=
=-
---
---
=
=
an
AMP
公司
射频MOSFET功率晶体管， 3OW ， 12V
2 - 175兆赫
特点
N沟道增强型器件
DMOS结构
对于宽带运营更低的电容
高饱和输出功率
更低的噪声系数比双极型器件
特别设计
12
伏应用
. .
DUI 230S
在25 ° C绝对最大额定值
参数
1符号
1
等级
1台
1
汲极SourceVoltage
栅源电压
漏 - 源电流
1功耗
结温
储存温度
热阻
I
VDS
V0s
“ Ds的
PO
TJ
I
40
20
8
175
200
-55to+150
V
V
A
我W I
“C
“C
I
T英镑
BJCI
1
我的“C / W
I
1
E
F
G
1 6.22
1 6.48
1 245
222
1
.llS
1 255
22s
1
,130
1
5.64
1 2.92
1
5.79
3.30
在25 ° C电气特性
输入电容
输出电容
ReverseCapacitance
功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
C
0%
RSS
GP
9D
V ,, = 12.0 V，F = l.O兆赫
120
24
pF
pF
dB
%
-
V&2.0
V&2.0
V，F = L .OMHz
V，F = L .OMHz
9.0
50
-
-
-
3O ：L
VB = 12.0 V，I ,, = 200毫安， PO ， = 30 W， F = 175 MHz的
V ,, = 12.0 V，I ,, = 200毫安， PO ， = 30 W， F = 175 MHz的
V,,=l2.0
V，I ,, = 200 mA时， PO ,, = 30 W， F = L75兆赫
VSWR -T
特定网络阳离子
受ChangeWithoutNotice 。
MIA -COM ，
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
传真：（ 800 ） 618-8883
n
公司
亚洲/太平洋网络C：
电话： +81 （ 03 ） 3226-1671
传真+81 （ 03 ） 3226-1451
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595
传真+44 （ 1344 ） 300 020
射频MOSFET功率晶体管，
3OW ， 12V
DU1230S
v2.00
典型的设备阻抗
频率
（兆赫）
,, （欧姆）
LDAD
（欧姆）
30
100
175
12.0 -j 14.0
4.0 - j 8.0
2.0 - j 2.5
V ,, = 12 V，I ,, = 200 mA时， PO ,, 。 = 30瓦
2.5 + j 3.0
2.5-j
1.0
2.5 - i 0.5
,,是器件的串联等效输入阻抗从栅极到源极。
LOAD从漏测到地面tptimum串联等效负载阻抗。
is
RF测试夹具
VGS
J3
VDS
J4
VDS = 12伏
IDO = POOMA
L4
h
CCL
Cl0
Cl1
--
I
--
I
--
t;
A-
-
C5
在RF
Jl
Cl
F-
-
2
c2
-
-L
-
牛逼C3
r-
A-
i
;i
-
零件清单
ARC0
ARC0
SEMCO
NO 。 462 TRIMMER
NO 。 422 TRIMMER
电容
SOPF
穿心
SEMCO
SEMCO
电容
3OpF
OOOPF
C6
Cl.C6
c2.c7
c3
C4,CS
C6
c9
Cl0
Cl1
LL .W
L2
电容
电容
5-8opF
4-4opF
O.OOluF
电容
CAPACKOR
单片
ELECTROLMIC
陶瓷的
电容
O.OluF
电容
5OuF 50 V.
NO 。 12 AWG铜
6圈
线，X 1 '
WIRE ON
号。 20 AWG搪瓷
“ 0.25 ” 。关闭伤口
L4
12就
号。 20 AWG ON' 025 ' 。
关闭伤口
Rl.PxZ
Ql
电阻器
DU123OS
FR4 0.062
1OOK欧姆
特定网络阳离子
主题
要改变
没有
通知。
MIA -COM ，
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
传真：（ 800 ） 618-8883
米亚洲/太平洋地区：
电话： +81 （ 03 ） 3226-1671
传真+81 （ 03 ） 3226-1451
n
公司
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595
传真+44 （ 1344 ） 300 020
QQ：2881677436 复制
