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对产品线

Diodes公司

DXT2012P5

60V PNP中功率晶体管

的PowerDI

特点

超前信息

43 ％，比SOT223小;比TO252小60 ％

最大高度刚刚1.1毫米

额定功率高达3.2W

首席执行官

= 60V

= -5.5A ;我

= 15A

低饱和电压

铅，卤素和无锑/符合RoHS （注1 ）

“绿色”设备（注2 ）

机械数据

案例： 5的PowerDI

外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。

UL可燃性分类额定值94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

码头：完成 - 雾锡比退火铜引线框架。

每MIL -STD- 202方法208

重量： 0.093克（近似值）

应用

电机驱动器

稳压电路

顶视图

底部视图

设备原理图

PIN- OUT框图

订购信息

（注3）

产品型号

DXT2012P5-13

注意事项：

例

的PowerDI 5

包装

5000 /磁带&卷轴

1.没有故意添加铅。卤素和无锑。

2.二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com

3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

标识信息

DXT2012

YYWWK

DXT2012 =产品型号标识代码

=制造商标识代码

K =工厂代号

YYWW =日期代码标

YY =最后两位数字的年份（例如： 09 2009）

WW =星期代码01到53

的PowerDI是二极管的注册商标。

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最大额定值

超前信息

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值脉冲电流

= 25 ° C除非另有说明

符号

CBO

首席执行官

EBO

价值

-100

-60

-7

-5.5

-15

单位

特征

热特性

特征

功率耗散@ T

= 25 （注4 ）

热阻，结到环境空气（注4 ） @T

= 25°C

功率耗散@ T

= 25 ° C（注5 ）

热阻，结到环境空气（注5 ） @T

= 25°C

功率耗散@ T

= 25 ° C（注6 ）

热阻，结到环境空气（注6 ） @T

= 25°C

热阻，结到集电极端

工作和存储温度范围

注意事项：

符号

, T

英镑

价值

3.2

1.7

0.74

169

5.6

-55到+150

单位

° C / W

°C

4.设备安装在FR- 4印刷电路板，单双面2盎司铜，收集垫尺寸50毫米×50毫米。

5.设备安装在FR- 4印刷电路板，单双面1盎司铜，收集垫尺寸25毫米x 25mm的。

6.设备安装在FR- 4 PCB ， 2单面1盎司铜，推荐最小焊盘布局。

的PowerDI是二极管的注册商标。

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3.5

最大功耗（ W）

-I

集电极电流（ A）

CE （ SAT ）

有限

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

100

125

150

175

见注3

见注4

见注5

超前信息

100ms

10ms

1ms

100s

100m

单脉冲。牛逼

AMB

=25°C

见注3

10m

100m

100

-V

集电极 - 发射极电压（ V）

温度（℃）

安全工作区

降额曲线

单脉冲。牛逼

AMB

=25°C

热阻（ ° C / W）

见注3

最大功耗（ W）

100

见注3

D=0.5

D=0.2

100

D=0.1

单脉冲

D=0.05

10m 100m

100

10m 100m

100

脉冲宽度（S ）

瞬态热阻抗

热阻（ ° C / W）

180

160

140

120

100

2盎司铜的重量

1盎司铜的重量

脉冲功率耗散

（ AMB ）

=25°C

（ AMB ）

=25°C

额定功率（ W）

2盎司铜的重量

1盎司铜的重量

100

1000

10000

100

1000

10000

铜面积（平方毫米）

热阻与铜区

额定功率与铜区

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电气特性

超前信息

= 25 ° C除非另有说明

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

CER

R≤1k

EBO

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

BE（上）

民

-100

-60

-7

100

典型值

-120

-80

-8.1

-15

-55

-90

-195

-1030

-920

250

200

120

370

最大

-20

-0.5

-20

-0.5

-10

-25

-70

-120

-250

-1150

-1020

300

单位

μA

测试条件

= -100μA

= -10mA

= -100μA

= -80V

= -80V ，T

AMB

= 100 °C

= -80V

= -80V ，T

AMB

= 100 °C

= -6V

= -0.1A ，我

= -10mA

= -1A ，我

= -100mA

= -2A ，我

= -200mA

= -5A ，我

= -500mA

= -5A ，我

= -500mA

= -1V ，我

= -5A

= -1V ，我

= -10mA

= -1V ，我

= -2A

= -1V ，我

= -5A

= -1V ，我

= -10A

= -10V ，我

= -100mA ，

F = 50MHz的

= -10V ， F = 1MHz的

= 10V ，我

= 1A,

= I

= -100mA

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压（注7 ）

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和电压（注7 ）

基射极饱和电压（注7 ）

基射极导通电压（注7 ）

直流电流增益（注7 ）

跃迁频率

输出电容

开关时间

注意事项：

7.脉冲测试：脉冲宽度

≤300μs.

占空比

≤2.0%.

敖包

关闭

兆赫

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典型特征

超前信息

TAMB = C

25°

0.5

0.4

- V

CE （ SAT ）

(V)

- V

CE （ SAT ）

(V)

100m

0.3

0.2

0.1

0.0

-55°

100°

25°

10m

100m

- I

集电极电流（ A）

CE （ SAT ）

V I

- I

集电极电流（ A）

10m

100m

CE （ SAT ）

V I

1.4

1.2

100°

300

250

1.4

- V

BE （ SAT ）

(V)

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

10m

100m

-55°

25°

200

150

100

典型增益（H

)

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

10m

25°

归一化增益

-55°

100°

- I

集电极电流（ A）

V I

- I

集电极电流（ A）

100m

BE （ SAT ）

V I

1.4

1.2

-55°

- V

BE（上）

(V)

1.0

25°

0.8

0.6

0.4

10m

100m

100°

- I

集电极电流（ A）

BE（上）

V I

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