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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第6页 > DTD113EK
晶体管
数字晶体管(内置电阻)
DTD113EK / DTD113ES
FFeatures
1 )内置偏置电阻使
的逆变器电路的结构
无需连接外部输入
电阻(见等效电路) 。
2)偏置电阻组成thin-的
薄膜电阻具有完整间隔离
化,以允许的负偏压
输入。他们也有研华
几乎完全eliminat-踏歌
荷兰国际集团的寄生效应。
3)仅在开/关的条件需要
对操作进行设置,使得设备
设计简单。
FExternal
尺寸(单位:毫米)
FStructure
NPN数字晶体管
(内置电阻型)
FAbsolute
最大额定值(Ta = 25_C )
FEquivalent
电路
(96-354-D113E)
447
晶体管
FElectrical
特性(Ta = 25_C )
DTD113EK / DTD113ES
FPackaging
特定网络阳离子
FElectrical
特性曲线
448
DTD113EK / DTD113ES
晶体管
数字晶体管(内置电阻)
DTD113EK / DTD113ES
特点
1 )内置偏置电阻使
的逆变器电路的结构
无需连接外部输入
电阻(见等效电路) 。
2)偏置电阻组成的
薄膜电阻具有完整
隔离,允许负偏置
输入的。他们也有
优势几乎完全
消除了寄生效应。
3)仅在开/关的条件需要
对操作进行设置,使得
装置的设计容易。
外形尺寸
(单位:毫米)
DTD113EK
2.9
±
0.2
1.9
±
0.2
0.95 0.95
(1)
(2)
1.1
+0.2
0.1
0.8
±
0.1
1.6
+0.2
0.1
(3)
+0.1
0.15
0.06
0.4
+0.1
0.05
所有的终端都有相同的尺寸
2.8
±
0.2
0-0.1
为0.3 0.6
ROHM : SMT3
EIAJ : SC- 59
(1)接地
(2)在
(3)输出
缩写符号: F21
DTD113ES
3
±
0.2
4
±
0.2
2
±
0.2
结构
NPN数字晶体管
(内置电阻型)
ROHM : SPT
EIAJ :SC- 72
5
(15Min.)
0.45
+
0.15
0.05
3Min.
2.5
+
0.4
0.1
0.5
0.45
+
0.15
0.05
(1)接地
(2)输出
(3)在
(1) (2) (3)
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CC
V
IN
I
C
Pd
Tj
TSTG
200
150
55
to
+150
限制( DTD113E )
K
50
10
to
+10
500
300
S
V
V
单位
等效电路
R
1
IN
R
2
OUT
GND
mA
mW
C
C
IN
GND
OUT
Rev.A的
1/2
DTD113EK / DTD113ES
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
该设备的跃迁频率
符号
V
我(关闭)
V
我(上)
V
O(上)
I
I
I
O(关)
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
3
33
0.7
0.8
典型值。
0.1
1
1
200
马克斯。
0.5
0.3
7.2
0.5
1.3
1.2
单位
V
V
mA
A
k
兆赫
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=20mA
I
O
/I
I
=50mA/2.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=50mA
V
CE
=10V,
I
E
= -50mA ,
f=100MHz
包装规格
包装类型
CODE
产品型号
DTD113EK
DTD113ES
SMT3
SPT
TAPING
TP
5000
TAPING
T146
3000
基本订购单位(件)
电气特性曲线
100
50
V
O
=0.3V
10m
5m
输出电流:木卫一
(A)
输入电压: V
我(上)
(V)
2m
1m
500
200
100
50
20
10
5
2
1
直流电流增益:摹
I
20
10
5
2
1
TA = 100℃
25 C
40
C
V
CC
=5V
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
V
O
=5V
TA = 100℃
25 C
40
C
TA
40
C
25 C
100 C
500m
200m
100m
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m100m 200m 500m
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
500 1m 2m
5m 10m 20m
50m100m200m 500m
输出电流:我
O
(A)
输入电压: V
我(关闭)
(V)
输出电流:我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
(ON特性)
1
500m
图2输出电流与输入电压
(关特征)
图3直流电流增益
与输出电流
l
O
/l
I
=20
输出电压: V
O(上)
(V)
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
TA = 100℃
25 C
40
C
500
1m
2m
5m 10m 20m 50m100m200m 500m
输出电流:我
O
(A)
图4输出电压和输出电流
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
DTD113EK / DTD113ES
晶体管
500毫安/ 50V数字晶体管
(具有内置电阻体)
DTD113EK / DTD113ES
应用
逆变器,接口,驱动器
特点
1 )内置偏置电阻实现的配置
无需连接外部输入逆变器电路
电阻(见等效电路) 。
2)偏置电阻由薄膜电阻与
完全隔离,以允许的负偏压
输入。它们还具有几乎优点
完全消除了寄生效应。
3)仅在开/关的条件需要被设置
操作,使装置的设计容易。
结构
NPN外延平面硅晶体管
(电阻内置型)
包装规格
包装类型
CODE
外形尺寸
(单位:毫米)
DTD113EK
(3)
1.6
2.8
2.9
0.4
1.1
0.8
(2)
(1)
0.3Min.
0.95 0.95
0.15
1.9
每根导线具有相同的尺寸
ROHM : SMT3
EIAJ : SC- 59
缩写符号: F21
4.0
3.0
(1)接地
(2)在
(3)输出
DTD113ES
2.0
(15Min.)
3Min.
0.45
2.5
0.5
0.45
SMT3
SPT
ROHM : SPT
EIAJ :SC- 72
5.0
(1) (2) (3)
TAPING
TAPING
缩写符号: D113ES
(1)接地
(2)输出
(3)在
T146
3000
TP
5000
产品型号
DTD113EK
DTD113ES
基本订购单位(件)
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CC
V
IN
I
C
Pd
Tj
TSTG
200
150
55
to
+150
范围
DTD113EK DTD113ES
50
10
to
+10
500
300
V
V
mA
mW
C
C
单位
等效电路
R
1
OUT
IN
R
2
GND
IN
GND
OUT
R
1
=R
2
=1.0k
REV.B
1/2
DTD113EK / DTD113ES
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
V
我(关闭)
V
我(上)
V
O(上)
I
I
I
O(关)
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
3
33
0.7
0.8
典型值。
0.1
1
1
200
马克斯。
0.5
0.3
7.2
0.5
1.3
1.2
单位
V
V
mA
A
k
兆赫
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=20mA
I
O
/I
I
=50mA/2.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=50mA
V
CE
=10V,
I
E
= -50mA ,
f=100MHz
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
内置的晶体管的特性
电气特性曲线
100
50
V
O
=0.3V
10m
5m
输出电流:木卫一
(A)
输入电压: V
我(上)
(V)
2m
1m
500
200
100
50
20
10
5
2
1
直流电流增益:摹
I
20
10
5
2
1
TA = 100℃
25 C
40
C
V
CC
=5V
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
V
O
=5V
TA = 100℃
25 C
40
C
TA
40
C
25 C
100 C
500m
200m
100m
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m100m 200m 500m
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
500 1m 2m
5m 10m 20m
50m100m200m 500m
输出电流:我
O
(A)
输入电压: V
我(关闭)
(V)
输出电流:我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
(ON特性)
1
500m
图2输出电流与输入电压
(关特征)
图3直流电流增益
与输出电流
l
O
/l
I
=20
输出电压: V
O(上)
(V)
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
TA = 100℃
25 C
40
C
500
1m
2m
5m 10m 20m 50m100m200m 500m
输出电流:我
O
(A)
图4输出电压和输出电流
REV.B
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
500毫安/ 50V数字晶体管
(具有内置电阻体)
DTD113EK
应用
逆变器,接口,驱动器
特点
1 )内置偏置电阻使逆变器的结构
电路没有连接外部输入电阻(见
等效电路) 。
2)偏置电阻组成的薄膜电阻具有完整
隔离,以使输入的负偏压。他们也有
几乎完全消除寄生的优点
的影响。
3)仅在开/关的条件需要进行操作来进行设定,
使得装置的设计容易。
结构
NPN外延平面硅晶体管
(电阻内置型)
包装规格
包装类型
CODE
产品型号
DTD113EK
基本订购单位(件)
SMT3
TAPING
T146
3000
IN
GND
OUT
尺寸
(单位:毫米)
DTD113EK
(3)
1.6
2.8
2.9
0.4
1.1
0.8
(2)
(1)
0.3Min.
0.95 0.95
0.15
1.9
每根导线具有相同的尺寸
ROHM : SMT3
EIAJ : SC- 59
缩写符号: F21
(1)接地
(2)在
(3)输出
内部电路
OUT
R
1
IN
R
2
GND
R
1
=R
2
=1.0kΩ
绝对最大额定值
(Ta=25C)
参数
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CC
V
IN
I
C
Pd
Tj
TSTG
范围
DTD113EK
50
10
to
+10
500
200
150
55
to
+150
V
V
mA
mW
C
C
单位
www.rohm.com
c
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
1/2
2009.06 - Rev.C
DTD113EK
电气特性
(Ta=25C)
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
我(关闭)
V
我(上)
V
O(上)
I
I
I
O(关)
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
3
33
0.7
0.8
典型值。
0.1
1
1
200
马克斯。
0.5
0.3
7.2
0.5
1.3
1.2
单位
V
V
mA
μA
兆赫
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100μA
V
O
=0.3V,
I
O
=20mA
I
O
/I
I
=50mA/2.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=50mA
V
CE
=10V,
I
E
= -50mA ,
f=100MHz
数据表
内置的晶体管的特性
电气特性曲线
100
50
V
O
=0.3V
输出电流:木卫一
(A)
10m
5m
2m
1m
500μ
200μ
100μ
50μ
20μ
10μ
输入电压: V
我(上)
(V)
直流电流增益:摹
I
20
10
5
2
1
TA = 100℃
25 C
40
C
V
CC
=5V
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
V
O
=5V
TA = 100℃
25 C
40
C
TA
40
C
25 C
100 C
500m
200m
100m
500μ 1m
2m
5m 10m 20m 50m100m 200m 500m
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
500μ 1m 2m
5m 10m 20m
50m100m200m 500m
输出电流:我
O
(A)
输入电压: V
我(关闭)
(V)
输出电流:我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
(ON特性)
图2输出电流与输入电压
(关特征)
图3直流电流增益
与输出电流
1
500m
l
O
/l
I
=20
输出电压: V
O(上)
(V)
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
TA = 100℃
25 C
40
C
500
μ
1m
2m
5m 10m 20m 50m100m200m 500m
输出电流:我
O
(A)
图4输出电压和输出电流
www.rohm.com
c
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
2/2
2009.06 - Rev.C
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部,则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更,恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的(在下文中
"Products" ) 。如果你希望使用任何此类产品,请务必参阅规格,
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路,电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时,必须考虑到。
时非常谨慎,以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是,如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息, ROHM ,应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你,或明或
隐,任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置(诸如视听设备,办公自动化设备, commu-
讯设备,电子电器,娱乐设备) 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性,一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害,火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障,如降级,冗余,消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备,设备使用,或
系统,该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵,其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险(如医疗
仪表,交通运输设备,航空器械,核反应器,
燃料控制器或其他安全装置) 。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任
任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途,请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制,你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问,以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以,请与我们联系。
ROHM的客户支持系统
http://www.rohm.com/contact/
www.rohm.com
2009 ROHM有限公司保留所有权利。
R0039A
DTD113EK
NPN 500毫安50V数字晶体管
(偏置电阻内置晶体管)
数据表
lOutline
参数
价值
SMT3
OUT
IN
GND
V
CC
I
C(最大值)。
R
1
R
2
50V
500mA
1kW
1kW
DTD113EK
SOT- 346 ( SC- 59 )
lFeatures
1 )内置偏置电阻, R1 = R2 = 1千瓦。
2 )内置偏置电阻实现的配置
没有连接外部的逆变器电路
输入电阻(请参见内部电路) 。
3)偏置电阻组成的薄膜电阻
完全隔离,允许负偏置
输入的。它们还具有的优点
完全消除了寄生效应。
4)仅在开/关的条件需要被设置
操作时,使电路设计容易。
5 )互补PNP类型: DTB113EK系列
6 )无铅/符合RoHS标准。
lApplication
开关电路,逆变电路,接口电路,
驱动电路
lInner
电路
lPackaging
特定网络阳离子
产品型号
DTD113EK
SMT3
SIZE
(mm)
2928
TAPING
CODE
T146
BASIC
大小盘磁带宽度
订购
(mm)
(mm)
单位(pcs )
180
8
3,000
记号
F21
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2012.07 - Rev.D
DTD113EK
lAbsolute
最大额定值
( TA = 25°C )
参数
电源电压
输入电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度范围
符号
V
CC
V
IN
I
C*1
P
D *2
T
j
T
英镑
50
-10
to
+10
500
200
150
-55
to
+150
数据表
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
lElectrical
特性(Ta
= 25°C)
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
我(关闭)
V
我(上)
V
O(上)
I
I
I
O(关)
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T *1
条件
V
CC
= 5V ,我
O
= 100毫安
V
O
= 0.3V时,我
O
= 20mA下
I
O
/ I
I
= 50毫安/ 2.5毫安
V
I
= 5V
V
CC
= 50V, V
I
= 0V
V
O
= 5V ,我
O
= 50毫安
-
-
V
CE
= 10V ,我
E
=
-50mA,
F = 100MHz的
分钟。
-
3.0
-
-
-
33
0.7
0.8
-
典型值。
-
-
0.1
-
-
-
1
1
200
马克斯。
0.5
-
0.3
7.2
0.5
-
1.3
1.2
-
单位
V
V
mA
mA
-
kW
-
兆赫
*内置晶体管的特性1
* 2每个终端安装在参考足迹
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DTD113EK
lElectrical
特性曲线(大
= 25°C)
数据表
图1输入电压与输出电流
(ON特性)
图2输出电流与输入电压
(关特征)
输入电压: V
我(上)
[V]
输出电流:我
O
[马]
输出电流:我
O
[A]
输入电压: V
我(关闭)
[V]
图3输出电流与输出电压
500
I
I
= 5.0毫安4.5毫安4.0毫安3.5毫安
3.0mA
图4直流电流增益与输出电流
输出电流:我
O
[马]
400
2.5mA
300
2.0mA
200
1.5mA
100
Ta=25C
0
0
2
4
6
8
1.0mA
0A
10
直流电流增益:摹
I
输出电压: V
O
[V]
输出电流:我
O
[马]
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lElectrical
特性曲线(大
= 25°C)
数据表
图5输出电压与输出电流
输出电压: V
O(上)
[V]
输出电流:我
O
[马]
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DTD113EK
lDimensions
(单位:毫米)
D
数据表
SMT3
A
c
Q
H
E
E
L1
e
b
A3
x
S A
e
Lp
A
A1
S
b2
终端位置方面的Patterm
暗淡
A
A1
A3
b
c
D
E
e
H
E
L1
Lp
Q
x
y
暗淡
e1
b2
l1
地壳板块
最大
1.00
1.30
0.00
0.10
0.25
0.35
0.50
0.09
0.25
2.80
3.00
1.50
1.80
0.95
2.60
3.00
0.30
0.60
0.40
0.70
0.20
0.30
-
0.10
-
0.10
地壳板块
最大
2.10
0.60
-
0.90
英寸
-
0
0.01
0.014
0.004
0.11
0.059
0.04
0.102
0.012
0.016
0.008
-
-
英寸
0.08
-
-
0.024
0.035
最大
0.118
0.024
0.028
0.012
0.004
0.004
0.02
0.01
0.118
0.071
最大
0.051
0.004
尺寸以毫米/英寸
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e1
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
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联系人:李先生
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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