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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
DTD114E
NPN数字晶体管
(内置偏置电阻)
特点
*内置偏置电阻暗示易ON / OFF的应用程序。
*偏置电阻薄膜电阻完全隔离,
允许负输入端。
NPN硅晶体管
等效电路
*无铅电镀产品编号: DTD114EL
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
DTD114E-AE3-R
DTD114EL-AE3-R
DTD114E-AL3-R
DTD114EL-AL3-R
SOT-23
SOT-323
引脚分配
1
2
3
G
I
O
G
I
O
填料
带盘
带盘
记号
www.unisonic.com.tw
2005 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R206-043,B
DTD114E
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
NPN硅晶体管
符号
等级
单位
电源电压
V
CC
50
V
输入电压
V
IN
-10~+40
V
输出电流
I
OUT
500
mA
功耗
P
D
200
mW
结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气规格
( TA = 25 ° C,除非其他指定)
符号
V
中(关闭)
输入电压
V
IN(上)
输出电压
V
OUT (ON)的
输入电流
I
IN
输出电流
I
OUT (OFF)的
直流电流增益
h
FE
输入阻抗
R
1
电阻率
R
2
/R
1
跃迁频率
f
T
*转换装置的频率
参数
测试条件
V
CC
= 5V ,我
OUT
=100μA
V
OUT
= 0.3V时,我
OUT
=10mA
I
OUT
/I
IN
=50mA/2.5mA
V
IN
=5V
V
CC
=50V, V
IN
=0V
V
OUT
= 5V ,我
OUT
=50mA
3
0.1
0.3
0.88
0.5
13
1.2
典型值
最大
0.5
单位
V
V
mA
μA
k
兆赫
56
7
0.8
V
CE
= 10V ,我
E
= -50mA , F = 100MHz的
10
1
200
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 3
QW-R206-043,B
DTD114E
典型特征
NPN硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
输出电压V
OUT (ON)的
(毫伏)
直流电流增益,H
FE
3 3
QW-R206-043,B
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
晶体管
数字晶体管(内置电阻)
DTD114EK / DTD114ES
FFeatures
1 )内置偏置电阻使
的逆变器电路的结构
无需连接外部输入
电阻(见等效电路) 。
2)偏置电阻组成thin-的
薄膜电阻具有完整间隔离
化,以允许的负偏压
输入。他们也有研华
几乎完全eliminat-踏歌
荷兰国际集团的寄生效应。
3)仅在开/关的条件需要
对操作进行设置,使得设备
设计简单。
FExternal
尺寸(单位:毫米)
FStructure
NPN数字晶体管
(内置电阻型)
FAbsolute
最大额定值(Ta = 25_C )
FEquivalent
电路
(96-354-D114E)
452
晶体管
FElectrical
特性(Ta = 25_C )
DTD114EK/DTD114ES
FPackaging
特定网络阳离子
FElectrical
特性曲线
453
晶体管
数字晶体管(内置电阻)
DTD114EK / DTD114ES
FFeatures
1 )内置偏置电阻使
的逆变器电路的结构
无需连接外部输入
电阻(见等效电路) 。
2)偏置电阻组成thin-的
薄膜电阻具有完整间隔离
化,以允许的负偏压
输入。他们也有研华
几乎完全eliminat-踏歌
荷兰国际集团的寄生效应。
3)仅在开/关的条件需要
对操作进行设置,使得设备
设计简单。
FExternal
尺寸(单位:毫米)
FStructure
NPN数字晶体管
(内置电阻型)
FAbsolute
最大额定值(Ta = 25_C )
FEquivalent
电路
(96-354-D114E)
452
晶体管
FElectrical
特性(Ta = 25_C )
DTD114EK/DTD114ES
FPackaging
特定网络阳离子
FElectrical
特性曲线
453
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
DTD114E
NPN数字晶体管
(内置偏置电阻)
特点
*内置偏置电阻暗示易ON / OFF的应用程序。
*偏置电阻薄膜电阻完全隔离,
允许负输入端。
NPN硅晶体管
等效电路
订购信息
订购数量
无铅
无卤
DTD114EL-AE3-R
DTD114EG-AE3-R
DTD114EL-AL3-R
DTD114EG-AL3-R
SOT-23
SOT-323
引脚分配
1
2
3
G
I
O
G
I
O
填料
带盘
带盘
记号
www.unisonic.com.tw
2011 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R206-043,C
DTD114E
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
NPN硅晶体管
参数
符号
等级
单位
电源电压
V
CC
50
V
输入电压
V
IN
-10~+40
V
输出电流
I
OUT
500
mA
功耗
P
D
200
mW
结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-40 ~ +150
°C
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气规格
( TA = 25 ° C,除非其他指定)
符号
V
中(关闭)
输入电压
V
IN(上)
输出电压
V
OUT (ON)的
输入电流
I
IN
输出电流
I
OUT (OFF)的
直流电流增益
h
FE
输入阻抗
R
1
电阻率
R
2
/R
1
跃迁频率
f
T
*转换装置的频率
参数
测试条件
V
CC
= 5V ,我
OUT
=100μA
V
OUT
= 0.3V时,我
OUT
=10mA
I
OUT
/I
IN
=50mA/2.5mA
V
IN
=5V
V
CC
=50V, V
IN
=0V
V
OUT
= 5V ,我
OUT
=50mA
3
0.1
0.3
0.88
0.5
13
1.2
典型值
最大
0.5
单位
V
V
mA
μA
k
兆赫
56
7
0.8
V
CE
= 10V ,我
E
= -50mA , F = 100MHz的
10
1
200
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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2 3
QW-R206-043,C
DTD114E
典型特征
NPN硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
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OUT (ON)的
(毫伏)
直流电流增益,H
FE
3 3
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DTD114E
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13480301972
联系人:陈先生
地址:福田区中航路华强北街道国利大厦2030
DTD114E
UTC/友顺
24+
898000
SOT-23
圣邦微代理/捷捷微代理/晶导微代理
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
DTD114E
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9388
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
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