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对产品线
Diodes公司
DXT458P5
NPN硅平面高压晶体管
的PowerDI
5
特点
超前信息
新产品
43 %,比SOT223小;比TO252小60 %
最大高度刚刚1.1毫米
额定功率高达2.8W
V
首席执行官
= 400V
I
C
= 300毫安;我
CM
= 1A
铅,卤素和无锑,符合RoHS (注1 )
“绿色”设备(注2 )
机械数据
案例: 5的PowerDI
外壳材料:模压塑料, “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020 1级
码头:完成 - 雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
重量: 0.093克(近似值)
应用
电源启动开关
电信交换机
顶视图
底部视图
设备原理图
PIN- OUT框图
订购信息
(注3)
产品型号
DXT458P5-13
注意事项:
的PowerDI 5
包装
5000 /磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。卤素和无锑。
2.二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com
3.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
DXT458
YYWWK
DXT458 =产品型号标识代码
=制造商标识代码
K =工厂代号
YYWW =日期代码标
YY =最后两位数字的年份(例如: 09 2009)
WW =星期代码( 01 53 )
的PowerDI是Diodes公司的注册商标。
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DXT458P5
文件编号: DS32067修订版1 - 2
2010年3月
Diodes公司
www.diodes.com
对产品线
Diodes公司
DXT458P5
最大额定值
超前信息
新产品
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
基极电流
峰值脉冲电流
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
价值
400
400
5
300
200
1
单位
V
V
V
mA
mA
A
特征
热特性
特征
功率耗散@ T
A
= 25 (注4 )
热阻,结到环境空气(注4 ) @T
A
= 25°C
功率耗散@ T
A
= 25 ° C(注5 )
热阻,结到环境空气(注5 ) @T
A
= 25°C
功率耗散@ T
A
= 25 ° C(注6 )
热阻,结到环境空气(注6 ) @T
A
= 25°C
热阻,结到集电极端
工作和存储温度范围
注意事项:
符号
P
D
R
θ
JA
P
D
R
θ
JA
P
D
R
θ
JA
R
θ
JT
T
J
, T
英镑
价值
2.8
45
1.3
96
0.7
179
14
-55到+150
单位
W
° C / W
W
° C / W
W
° C / W
° C / W
°C
4.设备安装在1.6毫米FR- 4印刷电路板,单双面2盎司铜,收集垫尺寸50毫米×50毫米。
5.设备安装在1.6毫米FR- 4印刷电路板,单双面1盎司铜,收集垫尺寸25毫米x 25mm的。
6.设备安装在1.6毫米FR- 4印刷电路板,单双面1盎司铜,推荐最小焊盘布局。
的PowerDI是Diodes公司的注册商标。
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DXT458P5
文件编号: DS32067修订版1 - 2
2010年3月
Diodes公司
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对产品线
Diodes公司
DXT458P5
超前信息
新产品
3.0
I
C
集电极电流( A)
1
最大功耗( W)
见注3
V
CE ( SAT )
有限
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
20
40
60
80
见注3
见注4
见注5
100m
DC
1s
100ms
10m
单脉冲
T
AMB
=25°C
10ms
1ms
100s
1m
1
10
100
100 120 140 160
V
CE
集电极 - 发射极电压( V)
温度(℃)
安全工作区
100
T
AMB
=25°C
降额曲线
热阻( ° C / W)
最大功率(W)的
40
30
20
10
见注3
D=0.5
单脉冲
T
AMB
=25°C
见注3
10
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
0
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
1
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度(S )
脉冲宽度(S )
瞬态热阻抗
脉冲功率耗散
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DXT458P5
文件编号: DS32067修订版1 - 2
2010年3月
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对产品线
Diodes公司
DXT458P5
超前信息
新产品
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CBO
V
CEO ( SUS )
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
400
400
5
100
100
15
50
典型值
135
2260
最大
100
100
100
200
500
900
900
300
5
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
兆赫
pF
ns
测试条件
I
C
= 100μA
I
C
= 10毫安
I
E
= 100μA
V
CB
= 320V
V
CB
= 320V
V
EB
= 4V
I
C
= 20mA时,我
B
= 2毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 6毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 50毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 1毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 50毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 100毫安
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安,
F = 20MHz的
V
CB
= 20V , F = 1MHz的
V
CC
= 100V ,我
C
= 50mA时
I
B1
= 5毫安,我
B2
= 10毫安
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压(注7 )
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压(注7 )
基射极饱和电压(注7 )
基射极导通电压(注7 )
直流电流增益(注7 )
跃迁频率
输出电容
开关时间
注意事项:
7.脉冲测试:脉冲宽度
≤300μs.
占空比
≤2.0%.
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DXT458P5
文件编号: DS32067修订版1 - 2
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DXT458P5
典型特征
超前信息
新产品
1
谭B = C
25°
I
C
/I
B
=
50
0.40
0.35
0.30
I
C
/I
B
=
20
V
CE ( SAT )
(V)
V
CE ( SAT )
(V)
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
100°
C
100m
I
C
/I
B
=
10
25°
C
I
C
/I
B
=
20
-55°
C
10m
1m
I
C
集电极电流( A)
10m
100m
1m
I
C
集电极电流( A)
10m
100m
V
CE ( SAT )
V I
C
210
1.2
V
CE
=
10V
100°
C
V
CE ( SAT )
V I
C
1.0
I
C
/I
B
=
20
180
150
归一化增益
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1m
10m
100m
-55°
C
25°
C
典型增益(H
FE
)
0.8
120
90
60
30
0
V
BE ( SAT )
(V)
-55°
C
25°
C
100°
C
0.6
0.4
1m
10m
100m
I
C
集电极电流( A)
I
C
集电极电流( A)
h
FE
V I
C
1.0
V
CE
=
10V
V
BE ( SAT )
V I
C
0.8
V
BE(上)
(V)
-55°
C
0.6
25°
C
0.4
1m
100°
C
I
C
集电极电流( A)
10m
100m
V
BE(上)
V I
C
的PowerDI是Diodes公司的注册商标。
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DXT458P5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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