DTC144WE / DTC144WUA / DTC144WKA / DTC144WSA
晶体管
数字晶体管（内置电阻）
DTC144WE / DTC144WUA / DTC144WKA / DTC144WSA
特点
1 ）内置偏置电阻使逆变器电路的结构，而无需连接外部输入电阻。
2）偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离，允许输入的负偏置，并
寄生效应几乎完全消除。
3）仅在开/关条件需要设置操作，使装置的设计容易。
4 ）更高的安装密度可以实现。
电路原理图
R
1
R
2
IN
OUT
GND
IN
GND
OUT
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
电源电压
输入电压
输出电流
动力
耗散
DTC144WE
DTC144WUA / DTC144WKA
DTC144WSA
Tj
TSTG
符号
V
CC
V
I
I
O
I
C（最大值）。
范围
50
10
to
+40
30
100
150
200
300
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
Pd
mW
C
C
结温
储存温度
包装，标志和包装规格
产品型号
DTC144WE DTC144WUA DTC144WKA DTC144WSA
包
记号
包装代码
基本订购单位（件）
EMT3
86
TL
3000
UMT3
86
T106
3000
SMT3
86
T146
3000
SPT
TP
5000
Rev.A的
1/2
DTC144WE / DTC144WUA / DTC144WKA / DTC144WSA
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
4
56
32.9
0.37
典型值。
0.1
47
0.47
250
马克斯。
0.8
0.3
0.16
0.5
61.1
0.57
单位
V
V
mA
A
k
兆赫
条件
V
CC
=
5V ，我
O
=
100A
V
O
=
0.3V ，我
O
=
2mA
I
O
=
10毫安，我
I
=
0.5mA
V
I
=
5V
V
CC
=
50V , V
I
=
0V
I
O
=
5毫安，V
O
=
5V
V
CE
=
10V ，我
E
=
5毫安，女
=
100MHz
跃迁频率
该装置的过渡频率。
电气特性曲线
100
50
V
O
=0.3V
输出电流：我
O
(A)
10m
5m
2m
1m
500
200
100
50
20
10
5
V
CC
=5V
1k
500
V
O
=5V
Ta=100°C
输入电压： V
I
(
on
) (V)
Ta=100°C
直流电流增益：摹
I
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100 200
500 1m
2m
5m
10m 20m
50m 100m
Ta=100°C
TA
40°C
Ta=25°C
200
100
50
Ta=25°C
Ta=25°C
TA
40°C
20
10
5
2
TA
40°C
2
1
0
500m
1
1.5
2
2.5
3
1
100 200
500 1m
2m
5m
10m 20m
50m 100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
I
(
关闭
) (V)
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出电流
I
O
/I
I
=20/1
500m
输出电压： V
O
(
on
) (V)
200m
Ta=100°C
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
500 1m
Ta=25°C
TA
40°C
2m
5m
10m 20m
50m 100m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出电流
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
DTC114EE系列
偏置电阻晶体管NPN硅
P B
铅（Pb ） - 免费
1
BASE
R1
R2
3
集热器
3
1
2
2
辐射源
SC-89
(SOT-523F)
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
I
C
价值
50
50
100
单位
V
V
mA
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(1)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(1)
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(2)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(2)
结温范围
存储温度范围
1.FR - 4 @最小焊盘
2.FR - 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
TSTG
最大
200
1.6
600
300
2.4
400
-55到+150
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
C
C
器件标识和ResistorValues
设备
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
记号
8A
8B
8C
8D
94
8F
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
R2(K)
10
22
47
47
8 8
设备
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
记号
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
R1(K)
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2(K)
2.2
4.7
47
47
47
100
22
宽E IT R 0
H T T P上： / / W W瓦特宽E I T ，R 0 。 C 0米。 TW
1/13
12-Jun-06
DTC114EE系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
WEITRON
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(2)
I
C
= 2.0毫安，我
B
=0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10μA ，我
E
=0
集电极 - 基Cuto FF电压
V
CB
= 50V ，我
E
=0
集电极 - 发射极Cuto FF电流
V
CE
= 50V ，我
B
=0
发射基Cuto FF电流
V
EB
= 6.0V ，我
C
=0
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
首席执行官
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
V
V
nA
nA
I
EBO
mA
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/13
12-Jun-06
DTC114EE系列
电气特性
基本特征
(3)
直流电流增益
V
CE
= -10V ，我
C
=5.0mA
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
15
27
140
130
140
150
140
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
h
FE
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10毫安，我
E
=0.3mA
I
C
= 10毫安，我
E
=5.0mA
DTC123EE
I
C
= 10毫安，我
E
=1.0mA
DTC114TE / DTC143TE
DTC143ZE / DTC124XE
DTC143EE
输出电压（上）
V
CC
=5.0V, V
B
= 2.5V
L
=1.0KΩ
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
V
CE （ SAT ）
-
-
0.25
-
V
OL
-
-
0.2
V
V
CC
=5.0V, V
B
= 3.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 5.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 4.0V
L
=1.0KΩ
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
3/13
12-Jun-06
DTC114EE系列
ELECTRICALCHARACTERISTICS
基本特征
(4)
输出电压（O FF ）
V
CC
=5.0V, V
B
= 0.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 0.25V
L
=1.0KΩ
4.9
DTC114TE
DTC143TE
DTC143ZE
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
DTC114EE / DTC124EE
DTC144EE / DTC115EE
DTC114YE
DTC114TE / DTC143TE
DTC123EE / DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC144WE
V
OH
-
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
-
V
输入电阻
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
15.4
70
32.9
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
kΩ
电阻率
R1/R2
0.8
0.17
-
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
1.0
0.21
-
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
1.2
0.25
-
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
-
4. PulseTest ：脉宽< 300US ，占空比< 2.0 ％
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
4/13
12-Jun-06
DTC114EE系列
WEITRON
DTC114EE系列
250
功耗，P
D
200
150
100
50
0
T
A
，环境温度（ ° C）
R
JA
= 60℃ / W
图1.降额曲线
归一化瞬态热阻， R（T ）
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
图2.归热响应
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
5/13
12-Jun-06
DTC144WE / DTC144WUA / DTC144WKA / DTC144WSA
晶体管
数字晶体管（内置电阻）
DTC144WE / DTC144WUA / DTC144WKA / DTC144WSA
特点
1 ）内置偏置电阻使逆变器电路的结构，而无需连接外部输入电阻。
2）偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离，允许输入的负偏置，并
寄生效应几乎完全消除。
3）仅在开/关条件需要设置操作，使装置的设计容易。
4 ）更高的安装密度可以实现。
电路原理图
R
1
R
2
IN
OUT
GND
IN
GND
OUT
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
电源电压
输入电压
输出电流
动力
耗散
DTC144WE
DTC144WUA / DTC144WKA
DTC144WSA
Tj
TSTG
符号
V
CC
V
I
I
O
I
C（最大值）。
范围
50
10
to
+40
30
100
150
200
300
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
Pd
mW
C
C
结温
储存温度
包装，标志和包装规格
产品型号
DTC144WE DTC144WUA DTC144WKA DTC144WSA
包
记号
包装代码
基本订购单位（件）
EMT3
86
TL
3000
UMT3
86
T106
3000
SMT3
86
T146
3000
SPT
TP
5000
Rev.A的
1/2
DTC144WE / DTC144WUA / DTC144WKA / DTC144WSA
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
4
56
32.9
0.37
典型值。
0.1
47
0.47
250
马克斯。
0.8
0.3
0.16
0.5
61.1
0.57
单位
V
V
mA
A
k
兆赫
条件
V
CC
=
5V ，我
O
=
100A
V
O
=
0.3V ，我
O
=
2mA
I
O
=
10毫安，我
I
=
0.5mA
V
I
=
5V
V
CC
=
50V , V
I
=
0V
I
O
=
5毫安，V
O
=
5V
V
CE
=
10V ，我
E
=
5毫安，女
=
100MHz
跃迁频率
该装置的过渡频率。
电气特性曲线
100
50
V
O
=0.3V
输出电流：我
O
(A)
10m
5m
2m
1m
500
200
100
50
20
10
5
V
CC
=5V
1k
500
V
O
=5V
Ta=100°C
输入电压： V
I
(
on
) (V)
Ta=100°C
直流电流增益：摹
I
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100 200
500 1m
2m
5m
10m 20m
50m 100m
Ta=100°C
TA
40°C
Ta=25°C
200
100
50
Ta=25°C
Ta=25°C
TA
40°C
20
10
5
2
TA
40°C
2
1
0
500m
1
1.5
2
2.5
3
1
100 200
500 1m
2m
5m
10m 20m
50m 100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
I
(
关闭
) (V)
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出电流
I
O
/I
I
=20/1
500m
输出电压： V
O
(
on
) (V)
200m
Ta=100°C
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
500 1m
Ta=25°C
TA
40°C
2m
5m
10m 20m
50m 100m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出电流
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
DTC114EET1系列
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SC - 75 / SOT- 416封装，专为低功耗表面
安装应用程序。
http://onsemi.com
NPN硅
偏置电阻
晶体管
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
在SC - 75 / SOT- 416封装可以通过焊接
波或回流。修改后的鸥翼引线吸收
焊接过程中消除的可能性热应力
的损坏模具。
提供8毫米， 7寸/ 3000单位带卷&
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
3
2
MADC
1
器件标识和电阻值
设备
DTC114EET1
DTC124EET1
DTC144EET1
DTC114YET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
记号
8A
8B
8C
8D
8F
8H
8J
8K
8L
8M
R1 （ K）
10
22
47
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
2.2
4.7
47
47
47
航运
3000 /磁带&卷轴
CASE 463
SOT–416/SC–75
风格1
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年5月 - 修订版0
出版订单号：
DTC114EET1/D
DTC114EET1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0 k)
DTC143TET1
DTC143ZET1
输入电阻
DTC114EET1
DTC124EET1
DTC144EET1
DTC114YET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC114EET1/DTC124EET1/DTC144EET1
DTC114YET1
DTC143TET1
DTC123EET1/DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
250
PD ，功耗（毫瓦）
符号
V
OH
民
4.9
典型值
—
最大
—
单位
VDC
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
0.8
0.17
—
0.8
0.055
0.38
0.038
10
22
47
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
1.0
0.21
—
1.0
0.1
0.47
0.047
13
28.6
61.1
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
1.2
0.25
—
1.2
0.185
0.56
0.056
k
电阻率
R
1
/R
2
200
150
100
50
R
θJA
= 60℃ / W
0
– 50
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
R（T ） ，归一化瞬态热阻
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
0.1
图2.归热响应
http://onsemi.com
3
DTC114EE系列
偏置电阻晶体管NPN硅
P B
铅（Pb ） - 免费
1
BASE
R1
R2
3
集热器
3
1
2
2
辐射源
SC-89
(SOT-523F)
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
I
C
价值
50
50
100
单位
V
V
mA
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(1)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(1)
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(2)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(2)
结温范围
存储温度范围
1.FR - 4 @最小焊盘
2.FR - 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
TSTG
最大
200
1.6
600
300
2.4
400
-55到+150
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
C
C
器件标识和ResistorValues
设备
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
记号
8A
8B
8C
8D
94
03
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
R2(K)
10
22
47
47
8 8
设备
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
记号
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
R1(K)
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2(K)
2.2
4.7
47
47
47
100
22
宽E IT R 0
H T T P上： / / W W瓦特宽E I T ，R 0 。 C 0米。 TW
1/13
Rev.A的29 -JUL- 08
DTC114EE系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
WEITRON
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(2)
I
C
= 2.0毫安，我
B
=0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10μA ，我
E
=0
集电极 - 基Cuto FF电压
V
CB
= 50V ，我
E
=0
集电极 - 发射极Cuto FF电流
V
CE
= 50V ，我
B
=0
发射基Cuto FF电流
V
EB
= 6.0V ，我
C
=0
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
首席执行官
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
V
V
nA
nA
I
EBO
mA
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/13
12-Jun-06
DTC114EE系列
电气特性
基本特征
(3)
直流电流增益
V
CE
= -10V ，我
C
=5.0mA
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
15
27
140
130
140
150
140
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
h
FE
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10毫安，我
E
=0.3mA
I
C
= 10毫安，我
E
=5.0mA
DTC123EE
I
C
= 10毫安，我
E
=1.0mA
DTC114TE / DTC143TE
DTC143ZE / DTC124XE
DTC143EE
输出电压（上）
V
CC
=5.0V, V
B
= 2.5V
L
=1.0KΩ
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
V
CE （ SAT ）
-
-
0.25
-
V
OL
-
-
0.2
V
V
CC
=5.0V, V
B
= 3.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 5.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 4.0V
L
=1.0KΩ
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
3/13
12-Jun-06
DTC114EE系列
ELECTRICALCHARACTERISTICS
基本特征
(4)
输出电压（O FF ）
V
CC
=5.0V, V
B
= 0.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 0.25V
L
=1.0KΩ
4.9
DTC114TE
DTC143TE
DTC143ZE
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
DTC114EE / DTC124EE
DTC144EE / DTC115EE
DTC114YE
DTC114TE / DTC143TE
DTC123EE / DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC144WE
V
OH
-
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
-
V
输入电阻
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
15.4
70
32.9
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
kΩ
电阻率
R1/R2
0.8
0.17
-
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
1.0
0.21
-
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
1.2
0.25
-
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
-
4. PulseTest ：脉宽< 300US ，占空比< 2.0 ％
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
4/13
12-Jun-06
DTC114EE系列
WEITRON
DTC114EE系列
250
功耗，P
D
200
150
100
50
0
T
A
，环境温度（ ° C）
R
JA
= 60℃ / W
图1.降额曲线
归一化瞬态热阻， R（T ）
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
图2.归热响应
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
5/13
12-Jun-06
DTC114EET1系列
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SC - 75 / SOT- 416封装，专为低功耗表面
安装应用程序。
http://onsemi.com
NPN硅
偏置电阻
晶体管
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
在SC - 75 / SOT- 416封装可以通过焊接
波或回流。修改后的鸥翼引线吸收
焊接过程中消除的可能性热应力
的损坏模具。
提供8毫米， 7寸/ 3000单位带卷&
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
3
2
MADC
1
器件标识和电阻值
设备
DTC114EET1
DTC124EET1
DTC144EET1
DTC114YET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
记号
8A
8B
8C
8D
8F
8H
8J
8K
8L
8M
R1 （ K）
10
22
47
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
2.2
4.7
47
47
47
航运
3000 /磁带&卷轴
CASE 463
SOT–416/SC–75
风格1
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年5月 - 修订版0
出版订单号：
DTC114EET1/D
DTC114EET1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0 k)
DTC143TET1
DTC143ZET1
输入电阻
DTC114EET1
DTC124EET1
DTC144EET1
DTC114YET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC114EET1/DTC124EET1/DTC144EET1
DTC114YET1
DTC143TET1
DTC123EET1/DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
250
PD ，功耗（毫瓦）
符号
V
OH
民
4.9
典型值
—
最大
—
单位
VDC
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
0.8
0.17
—
0.8
0.055
0.38
0.038
10
22
47
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
1.0
0.21
—
1.0
0.1
0.47
0.047
13
28.6
61.1
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
1.2
0.25
—
1.2
0.185
0.56
0.056
k
电阻率
R
1
/R
2
200
150
100
50
R
θJA
= 60℃ / W
0
– 50
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
R（T ） ，归一化瞬态热阻
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
0.1
图2.归热响应
http://onsemi.com
3
百毫安/ 50V数字晶体管
（具有内置电阻体）
DTC144WE / DTC144WUA / DTC144WKA
应用
逆变器，接口，驱动器
特点
1 ）内置偏置电阻使逆变器的结构
电路没有连接外部输入电阻。
2）偏置电阻组成的薄膜电阻具有完整
隔离，以使输入的负偏压，而寄生
影响几乎完全消除。
3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设定，
使得装置的设计容易。
4 ）更高的安装密度可以实现。
结构
NPN外延平面硅晶体管
（电阻内置型）
包装规格
包
包装类型
产品型号
尺寸
（单位：毫米）
EMT3
(SC-75A)
<SOT-416>
1.6
0.3
(3)
0.7
0.55
0.8
(2)
(1)
1.6
0.2
0.5 0.5
（1）接地
（2）在
（3）输出
0.2
0.15
1.0
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： 86
UMT3
<SC-70>
2.0
0.3
(3)
0.9
0.2
0.7
1.25
(2)
(1)
2.1
0.1Min.
0.65 0.65
EMT3 UMT3 SMT3
编带编带编带包装
TL
3000
T106
3000
T146
3000
1.3
（1）接地
（2）在
（3）输出
0.15
每根导线具有相同的尺寸
CODE
基本订购单位（件）
缩写符号： 86
2.9
1.1
0.4
(3)
DTC144WE
DTC144WUA
DTC144WKA
SMT3
<SC-59>
0.8
内部电路
(2)
(1)
1.6
2.8
0.95 0.95
0.15
IN
R
1
R
2
OUT
1.9
（1）接地
（2）在
（3）输出
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： 86
GND
IN
GND
OUT
R
1
= 47千欧姆，R
2
=22kΩ
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DTC144WE / DTC144WUA / DTC144WKA
绝对最大额定值
(Ta=25C)
参数
电源电压
输入电压
输出电流
动力
耗散
DTC144WE
符号
V
CC
V
I
I
O
I
C（最大值）。
P
D
Tj
TSTG
范围
50
10
to
+40
30
100
150
200
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
数据表
DTC144WUA / DTC144WKA
结温
储存温度
°C
°C
电气特性
(Ta=25C)
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流
收益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
内置的晶体管的特性
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
4
56
32.9
0.37
典型值。
0.1
47
0.47
250
马克斯。
0.8
0.3
0.16
0.5
61.1
0.57
单位
V
V
mA
μA
kΩ
兆赫
条件
V
CC
=
5V ，我
O
=
100μA
V
O
=
0.3V ，我
O
=
2mA
I
O
=
10毫安，我
I
=
0.5mA
V
I
=
5V
V
CC
=
50V, V
I
=
0V
I
O
=
5毫安，V
O
=
5V
V
CE
=
10V ，我
E
=
5mA,
f
=
100MHz
电气特性曲线
100
50
V
O
=0.3V
输出电流：我
O
(A)
10m
5m
2m
1m
500∝
200∝
100∝
50∝
20∝
10∝
V
CC
=5V
1k
500
V
O
=5V
Ta=100°C
输入电压： V
I
(
on
) (V)
Ta=100°C
10
5
2
1
500m
200m
100m
100∝ 200∝ 500∝ 1m
2m
5m
10m 20m
50m 100m
Ta=100°C
TA = 40℃
Ta=25°C
直流电流增益：摹
I
20
200
100
50
Ta=25°C
Ta=25°C
TA = 40℃
20
10
5
2
TA = 40℃
5∝
2∝
1∝
0
500m
1
1.5
2
2.5
3
1
100∝ 200∝ 500∝ 1m
2m
5m
10m 20m
50m 100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
I
(
关闭
) (V)
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出电流
I
O
/I
I
=20/1
500m
输出电压： V
O
(
on
) (V)
200m
Ta=100°C
100m
50m
20m
Ta=25°C
TA = 40℃
10m
5m
2m
1m
100∝ 200∝ 500∝ 1m
2m
5m
10m 20m
50m 100m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出电流
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在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
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讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
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