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DTS3401
www.daysemi.jp
P通道30 -V (D -S )的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 30
R
DS ( ON)
(Ω)
0.088在V
GS
= - 10 V
0.138在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
A,B
- 2.7
- 2.2
Q
g
(典型值)。
4.1 NC
特点
无卤素选项可用
TrenchFET
功率MOSFET
RoHS指令
应用
负载开关,用于便携式设备
柔顺
TO-236
(SOT-23)
S
G
1
3
S
2
D
G
顶视图
DTS3401
D
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流(T
J
= 150 °C)
A,B
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲( 10 μs的脉冲宽度)
连续源极 - 漏极二极管电流
A,B
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
A,B
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
c
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
- 30
± 20
- 3.5
- 2.8
- 2.7
A,B
- 2.2
A,B
- 12
- 1.5
- 0.91
A,B
1.8
1.14
1.1
A,B
0.7
A,B
- 55 150
260
°C
W
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大
结到环境
A,C
t
5s
稳定状态
最大结到脚(漏极)
注意事项:
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。 T = 5秒。
。在稳态条件下最大为166 ° C / W 。
符号
R
thJA
R
thJF
典型
90
55
最大
115
70
单位
° C / W
www.
1
DTS3401
www.daysemi.jp
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃,除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS ( TH)
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= - 2.5 A , di / dt的= 100 A / μs的,T
J
= 25 °C
I
S
= - 0.75 A,V
GS
= 0 V
- 0.8
17
11
12
5
T
C
= 25 °C
- 1.5
- 12
- 1.2
30
20
A
V
ns
nC
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
= - 15 V ,R
L
= 15
Ω
I
D
- 1 ,V
= - 10 V ,R
g
= 1
Ω
V
DD
= - 15 V ,R
L
= 15
Ω
I
D
- 1 ,V
= - 4.5 V ,R
g
= 1
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 4.5 V,I
D
= - 2.5 A
V
DS
= - 15 V, V
GS
= 0 V , F = 1兆赫
340
67
51
4.1
1.3
1.8
10
40
40
20
17
5.5
13
17
7.7
60
60
40
30
10
25
30
15
ns
Ω
6.2
nC
pF
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS ( TH)
/T
J
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
fs
V
GS
= 0 V,I
D
= - 250 A
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 55 °C
V
DS
5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V,I
D
= - 3.5 A
V
GS
= - 4.5 V,I
D
= - 2.5 A
V
DS
= - 10 V,I
D
= - 3.5 A
-6
0.073
0.110
7
0.088
0.138
-1
- 30
- 32
4.5
-3
- 100
-1
- 10
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
Ω
S
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项:
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒,占空比
2 %.
B 。通过设计保证,不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.
2
DTS3401
www.daysemi.jp
典型特征
25 ℃,除非另有说明
12
V
GS
= 10通6
V
10
I
D
- 漏电流( A)
V
GS
= 4
V
8
I
D
- 漏电流( A)
1.5
V
GS
= 5
V
2.0
6
1.0
T
C
= 25 °C
0.5
T
C
= 125 °C
T
C
= - 55 °C
4
V
GS
= 3
V
V
GS
= 2
V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2
0.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.20
600
传输特性
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
- 电容(pF )
0.15
V
GS
= 4.5
V
0.10
V
GS
= 10
V
450
C
国际空间站
300
0.05
150
C
OSS
C
RSS
0.00
0
3
6
I
D
- 漏电流( A)
9
12
0
0
6
12
18
24
30
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
I
D
= 2.5 A
8
V
DS
= 7.5
V
6
V
DS
= 22.5
V
4
R
DS ( ON)
- 导通电阻
V
DS
= 15
V
1.8
I
D
= 3.2 A
1.6
电容
V
GS
= 10
V
(归一化)
1.4
V
GS
= 4.5
V
1.2
1.0
2
0.8
0
0
2
4
6
8
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
T
J
- 结温( ° C)
栅极电荷
导通电阻与结温
www.daysemi.jp
3
DTS3401
www.daysemi.jp
典型特征
25 ℃,除非另有说明
10
T
J
= 25 °C
I
S
- 源电流( A)
1
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
0.3
0.4
I
D
= 3.5 A
T
J
= 150 °C
0.1
0.2
T
J
= 125 °C
T
J
= - 50 °C
0.01
0.1
T
J
= 25 °C
0.001
0.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
0.6
10
导通电阻与栅极至源极电压
0.4
V
GS ( TH)
方差
(V)
I
D
= 250
A
功率(W)的
0.2
I
D
= 1毫安
8
6
0.0
4
-0.2
2
T
A
= 25 °C
-0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间(s)
10
100
1000
T
J
- 温度(℃ )
阈值电压
100
单脉冲功率,结到环境
有限
by
R
DS ( ON)
*
I
D
- 漏电流( A)
10
100
s
1
1毫秒
10毫秒
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
BVDSS有限公司
0.01
0.1
1
10
100毫秒
1 s, 10 s
100秒, DC
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
R
DS ( ON)
为特定网络版
安全工作区,结到环境
www.daysemi.jp
4
DTS3401
www.daysemi.jp
热额定值
(T
A
= 25° ,除非另有说明)
C,
1
占空比= 0.5
有效的瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
WAVE
脉冲持续时间( S)
1
占空比= 0.5
有效的瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项:
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJF
= 70 ° C / W
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
4.表层嵌
1
10
WAVE
脉冲持续时间( S)
归瞬态热阻抗,结到脚
在两个图中示出的特征
C)
- 归瞬态热阻抗结到环境( 25 °
- 归瞬态热阻抗结到脚( 25 °
C)
给出了一般性指导方针仅使得用户能够获得的一部分功能的“球公园”的指示。该数据是从单一萃取
脉冲,从实验测量发达瞬态热阻抗特性。后者是有效的部
安装在印刷电路板 - FR4,尺寸1" 1" X X 0.062" ,双面带2盎司铜,100%在两侧。部分功能
根据实际应用的参数和操作条件可以广泛地变化。
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5
P通道30 -V (D -S )的MOSFET
www.din-tek.jp
DTS3401
产品概述
V
DS
(V)
- 30
R
DS ( ON)
(Ω)
0.088在V
GS
= - 10 V
0.130在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
A,B
- 2.7
- 2.2
Q
g
(典型值)。
4.1 NC
特点
无卤素选项可用
TrenchFET
功率MOSFET
RoHS指令
应用
负载开关,用于便携式设备
柔顺
TO-236
(SOT-23)
S
G
1
3
S
2
D
G
顶视图
DTS3401
D
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流(T
J
= 150 °C)
A,B
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲( 10 μs的脉冲宽度)
连续源极 - 漏极二极管电流
A,B
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
A,B
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
c
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
- 30
± 20
- 3.5
- 2.8
- 2.7
A,B
- 2.2
A,B
- 12
- 1.5
- 0.91
A,B
1.8
1.14
1.1
A,B
0.7
A,B
- 55 150
260
°C
W
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大
结到环境
A,C
t
5s
稳定状态
最大结到脚(漏极)
注意事项:
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。 T = 5秒。
。在稳态条件下最大为166 ° C / W 。
符号
R
thJA
R
thJF
典型
90
55
最大
115
70
单位
° C / W
1
www.din-tek.jp
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃,除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS ( TH)
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= - 2.5 A , di / dt的= 100 A / μs的,T
J
= 25 °C
I
S
= - 0.75 A,V
GS
= 0 V
- 0.8
17
11
12
5
T
C
= 25 °C
- 1.5
- 12
- 1.2
30
20
A
V
ns
nC
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
= - 15 V ,R
L
= 15
Ω
I
D
- 1 ,V
= - 10 V ,R
g
= 1
Ω
V
DD
= - 15 V ,R
L
= 15
Ω
I
D
- 1 ,V
= - 4.5 V ,R
g
= 1
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 4.5 V,I
D
= - 2.5 A
V
DS
= - 15 V, V
GS
= 0 V , F = 1兆赫
340
67
51
4.1
1.3
1.8
10
40
40
20
17
5.5
13
17
7.7
60
60
40
30
10
25
30
15
ns
Ω
6.2
nC
pF
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS ( TH)
/T
J
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
fs
V
GS
= 0 V,I
D
= - 250 A
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 55 °C
V
DS
5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V,I
D
= - 3.5 A
V
GS
= - 4.5 V,I
D
= - 2.5 A
V
DS
= - 10 V,I
D
= - 3.5 A
-6
0.073
0.110
7
0.088
0.138
-1
- 30
- 32
4.5
-3
- 100
-1
- 10
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
Ω
S
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
DTS3401
注意事项:
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒,占空比
2 %.
B 。通过设计保证,不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
2
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典型特征
25 ℃,除非另有说明
12
V
GS
= 10通6
V
10
I
D
- 漏电流( A)
V
GS
= 4
V
8
I
D
- 漏电流( A)
1.5
V
GS
= 5
V
2.0
DTS3401
6
1.0
T
C
= 25 °C
0.5
T
C
= 125 °C
T
C
= - 55 °C
4
V
GS
= 3
V
V
GS
= 2
V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2
0.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.20
600
传输特性
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
- 电容(pF )
0.15
V
GS
= 4.5
V
0.10
V
GS
= 10
V
450
C
国际空间站
300
0.05
150
C
OSS
C
RSS
0.00
0
3
6
I
D
- 漏电流( A)
9
12
0
0
6
12
18
24
30
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
I
D
= 2.5 A
8
V
DS
= 7.5
V
6
V
DS
= 22.5
V
4
R
DS ( ON)
- 导通电阻
V
DS
= 15
V
1.8
I
D
= 3.2 A
1.6
电容
V
GS
= 10
V
(归一化)
1.4
V
GS
= 4.5
V
1.2
1.0
2
0.8
0
0
2
4
6
8
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
T
J
- 结温( ° C)
栅极电荷
导通电阻与结温
3
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典型特征
25 ℃,除非另有说明
10
T
J
= 25 °C
I
S
- 源电流( A)
1
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
0.3
0.4
I
D
= 3.5 A
DTS3401
T
J
= 150 °C
0.1
0.2
T
J
= 125 °C
T
J
= - 50 °C
0.01
0.1
T
J
= 25 °C
0.001
0.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
0.6
10
导通电阻与栅极至源极电压
0.4
V
GS ( TH)
方差
(V)
I
D
= 250
A
功率(W)的
0.2
I
D
= 1毫安
8
6
0.0
4
-0.2
2
T
A
= 25 °C
-0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间(s)
10
100
1000
T
J
- 温度(℃ )
阈值电压
100
单脉冲功率,结到环境
有限
by
R
DS ( ON)
*
I
D
- 漏电流( A)
10
100
s
1
1毫秒
10毫秒
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
BVDSS有限公司
0.01
0.1
1
10
100毫秒
1 s, 10 s
100秒, DC
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
R
DS ( ON)
为特定网络版
安全工作区,结到环境
4
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热额定值
(T
A
= 25° ,除非另有说明)
C,
1
占空比= 0.5
有效的瞬态
热阻抗
DTS3401
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
WAVE
脉冲持续时间( S)
1
占空比= 0.5
有效的瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项:
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJF
= 70 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
4.表层嵌
1
10
WAVE
脉冲持续时间( S)
归瞬态热阻抗,结到脚
在两个图中示出的特征
- 归瞬态热阻抗结到环境( 25 °
C)
- 归瞬态热阻抗结到脚( 25 °
C)
给出了一般性指导方针仅使得用户能够获得的一部分功能的“球公园”的指示。该数据是从单一萃取
脉冲,从实验测量发达瞬态热阻抗特性。后者是有效的部
安装在印刷电路板 - FR4,尺寸1" 1" X X 0.062" ,双面带2盎司铜,100%在两侧。部分功能
根据实际应用的参数和操作条件可以广泛地变化。
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厂家
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数量
封装
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SOT-23
原装正品 钻石品质 假一赔十
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联系人:李先生
地址:深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
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DIODE代理
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全新原装现货,原厂代理。
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