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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第204页 > DTS2300A
N沟道20 V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= 4.5 V
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= 2.5 V
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= 1.5 V
I
D
(A)
CON组fi guration
20
0.024
0.033
0.042
5.2
单身
www.din-tek.jp
DTS2300A
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
AEC- Q101标准
c
100 % R
g
和UIS测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
D
TO-236
(SOT-23)
G
1
G
3
S
2
D
顶视图
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续源电流（二极管传导）
漏电流脉冲
a
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
S
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
20
±8
5.2
3.5
2.5
24
10
5
2
0.6
- 55 + 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
结到脚（漏极）
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
。参数验证正在进行中。
印刷电路板安装
b
符号
R
thJA
R
thJF
极限
175
75
单位
° C / W
1
www.din-tek.jp
特定网络阳离子
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 8 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 1.5 V
前锋
跨
b
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
时间
c
t
D（关闭）
t
f
I
SM
V
SD
I
F
= 5 A，V
GS
= 0 V
V
DD
= 10 V ，R
L
= 2.5
I
D
4 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
F = 1 MHz的
V
GS
= 4.5 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 5 A
V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V ， F = 1兆赫
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
关断延时
下降时间
c
脉冲电流
a
正向电压
-
-
-
-
-
-
6
-
-
-
-
-
-
387
80
37
4.5
0.4
0.7
12
7
8
21
9
-
0.75
485
100
46
8.5
-
-
18
11
12
32
14
24
1.2
A
V
ns
nC
pF
V
DS
= 20 V
V
DS
= 20 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 20 V ，T
J
= 175 °C
V
DS
5
V
I
D
= 5 A
I
D
= 5 A，T
J
= 125 °C
I
D
= 5 A，T
J
= 175 °C
I
D
= 4 A
I
D
= 2 A
20
0.4
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
-
-
0.6
-
-
-
-
-
0.018
-
-
0.027
0.034
27
-
1
± 100
1
50
150
-
0.024
0.045
0.054
0.033
0.042
-
S
A
μA
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
DTS2300A
V
DS
= 15 V，I
D
= 5 A
源极 - 漏极二极管额定值和特性
b
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
2
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
20
V
GS
= 5 V直通2 V
16
I
D
- 漏电流（ A）
www.din-tek.jp
DTS2300A
18
15
V
GS
= 1.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
12
12
9
T
C
= 25
°C
8
6
4
V
GS
= 1.0 V
0
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
3
T
C
= 125
°C
T
C
= - 55
°C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
输出特性
传输特性
2.0
35
T
C
= - 55
°C
1.6
28
g
fs
- 跨导（S ）
T
C
= 25
°C
21
T
C
= 125
°C
I
D
- 漏电流（ A）
1.2
0.8
T
C
= 25
°C
14
0.4
7
T
C
= 125
°C
0.0
0.0
0.4
0.8
T
C
= - 55
°C
0
1.2
1.6
2.0
0
1
2
3
4
5
I
D
- 漏电流（ A）
6
7
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
传输特性
0.10
600
跨
0.08
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
500
C
国际空间站
400
0.06
V
GS
= 1.5 V
0.04
V
GS
= 2.5 V
0.02
V
GS
= 4.5 V
300
200
C
OSS
C
RSS
100
0.00
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
0
0
4
8
12
16
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
20
导通电阻与漏电流
电容
3
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
5
2.0
I
D
= 5 A
1.7
www.din-tek.jp
DTS2300A
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
4
I
D
= 5 A
V
DS
= 10 V
3
R
DS （ ON）
- 导通电阻（标准化）
V
GS
= 2.5 V
1.4
V
GS
= 4.5 V
1.1
2
1
0.8
0
0
1
2
3
4
Q
g
- 总
门
费（ NC ）
5
0.5
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
100
0.25
导通电阻与结温
10
I
S
-
来源
电流（A ）
T
J
= 150
°C
0.20
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
1
0.15
0.1
T
J
= 25
°C
0.10
T
J
= 150
°C
T
J
= 25
°C
0.01
0.05
0.001
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
-
源极到漏极
电压（V）的
1.2
0
1
2
3
4
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
5
源漏二极管正向电压
0.3
35
导通电阻与栅极至源极电压
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
33
I
D
= 1毫安
0.1
V
GS （ TH）
方差（ V）
31
- 0.1
I
D
= 5毫安
29
- 0.3
I
D
= 250 μA
27
- 0.5
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
25
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 温度（℃ ）
T
J
- 结温（ ° C）
阈值电压
漏源击穿与结温
4
热额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
100
I
DM
有限
www.din-tek.jp
DTS2300A
10
I
D
- 漏电流（ A）
100 μs
1
限于由R
DS （ ON）
*
1毫秒
10毫秒
0.1
T
C
= 25
°C
单身
脉冲
BVDSS有限公司
100毫秒
1
s,
10
s,
DC
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
is
特定网络版
安全工作区
1
占空比= 0.5
归
有效的瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
5
DTS
www.daysemi.jp
N沟道20 V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= 4.5 V
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= 2.5 V
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= 1.5 V
I
D
(A)
CON组fi guration
20
0.030
0.034
0.042
6
单身
D
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
AEC- Q101标准
c
100 % R
g
和UIS测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
TO-236
(SOT-23)
G
1
G
3
S
2
D
顶视图
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
SOT-23
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续源电流（二极管传导）
漏电流脉冲
a
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
S
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
20
±8
6
3.5
2.5
24
10
5
2
0.6
- 55 + 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
结到脚（漏极）
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
。参数验证正在进行中。
印刷电路板安装
b
符号
R
thJA
R
thJF
极限
175
75
单位
° C / W
1
DTS
www.daysemi.jp
特定网络阳离子
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 8 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 1.5 V
前锋
跨
b
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
时间
c
t
D（关闭）
t
f
I
SM
V
SD
I
F
= 5 A，V
GS
= 0 V
V
DD
= 10 V ，R
L
= 2.5
I
D
4 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
F = 1 MHz的
V
GS
= 4.5 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 5 A
V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V ， F = 1兆赫
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
关断延时
下降时间
c
脉冲电流
a
正向电压
-
-
-
-
-
-
6
-
-
-
-
-
-
387
80
37
4.5
0.4
0.7
12
7
8
21
9
-
0.75
485
100
46
8.5
-
-
18
11
12
32
14
24
1.2
A
V
ns
nC
pF
V
DS
= 20 V
V
DS
= 20 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 20 V ，T
J
= 175 °C
V
DS
5
V
I
D
= 5 A
I
D
= 5 A，T
J
= 125 °C
I
D
= 5 A，T
J
= 175 °C
I
D
= 4 A
I
D
= 2 A
20
0.4
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
-
-
0.6
-
-
-
-
-
0.024
-
-
0.027
0.034
27
-
1
± 100
1
50
150
-
0.030
0.045
0.054
0.034
0.042
-
S
A
μA
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
= 15 V，I
D
= 5 A
源极 - 漏极二极管额定值和特性
b
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
2
DTS
www.daysemi.jp
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
20
V
GS
= 5 V直通2 V
16
I
D
- 漏电流（ A）
18
15
V
GS
= 1.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
12
12
9
T
C
= 25
°C
8
6
4
V
GS
= 1.0 V
0
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
3
T
C
= 125
°C
T
C
= - 55
°C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
输出特性
传输特性
2.0
35
T
C
= - 55
°C
1.6
28
g
fs
- 跨导（S ）
T
C
= 25
°C
21
T
C
= 125
°C
I
D
- 漏电流（ A）
1.2
0.8
T
C
= 25
°C
14
0.4
7
T
C
= 125
°C
0.0
0.0
0.4
0.8
T
C
= - 55
°C
0
1.2
1.6
2.0
0
1
2
3
4
5
I
D
- 漏电流（ A）
6
7
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
传输特性
0.10
600
跨
0.08
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
500
C
国际空间站
400
0.06
V
GS
= 1.5 V
0.04
V
GS
= 2.5 V
0.02
V
GS
= 4.5 V
300
200
C
OSS
C
RSS
100
0.00
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
0
0
4
8
12
16
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
20
导通电阻与漏电流
电容
3
DTS
www.daysemi.jp
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
5
2.0
I
D
= 5 A
1.7
V
GS
= 2.5 V
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
4
I
D
= 5 A
V
DS
= 10 V
3
R
DS （ ON）
- 导通电阻（标准化）
1.4
V
GS
= 4.5 V
1.1
2
1
0.8
0
0
1
2
3
4
Q
g
- 总
门
费（ NC ）
5
0.5
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
100
0.25
导通电阻与结温
10
I
S
-
来源
电流（A ）
T
J
= 150
°C
0.20
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
1
0.15
0.1
T
J
= 25
°C
0.10
T
J
= 150
°C
T
J
= 25
°C
0.01
0.05
0.001
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
-
源极到漏极
电压（V）的
1.2
0
1
2
3
4
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
5
源漏二极管正向电压
0.3
35
导通电阻与栅极至源极电压
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
33
I
D
= 1毫安
0.1
V
GS （ TH）
方差（ V）
31
- 0.1
I
D
= 5毫安
29
- 0.3
I
D
= 250 μA
27
- 0.5
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
25
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 温度（℃ ）
T
J
- 结温（ ° C）
阈值电压
漏源击穿与结温
4
DTS
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热额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
100
I
DM
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
100 μs
1
限于由R
DS （ ON）
*
1毫秒
10毫秒
0.1
T
C
= 25
°C
单身
脉冲
BVDSS有限公司
100毫秒
1
s,
10
s,
DC
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
is
特定网络版
安全工作区
1
占空比= 0.5
归
有效的瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
5
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