UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
DTD114E
NPN数字晶体管
(内置偏置电阻)
特点
*内置偏置电阻暗示易ON / OFF的应用程序。
*偏置电阻薄膜电阻完全隔离,
允许负输入端。
NPN硅晶体管
等效电路
*无铅电镀产品编号: DTD114EL
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
DTD114E-AE3-R
DTD114EL-AE3-R
DTD114E-AL3-R
DTD114EL-AL3-R
包
SOT-23
SOT-323
引脚分配
1
2
3
G
I
O
G
I
O
填料
带盘
带盘
记号
www.unisonic.com.tw
2005 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R206-043,B
DTD114E
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
NPN硅晶体管
符号
等级
单位
电源电压
V
CC
50
V
输入电压
V
IN
-10~+40
V
输出电流
I
OUT
500
mA
功耗
P
D
200
mW
结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气规格
( TA = 25 ° C,除非其他指定)
符号
V
中(关闭)
输入电压
V
IN(上)
输出电压
V
OUT (ON)的
输入电流
I
IN
输出电流
I
OUT (OFF)的
直流电流增益
h
FE
输入阻抗
R
1
电阻率
R
2
/R
1
跃迁频率
f
T
*转换装置的频率
参数
测试条件
V
CC
= 5V ,我
OUT
=100μA
V
OUT
= 0.3V时,我
OUT
=10mA
I
OUT
/I
IN
=50mA/2.5mA
V
IN
=5V
V
CC
=50V, V
IN
=0V
V
OUT
= 5V ,我
OUT
=50mA
民
3
0.1
0.3
0.88
0.5
13
1.2
典型值
最大
0.5
单位
V
V
mA
μA
k
兆赫
56
7
0.8
V
CE
= 10V ,我
E
= -50mA , F = 100MHz的
10
1
200
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 3
QW-R206-043,B
DTD114E
典型特征
NPN硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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输出电压V
OUT (ON)的
(毫伏)
直流电流增益,H
FE
3 3
QW-R206-043,B
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
DTD114E
NPN数字晶体管
(内置偏置电阻)
特点
*内置偏置电阻暗示易ON / OFF的应用程序。
*偏置电阻薄膜电阻完全隔离,
允许负输入端。
NPN硅晶体管
等效电路
订购信息
订购数量
无铅
无卤
DTD114EL-AE3-R
DTD114EG-AE3-R
DTD114EL-AL3-R
DTD114EG-AL3-R
包
SOT-23
SOT-323
引脚分配
1
2
3
G
I
O
G
I
O
填料
带盘
带盘
记号
www.unisonic.com.tw
2011 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R206-043,C
DTD114E
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
NPN硅晶体管
参数
符号
等级
单位
电源电压
V
CC
50
V
输入电压
V
IN
-10~+40
V
输出电流
I
OUT
500
mA
功耗
P
D
200
mW
结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-40 ~ +150
°C
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气规格
( TA = 25 ° C,除非其他指定)
符号
V
中(关闭)
输入电压
V
IN(上)
输出电压
V
OUT (ON)的
输入电流
I
IN
输出电流
I
OUT (OFF)的
直流电流增益
h
FE
输入阻抗
R
1
电阻率
R
2
/R
1
跃迁频率
f
T
*转换装置的频率
参数
测试条件
V
CC
= 5V ,我
OUT
=100μA
V
OUT
= 0.3V时,我
OUT
=10mA
I
OUT
/I
IN
=50mA/2.5mA
V
IN
=5V
V
CC
=50V, V
IN
=0V
V
OUT
= 5V ,我
OUT
=50mA
民
3
0.1
0.3
0.88
0.5
13
1.2
典型值
最大
0.5
单位
V
V
mA
μA
k
兆赫
56
7
0.8
V
CE
= 10V ,我
E
= -50mA , F = 100MHz的
10
1
200
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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2 3
QW-R206-043,C
DTD114E
典型特征
NPN硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
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输出电压V
OUT (ON)的
(毫伏)
直流电流增益,H
FE
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QW-R206-043,C