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对产品线
Diodes公司
DXTN07100BP5
100V NPN型中功率低饱和晶体管
的PowerDI
5
特点
超前信息
43 ％，比SOT223小;比TO252小60 ％
最大高度刚刚1.1毫米
额定功率高达3.2W
V
首席执行官
= 100V
I
C
= 2A ;我
CM
= 6A
低饱和度，高增益晶体管，
铅，卤素和无锑，符合RoHS （注1 ）
“绿色”设备（注2 ）
机械数据
案例： 5的PowerDI
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成 - 雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
重量： 0.093克（近似值）
特点
常规线路
C
C
B
E
顶视图
底部视图
设备原理图
B
E
PIN- OUT框图
订购信息
（注3）
产品型号
DXTN07100BP5-13
注意事项：
例
的PowerDI 5
包装
5000 /磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。卤素和无锑。
2.二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
DTN7100B
YYWWK
DTN7100B =产品型号标识代码
=制造商标识代码
K =工厂代号
YYWW =日期代码标
YY =最后两位数字的年份（例如： 09 2009）
WW =星期代码（ 01 53 ）
的PowerDI是Diodes公司的注册商标。
DXTN07100BP5
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对产品线
Diodes公司
DXTN07100BP5
最大额定值
超前信息
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
价值
120
100
5
2
6
单位
V
V
V
A
A
特征
热特性
特征
功率耗散@ T
A
= 25 （注4 ）
热阻，结到环境空气（注4 ） @T
A
= 25°C
功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注5 ）
热阻，结到环境空气（注5 ） @T
A
= 25°C
功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注6 ）
热阻，结到环境空气（注6 ） @T
A
= 25°C
热阻，结到集电极端
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
R
θ
JA
P
D
R
θ
JA
P
D
R
θ
JA
R
θ
JT
T
J
, T
英镑
价值
3.2
39
1.7
75
0.74
169
8.9
-55到+150
单位
W
° C / W
W
° C / W
W
° C / W
° C / W
°C
4.设备安装在FR- 4印刷电路板，单双面2盎司铜，收集垫尺寸50毫米×50毫米。
5.设备安装在FR- 4印刷电路板，单双面1盎司铜，收集垫尺寸50毫米×50毫米。
6.设备安装在FR- 4印刷电路板，单双面1盎司铜，推荐最小焊盘布局。
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对产品线
Diodes公司
DXTN07100BP5
10
3.5
超前信息
最大功耗（ W）
I
C
集电极电流（ A）
V
CE （ SAT ）
有限
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
25
50
75
100
125
150
175
见注3
见注4
见注5
1
DC
1s
100ms
10ms
单脉冲。牛逼
AMB
=25°C
见注3
1ms
100s
100m
10m
100m
1
10
100
V
CE
集电极 - 发射极电压（ V）
温度（℃）
安全工作区
降额曲线
最大功耗（ W）
单脉冲。牛逼
AMB
=25°C
热阻（ ° C / W）
40
30
见注3
100
见注3
D=0.5
20
D=0.2
10
10
0
100
D=0.1
单脉冲
D=0.05
1m
10m 100m
1
10
100
1k
1
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度（S ）
脉冲宽度（S ）
瞬态热阻抗
热阻（ ° C / W）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
10
2盎司铜的重量
1盎司铜的重量
脉冲功率耗散
4
T
（ AMB ）
=25°C
T
（ AMB ）
=25°C
额定功率（ W）
3
2盎司铜的重量
2
1
1盎司铜的重量
100
1000
10000
0
10
100
1000
10000
铜面积（平方毫米）
铜面积（平方毫米）
热阻与铜区
额定功率与铜区
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电气特性
超前信息
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
民
120
100
5
70
100
55
25
140
典型值
0.13
0.23
0.9
0.8
200
200
110
55
175
80
1200
最大
0.1
10
0.1
0.3
0.5
1.25
1.00
300
30
单位
V
V
V
μA
μA
V
V
V
测试条件
I
C
= 100μA
I
C
= 10毫安
I
E
= 100μA
V
CB
= 100V
V
CB
= 100V ，T
AMB
= 100 °C
V
EB
= 4V
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
I
C
= 2A ，我
B
= 200毫安
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
I
C
= 1A ，V
CE
= 2V
I
C
= 50mA时V
CE
= 2V
I
C
= 500毫安，V
CE
= 2V
I
C
= 1A ，V
CE
= 2V
I
C
= 2A ，V
CE
= 2V
I
C
= 100mA时V
CE
= 5V
F = 100MHz的
V
CB
= 10A ， F = 1MHz的
I
C
= 500毫安，V
CC
= 10V,
I
B1
= I
B2
= 50毫安
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压（注7 ）
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压（注7 ）
基射极饱和电压（注7 ）
基射极导通电压（注7 ）
直流电流增益（注7 ）
跃迁频率
输出电容
开关时间
注意事项：
7.脉冲测试：脉冲宽度
≤300μs.
占空比
≤2.0%.
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
兆赫
pF
ns
ns
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典型特征
超前信息
1
Tamb=25°C
I
C
/I
B
=100
V
CE （ SAT ）
(V)
V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=50
100m
I
C
/I
B
=20
I
C
/I
B
=10
10m
1m
10m
100m
1
1.0
0.9
I
C
/I
B
=10
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10m
150°C
100°C
25°C
-55°C
100m
1
I
C
集电极电流（ A）
I
C
集电极电流（ A）
V
CE （ SAT ）
V I
C
150°C
V
CE
=2V
V
CE （ SAT ）
V I
C
典型增益（ HFE）
1.2
1.0
I
C
/I
B
=10
-55°C
25°C
V
BE （ SAT ）
(V)
200
100°C
25°C
0.8
0.6
150°C
100
-55°C
0.4
0
1m
0.2
1m
100°C
10m
100m
1
10
10m
100m
1
I
C
集电极电流（ A）
I
C
集电极电流（ A）
h
FE
V I
C
V
BE （ SAT ）
V I
C
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
10m
F = 1MHz的
1.2
V
CE
=2V
25°C
V
BE（上）
(V)
0.8
0.6
0.4
100°C
150°C
电容（pF）
1.0
-55°C
科博
0.2
1m
10m
100m
1
100m
1
10
100
I
C
集电极电流（ A）
电压（V）的
V
BE（上）
V I
C
电容V电压
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DS3991VT
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