J
= 25 °C
10
5
4
3
2
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1V
0.1
18119
2
5
1
2
5
V
F
10
I
Z
2
5
百毫安
图。 1 -
正向特性
图。 4 -
动态电阻与齐纳电流
mW
500
Ω
10
3
7
5
4
T
j
= 25 °C
400
P
合计
300
R
zj
3
2
47 + 51
43
39
36
10
2
200
7
5
4
3
2
100
0
0
18115
100
200 °C
10
0.1
18120
2
3
4 5
1
2
3 4 5
T
AMB
I
Z
10
mA
图。 2 -
受理的功耗对比
环境温度
图。 5 -
动态电阻与齐纳电流
1000
5
4
3
2
K / W
10
3
T
J
= 25 °C
5
4
3
2
R
ZTH
= R
THA
x
V
Z
x
Δ
V
Z
Δ
T
j
r
zj
R
ZTH
100
5
4
3
2
10
2
5
4
3
2
10
5
4
3
2
2.7
3.6
4.7
5.1
5.6
10
5
4
3
2
负
积极
1
0.1
18117
2
5
1
1
18121
2
3
4 5
1
2
5
10
I
Z
2
5
百毫安
10
2
3 4 5
100
V
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 3 -
动态电阻与齐纳电流
图。 6 -
热微分电阻与齐纳电压
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4
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威世半导体
Ω
100
7
5
4
毫伏/°C的
100
I
Z
= 5毫安
R
zj
3
2
Δ
V
Z
Δ
T
j
80
60
10
7
5
4
3
2
40
20
T
j
= 25 °C
I
Z
= 5毫安
1
2
3
4 5
1
10
2
3 4 5
100
V
0
0
18125
20
40
60
80
100
V
18122
V
Z
V
Z
图。 7 -
动态电阻与齐纳电压
图。 10 -
齐纳电压与温度的关系
齐纳电压
毫伏/°C的
25
20
15
10
5
0
-5
1
18123
2
3
4 5
V
9
8
5毫安
I
Z
= 1毫安
20毫安
7
Δ
V
Z
Δ
T
j
Δ
V
Z
6
5
4
3
2
1
0
51
43
36
10
2
3 4 5
100
V
-1
0
18126
I
Z
= 2毫安
20
40
60
80 100 120
T
j
140 °C
V
Z
图。 8 -
齐纳电压与温度的关系
齐纳电压
图。 11 -
更改齐纳电压与结温
V
0.8
0.7
0.6
V
Z
在我
Z
= 5毫安
25
15
10
V
1.6
1.4
1.2
Δ
V
Z
= R
ZTH
X我
Z
Δ
V
Z
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-1
- 0.2
0
18124
3.6
4.7
8
7
6.2
5.9
5.6
5.1
Δ
V
Z
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 0.2
- 0.4
20
40
60
80
100 120 140 C
18127
1
2
3
4 5
10
2
3 4 5
100
V
T
j
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 9 -
更改齐纳电压与结温
图。 12 -
更改齐纳电压从打开上最多的点
热平衡与齐纳电压
修订版1.8 ， 02 - 12
文档编号： 85765
5
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