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DU28200M
射频功率MOSFET晶体管
200W , 2-175MHz , 28V
特点
M / A- COM产品
释放;
符合RoHS
包装外形
N沟道增强型器件
DMOS结构
对于宽带运营更低的电容
高饱和输出功率
更低的噪声系数比双极型器件
绝对最大额定值在25°
参数
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
功耗
结温
储存温度
热阻
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
D
T
J
T
英镑
θ
JC
等级
65
20
20
389
200
-65到+150
0.45
单位
V
V
A
W
°C
°C
° C / W
暗淡
MILLIMETERS
30.35
23.65
13.72
9.63
9.40
9.40
5.59
18.80
9.40
3.12
1.47
2.39
5.03
.05
最大
30.61
23.90
14.22
9.88
9.65
9.65
5.84
19.30
9.65
3.38
1.57
2.74
5.69
.13
英寸
1.195
.931
.540
.379
.370
.370
.220
.740
.370
.123
.058
.094
.198
.002
最大
1.205
.941
.560
3.89
.389
.389
.230
.760
.380
.133
.062
.108
.224
.005
典型的设备阻抗
F(兆赫)
30
100
150
175
200
Z
IN
()
2.7 - j4.8
1.6 - j3.0
1.5 - j2.0
1.6 - j1.0
1.8 - j0.5
Z
负载
()
7.2 - j1.9
5.25 - j1.4
5.0 - j0.7
5.2 - j0.6
5.5 - j0.5
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
V
DD
= 28V ,我
DQ
=千毫安,P
OUT
= 200 W
Z
IN
是该装置的串联等效输入阻抗
从门源。
Z
负载
是最佳的串联等效负载阻抗为
测得的从漏极到地。
在25 ° C电气特性
参数
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
栅极阈值电压
正向跨导
输入电容
输出电容
反向电容
功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
G
M
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
G
P
D
VSWR -T
65
-
-
2.0
2.5
-
-
-
13
55
-
最大
-
5.0
5.0
6.0
-
225
200
40
-
-
10:1
单位
V
mA
A
V
S
pF
pF
pF
dB
%
-
M
N
P
测试条件
V
GS
= 0.0 V,I
DS
= 25.0毫安
V
GS
= 28.0 V , V
GS
= 0.0 V
V
GS
= 20.0 V , V
DS
= 0.0 V
V
DS
= 10.0 V,I
DS
= 500.0毫安
V
DS
= 10.0 V,I
DS
= 5.0A ,
Δ
V
GS
= 1.0V, 80
μs
脉冲
V
DS
= 28.0 V, F = 1.0 MHz的
V
DS
= 28.0 V, F = 1.0 MHz的
V
DS
= 28.0 V, F = 1.0 MHz的
V
DD
= 28.0 V,I
DQ
= 1000毫安, P
OUT
= 200.0 W F = 175 MHz的
V
DD
= 28.0 V,I
DQ
= 1000毫安, P
OUT
= 200.0 W F = 175 MHz的
V
DD
= 28.0 V,I
DQ
= 1000毫安, P
OUT
= 200.0 W F = 175 MHz的
1
高级:
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话: 800.366.2266 /传真: 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格,仿真结果,
欧洲
联系电话: 44.1908.574.200 /传真: 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话: 81.44.844.8296 /传真: 81.44.844.8298
初步:
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品( S)或信息包含在此恕不另行通知。
DU28200M
射频功率MOSFET晶体管
200W , 2-175MHz , 28V
典型的宽带性能曲线
收益
VS
频率
V
DD
= 28 V I
DQ
= 100毫安P
OUT
=200 W
效率
VS
频率
V
DD
= 28 V I
DQ
=千毫安P
OUT
=200 W
M / A- COM产品
释放;
符合RoHS
30
80
效率(%)
增益(dB )
70
20
60
10
25
50
100
150
200
50
25
50
100
150
200
频率(MHz)
频率(MHz)
300
输出功率( W)
250
200
150
100
50
0
电源输出
VS
电源输入
V
DD
= 28 V I
DQ
= 600毫安
30MHz
100MHz
175MHz
0.5
1
2
3
4
5
输入功率( W)
2
高级:
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话: 800.366.2266 /传真: 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格,仿真结果,
欧洲
联系电话: 44.1908.574.200 /传真: 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话: 81.44.844.8296 /传真: 81.44.844.8298
初步:
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品( S)或信息包含在此恕不另行通知。
DU28200M
射频功率MOSFET晶体管
200W , 2-175MHz , 28V
测试夹具示意图
M / A- COM产品
释放;
符合RoHS
3
高级:
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话: 800.366.2266 /传真: 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格,仿真结果,
欧洲
联系电话: 44.1908.574.200 /传真: 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话: 81.44.844.8296 /传真: 81.44.844.8298
初步:
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品( S)或信息包含在此恕不另行通知。
an
AMP
公司
射频MOSFET功率晶体管, 2OOW , 28V
2 - 175兆赫
特点
N沟道Enhancemenr模式设备
DMOS结构
对于宽带运营更低的电容
高饱和输出功率
更低的噪声系数比同类产品
P&--4
DU28200M
v2.00
I
在25 ° C绝对最大额定值
参数
我SYMBOL
I
等级
1台
1
I
汲极SourceVoltage
栅源电压
漏 - 源电流
我功耗
结温
StorageTemperature
热阻
(
V,,
V
OS
“ Ds的
(
65
20
20
I
v
V
A
I
1
P,
TJ
T
英镑
/
389
200
-65到+150
1
W
“C
“C
1
电气特性
参数
在25℃下
测试条件
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
1栅极阈值电压
FonvardTransconductance
输入电容
输出电容
(反向电容
功率增益
漏EF网络效率
负载MismatchTolerance
*每方
特定网络阳离子
BVDSS
ΔCm
“ GSS
I
VG , RR ,,
GM
西塞
C
OSS
I
CFSS
GP
65
-
5.0
5.0
V
正IA
pA
1
v
S
pF
pF
1 pF的
dB
%
-
V ,, = O.O V,I ,, = 250毫安
V ,, = 28.0 V ,V ,, = O.O V'
V ,, = 20.0 V, V, stO.O V
I V ,, = o.ov ,
V ,, = lO.O
1 2.0
2.5
-
1 6.0
-
225
200
1 ,, = 500.0毫安
V,I ,, = 50
A, V ,, = L
.O V, 80
I
PULSE ?
VR ,, = 28.0 V,F = L .OMHz “
V ,, = 28.0 V,F = L .O兆赫“
1 V ,, = 28.0 V,F = l.O兆赫'
V ,, = 28.0 V,I ,, = 1 000毫安, PE 200.0
W, F = L75兆赫
I
1
-
13
55
-
(
40
-
-
罗: 1
%
VSWR -T
V ,, = 28.0 V.我,, = 1 000毫安, P ,, -200.0 W, F = 175 MHz的
V - , = 28.0 V.我,, = 1000毫安。 P ,, s200.0
W, F = 175 MHz的
如有更改,恕不另行通知。
射频MOSFET功率晶体管, 2OOW , 28V
DU28200M
v2.00
典型的宽带性能
曲线
增益与频率
30
V&3
V L,O = LOO
mA
效率
W
6or
与频率
毫安P ,, = 200
W
P,f200
VDD = 28 V I ,, = 1000
10 -I -
25
50
50
100
150
200
25
50
厕所
FRECXJENCY (兆赫)
150
200
频率
(兆赫)
电源输出
V,,=28
300
VS电源
输入
IDP V = L 000毫安
100兆赫
兆赫
z
5
P
5
a
CL-
0
;
250
30
兆赫
200
200
150
100
f
f
.
50
0
0.5
1
2
3
4
5
输入功率( W)
射频MOSFET功率晶体管,
2OOW , 28V
DU28200M
v2.00
典型的设备阻抗
频率(MHz)
30
100
150
175
200
Z, N(欧姆)
2.7 - j 4.8
1.6 -j 3.0
1.5 -j 2.0
1.6 -j 1.0
1.8-j0.5
V ,, = 28 V,I ,, = 1000毫安, P0 , 200瓦
LOAD
(欧姆)
7.2 - j 1.9
5.25 - j 1.4
5.0 - j 0.7
5.2 - j 0.6
5.5 - j 0.5
I
I
,,是器件的串联等效输入阻抗从栅极到源极。
LOAD系列从排水管排出最佳的测量等效负载阻抗。
is
RF测试夹具
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
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单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DU28200M
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:121715395 复制 点击这里给我发消息 QQ:316429272 复制
电话:0755-83259954/0755-82701784
联系人:李小姐/李先生/罗小姐/汪先生
地址:福田区振华路华乐楼615室
DU28200M
M/A-COM
12+
87788
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中国唯一指定代理商√√√特价!特价!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-82865294/82517859
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
DU28200M
PHILIPS/飞利浦
24+
1650
原厂进口
高频管原装进口正品现货供应,假一罚十。
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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
DU28200M
M/A-COM
19+
15000
十年专营,供应原装正品!热卖现货!
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电话:15914072177
联系人:林先生
地址:深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
DU28200M
M/A-COM
24+
32883
NA
公司现货,全新原厂原装正品!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
DU28200M
MACOM Technology Solutions
24+
10000
-
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
DU28200M
M/A-COM
2443+
23000
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
DU28200M
PHI
24+
18650
SMD
全新原装现货,原厂代理。
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
DU28200M
PHI
21+22+
62710
SMD
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
DU28200M
PHI
14+
1
SMD
原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ:3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ:1245773710 复制

电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
DU28200M
M/A-COM
25+
120
QFP
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