an
AMP
公司
射频MOSFET功率晶体管, 2OOW , 28V
2 - 175兆赫
特点
N沟道Enhancemenr模式设备
DMOS结构
对于宽带运营更低的电容
高饱和输出功率
更低的噪声系数比同类产品
P&--4
DU28200M
v2.00
I
在25 ° C绝对最大额定值
参数
我SYMBOL
I
等级
1台
1
I
汲极SourceVoltage
栅源电压
漏 - 源电流
我功耗
结温
StorageTemperature
热阻
(
V,,
V
OS
“ Ds的
(
65
20
20
I
v
V
A
I
1
P,
TJ
T
英镑
/
389
200
-65到+150
1
W
“C
“C
1
电气特性
参数
在25℃下
测试条件
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
1栅极阈值电压
FonvardTransconductance
输入电容
输出电容
(反向电容
功率增益
漏EF网络效率
负载MismatchTolerance
*每方
特定网络阳离子
BVDSS
ΔCm
“ GSS
I
VG , RR ,,
GM
西塞
C
OSS
I
CFSS
GP
65
-
5.0
5.0
V
正IA
pA
1
v
S
pF
pF
1 pF的
dB
%
-
V ,, = O.O V,I ,, = 250毫安
V ,, = 28.0 V ,V ,, = O.O V'
V ,, = 20.0 V, V, stO.O V
I V ,, = o.ov ,
V ,, = lO.O
1 2.0
2.5
-
1 6.0
-
225
200
1 ,, = 500.0毫安
V,I ,, = 50
A, V ,, = L
.O V, 80
I
PULSE ?
VR ,, = 28.0 V,F = L .OMHz “
V ,, = 28.0 V,F = L .O兆赫“
1 V ,, = 28.0 V,F = l.O兆赫'
V ,, = 28.0 V,I ,, = 1 000毫安, PE 200.0
W, F = L75兆赫
I
1
-
13
55
-
(
40
-
-
罗: 1
%
VSWR -T
V ,, = 28.0 V.我,, = 1 000毫安, P ,, -200.0 W, F = 175 MHz的
V - , = 28.0 V.我,, = 1000毫安。 P ,, s200.0
W, F = 175 MHz的
如有更改,恕不另行通知。