*
an
AMP
公司
= ZS .--
-E-=
-=--
--
--
.--
---
--=
-
-
E
射频MOSFET
2 - 175兆赫
特点
功率晶体管
6OW ， 28V
DU2860T
v2.00
-*-
N沟道增强型器件
DMOS结构
对于宽带运营更低的电容
高饱和输出功率
更低的噪声系数比双极型器件
. .
在25 ° C绝对最大额定值
输入电容
输出电容
反向电容
功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
特定网络阳离子
主题
to
北美：
西塞
科斯
CRSS
GP
%
VSWR -T
改变WAhout通知。
135
120
24
13
-
pF
pF
pF
dB
%
-
V ,, = 28.0 V，F = L .OMHz
V ,, = 28.0 V，F = L .OMHz
V ,, = 28.0 V，F = L .OMHz
V ,, = 28.0 V，I ,, = 300 mA时， P ,, = 60.0
V ,, = 28.0 V，I ,, = 300 mA时， P ,, = 60.0
W， F = L75兆赫
W， F = 175 MHz的
60
-
-
3O ：L
V ,, = 28.0 V，I ,, = 300毫安， P， ＃ GO.O W， F = L75兆赫
M / A - COM ，
电话： （ 800 ） 3662266
传真：（ 800 ） 618-8883
n
公司
亚洲/太平洋网络C：
电话： +81 （ 03 ） 3226-1671
传真+81 （ 03 ） 3226-1451
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595
传真+44 （ 1344 ） 300 020
射频MOSFET功率晶体管，
6OW ， 28V
典型的设备阻抗
频率
30
50
100
200
（兆赫）
,, （欧姆）
9.0 - j 4.0
6.0 - j 5.8
4.0 - j 4.2
1.0-j
V,,=28
1.0
LOAD
（欧姆）
6.0 + j 0.0
5.0 + j 2.0
4.0 + j 3.0
2.0
+ j 1.9
毫安，
P,,,=60
瓦
V，I ,, = 300
,,是串联等效
Z
负载
是thebptimum
输入阻抗
该装置的从栅极到源极。
作为从漏极测量到地面。
串联等效
负载阻抗
RF测试夹具
VDS = 28伏
IDQ = 300毫安
VGS
J3
VDS
J4
P
P
L3
RF OUT
在RF
Jl
Cl
IY
Al
Ll
-
Cl1
I
C7
L2
a
..
L
7
C8
IY
Al
J2
$
CGT
7-C
C6
零件清单
CL 3美元
c2,c9
c4,c5
C6,C8
c7
Ll
L2
L3
微调电容器4-4OpF
电容5OpF
穿心
电容0.001 UF
微调电容器9-180pF
电容为15pF
NO 。 12 AWG铜线X 1.18 “ （ LOOP 0.5” ）
NO 。 12 AWG铜线X 1 ' （ LOOP 0.4 ' ）
8回合的NO。 22 AWG的漆包线开
“ 0.25 ” 。关闭伤口
FTL
Ql
板
电阻300欧姆0.5 WA- 17
DU2860T
FR4 0.062 “
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
MIA -COM ，
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
传真：（ 800 ） 618-8883
n
公司
亚洲/太平洋网络C：
电话： T81 （ 03 ） 3226-1671
传真+81 （ 03 ） 3226-1451
n
欧洲：
电话：
+44 (1344)
869 595
传真+44 （ 1344 ） 300 020
DU2860T
射频功率MOSFET晶体管
60W ， 2-175MHz ， 28V
特点
M / A- COM产品
释放;
符合RoHS
包装外形
N沟道增强型器件
DMOS结构
对于宽带运营更低的电容
高饱和输出功率
更低的噪声系数比双极型器件
参数
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
D
T
J
T
英镑
θ
JC
等级
65
20
12
159
200
-65到+150
1.1
单位
V
V
A
W
°C
°C
° C / W
信
MILLIMETERS
民
24.64
18.29
21.21
12.60
6.22
3.81
5.33
5.08
3.05
2.29
4.06
6.68
.10
最大
24.89
18.54
21.97
12.85
6.48
4.06
5.59
5.33
3.30
2.54
4.57
7.49
.15
英寸
民
.970
.720
.835
.496
.245
.150
.210
.200
.120
.090
.160
.263
.004
最大
.980
.730
.865
.506
.255
.160
.220
.210
.130
.100
.180
.295
.006
绝对最大额定值在25°
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
功耗
结温
储存温度
热阻
典型的设备阻抗
F（兆赫）
30
50
100
200
Z
IN
()
9.0 - j4.0
10.0 - j6.5
6.0 - j5.5
1.1 - j3.0
Z
负载
()
6.0 +j0.0
5.0 + j2.0
4.0 + j3.0
2.0 + j1.9
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
V
DD
= 28V ，我
DQ
= 300毫安，P
OUT
= 60 W
Z
IN
是该装置的串联等效输入阻抗
从门源。
Z
负载
是最佳的串联等效负载阻抗为
测得的从漏极到地。
在25 ° C电气特性
参数
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
栅极阈值电压
正向跨导
输入电容
输出电容
反向电容
功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
G
M
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
G
P
D
VSWR -T
民
65
-
-
2.0
1.5
-
-
-
13
60
-
最大
-
3.0
3.0
6.0
-
135
120
24
-
-
30:1
单位
V
mA
A
V
S
pF
pF
pF
dB
%
-
N
测试条件
V
GS
= 0.0 V，I
DS
= 15.0毫安
V
GS
= 28.0 V , V
GS
= 0.0 V
V
GS
= 20.0 V , V
DS
= 0.0 V
V
DS
= 10.0 V，I
DS
= 300.0毫安
V
DS
= 10.0 V，I
DS
= 3.0 A ,
Δ
V
GS
= 1.0V, 80
μs
脉冲
V
DS
= 28.0 V， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 28.0 V， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 28.0 V， F = 1.0 MHz的
V
DD
= 28.0 V，I
DQ
= 300毫安， P
OUT
= 60瓦F = 175 MHz的
V
DD
= 28.0 V，I
DQ
= 300毫安， P
OUT
= 60瓦F = 175 MHz的
V
DD
= 28.0 V，I
DQ
= 300毫安， P
OUT
= 60瓦F = 175 MHz的
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
DU2860T
射频功率MOSFET晶体管
60W ， 2-175MHz ， 28V
典型的宽带性能曲线
收益
VS
频率
V
DD
= 28 V I
DQ
= 300毫安P
OUT
=60 W
效率
VS
频率
V
DD
= 28 V I
DQ
= 300毫安P
OUT
=60 W
M / A- COM产品
释放;
符合RoHS
25
80
增益（dB ）
20
效率（％）
70
15
60
10
50
100
150
200
频率（MHz）
50
25
50
频率（MHz）
100
150
80
输出功率（ W）
60
40
20
0
0
电源输出
VS
电源输入
V
DD
= 28 V I
DQ
= 300毫安
150MHz
100MHz
200MHz
0.5
1
1.5
2
2.5
2.75
3
输入功率（ W）
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
DU2860T
射频功率MOSFET晶体管
60W ， 2-175MHz ， 28V
测试夹具示意图
M / A- COM产品
释放;
符合RoHS
测试夹具装配
3
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
QQ：2881677436 复制
