【Dwww.daysemi.jpN通道30 -V （D -S ）的MOSFET产品概述VDS(V)30】,IC型号DTU40N03,DTU40N03 PDF资料,DTU40N03经销商,ic,电子元器件-51电子网

D

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N通道30 -V （D -S ）的MOSFET

产品概述

V

DS

(V)

30

R

DS （ ON）

(Ω)

0.0057在V

GS

= 10 V

0.0076在V

GS

= 4.5 V

I

D

(A)

a

40

13.8 NC

40

Q

g

（典型值）。

特点

无卤

TrenchFET

功率MOSFET

100 % R

g

经过测试

100 ％ UIS测试

RoHS指令

柔顺

应用

D

TO-252

低边开关

笔记本型DC / DC

G

D

S

N沟道MOSFET

顶部

意见

绝对最大额定值

T

A

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

J

= 150 °C)

漏电流脉冲

雪崩电流

雪崩能量

连续源极 - 漏极二极管电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 70 °C

T

A

= 25 °C

T

A

= 70 °C

L = 0.1 mH的

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

AS

E

AS

I

S

极限

30

± 20

40

a

40

a

22.7

B，C

19.7

B，C

70

35

61

40

a

4.1

B，C

50

32

5

B，C

3.2

B，C

- 55 150

260

单位

V

A

mJ

A

T

C

= 25 °C

T

A

= 25 °C

T

C

= 25 °C

T

C

= 70 °C

最大功率耗散

T

A

= 25 °C

T

A

= 70 °C

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

P

D

T

J

, T

英镑

W

°C

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

最大结至外壳（漏）

注意事项：

一。基于T

C

= 25°C 。包装有限。

B 。表面安装1" X 1" FR4板。

。 T = 10秒。

t

≤

10 s

稳定状态

符号

R

thJA

R

thJC

典型

20

2.0

最大

25

2.5

单位

° C / W

1

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特定网络阳离子

T

J

= 25 ℃，除非另有说明

参数

STATIC

漏源击穿电压

V

DS

温度COEF网络cient

V

GS （ TH）

温度COEF网络cient

门源阈值电压

栅源漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

a

漏源导通电阻

a

正向跨导

a

动态

b

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

漏源体二极管特性

连续源极 - 漏极二极管电流

脉冲二极管正向电流

体二极管电压

体二极管反向恢复时间

体二极管反向恢复电荷

反向恢复下降时间

反向恢复上升时间

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

a

t

b

I

F

= 4.1 A， di / dt的= 100 A / μs的，T

J

= 25 °C

I

S

= 4.1 A，V

GS

=

0 V

0.75

25

17

13

12

T

C

= 25 °C

40

70

1.2

50

35

A

V

ns

nC

ns

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

R

g

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

= 15 V ，R

L

= 15

Ω

I

D

1.0 A，V

根

= 10 V ，R

g

= 1

Ω

V

DD

= 15 V ，R

L

= 15

Ω

I

D

1.0 A，V

根

= 4.5 V ，R

g

= 1

Ω

F = 1 MHz的

V

DS

= 15 V, V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A

V

DS

= 15 V, V

GS

= 4.5 V，I

D

= 20 A

V

DS

= 15 V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

1720

355

130

29

13.8

5.0

4.6

1.1

25

14

30

15

11

9

27

9

2.2

40

25

45

25

20

15

40

15

ns

Ω

44

21

nC

pF

V

DS

ΔV

DS

/T

J

ΔV

GS （ TH）

/T

J

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

R

DS （ ON）

g

fs

V

GS

= 0 V，I

D

= 250 A

I

D

= 250 A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250 A

V

DS

= 0 V, V

GS

= ± 20 V

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 55 °C

V

DS

≥

5 V, V

GS

= 10 V

V

GS

=

10 V，I

D

= 20 A

V

GS

=

4.5 V，I

D

= 18 A

V

DS

= 15 V，I

D

= 20 A

50

0.0047

0.0062

90

0.0057

0.0076

1

30

27

- 5.5

3

± 100

1

5

V

毫伏/°C的

V

nA

A

Ω

S

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

注意事项：

一。脉冲测试;脉冲宽度

≤

300微秒，占空比

≤

2 %.

B 。通过设计保证，不受生产测试。

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大

额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。

2

D

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典型特征

25 ℃，除非另有说明

70

V

GS

= 10通4

V

60

I

D

- 漏电流（ A）

I

D

- 漏电流（ A）

50

40

V

GS

= 3

V

30

20

10

0

0.0

1.0

1.2

0.8

T

C

= 25 °C

0.6

0.4

T

C

= 125 °C

0.2

0.5

1.0

1.5

2.0

0.0

T

C

= - 55 °C

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

V

DS

- 漏 - 源

电压

(V)

V

GS

- 栅极 - 源极

电压

(V)

输出特性

0.008

2400

传输特性

R

DS （ ON）

- 导通电阻（ Ω ）

0.007

- 电容（pF ）

V

GS

= 4.5

V

0.006

1800

C

国际空间站

1200

0.005

V

GS

= 10

V

600

0.004

C

RSS

0

6

C

OSS

0.003

0

10

20

30

40

50

60

70

0

12

18

24

30

I

D

- 漏电流（ A）

V

DS

- 漏 - 源

电压

(V)

导通电阻与漏电流和栅极电压

10

I

D

= 20 A

V

GS

- 栅极 - 源极

电压

(V)

8

R

DS （ ON）

- 导通电阻

V

DS

= 7.5

V

6

V

DS

= 22.5

V

4

V

DS

= 15

V

1.5

1.7

I

D

= 20 A

电容

V

GS

= 10

V

（归一化）

1.3

V

GS

= 4.5

V

1.1

2

0.9

0

6

12

18

24

30

0.7

- 50

- 25

0

25

50

75

100

125

150

Q

g

- 总栅极电荷（ NC）

T

J

- 结温（ ° C）

栅极电荷

导通电阻与结温

3

D

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典型特征

25 ℃，除非另有说明

100

0.030

T

J

= 150 °C

1

R

DS （ ON）

- 导通电阻（ Ω ）

10

I

S

- 源电流（ A）

T

J

= 25 °C

0.025

0.020

0.015

0.1

0.010

T

J

= 125 °C

0.01

T

J

= - 50 °C

0.005

T

J

= 25 °C

0.001

0.0

0.000

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

SD

- 源极到漏极

电压

(V)

V

GS

- 栅极 - 源极

电压

(V)

源极 - 漏极二极管正向电压

0.5

200

导通电阻与栅极至源极电压

0.2

V

GS （ TH）

方差

(V)

160

- 0.1

功率（W）的

120

- 0.4

I

D

= 1毫安

80

- 0.7

I

D

= 250

A

- 1.0

- 50

40

- 25

0

25

50

75

100

125

150

0

0.001

0.01

0.1

时间（s）

1

10

T

J

- 温度（℃ ）

阈值电压

100

有限

by

R

DS （ ON）

*

单脉冲功率（结到环境）

100

s

10

I

D

- 漏电流（ A）

1毫秒

10毫秒

1

100毫秒

1s

10 s

0.1

T

A

= 25 °C

单脉冲

BVDSS有限公司

0.01

0.1

100 s

DC

1

10

100

V

DS

- 漏 - 源

电压

(V)

*

V

GS

>最低

V

GS

at

哪

R

DS （ ON）

为特定网络版

安全工作区，结到环境

4

D

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典型特征

25 ℃，除非另有说明

80

I

D

- 漏电流（ A）

60

包装有限公司

40

20

0

25

50

75

100

125

150

T

C

- 外壳温度（ ° C）

电流降额*

60

2.5

48

2.0

功率（W）的

36

功率（W）的

0

1.5

24

1.0

12

0.5

0

25

50

75

100

125

150

0.0

0

25

50

75

100

125

150

T

C

- 外壳温度（ ° C）

T

A

- 环境温度（ ° C）

动力方面，结至外壳

动力方面，结到环境

*功耗P

D

是以T

J（下最大）

= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用

散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面

极限。

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