UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
DTC143E
NPN数字晶体管
（内置电阻）
特点
*内置偏置电阻暗示易ON / OFF的应用程序。
*偏置电阻薄膜电阻完全隔离，
允许负输入端。
NPN硅晶体管
等效电路
订购信息
订购数量
无铅
无卤
DTC143EL-AE3-R
DTC143EG-AE3-R
DTC143EL-AL3-R
DTC143EG-AL3-R
DTC143EL-T92-B
DTC143EG-T92-B
DTC143EL-T92-K
DTC143EG-T92-K
DTC143EL-T92-R
DTC143EG-T92-R
包
SOT-23
SOT-323
TO-92
TO-92
TO-92
引脚分配
1
2
3
G
I
O
G
I
O
G
O
I
G
O
I
G
O
I
填料
带盘
带盘
磁带盒
体积
带盘
标记（用于SOT - 23 / SOT- 323封装）
CE3E
E：无铅
E：无卤
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2011 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R206-053,F
DTC143E
参数
符号
V
CC
V
IN
I
C
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
评级
单位
电源电压
50
V
输入电压
-10 ~ +30
V
输出电流
100
mA
SOT -23 / SOT- 323
400
mW
功耗
P
D
TO-92
625
mW
结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
*安装在PCB 50毫米×50 × 1.6毫米设备
热数据
参数
结到环境
SOT-23
SOT-323
TO-92
SOT-23
SOT-323
TO-92
符号
θ
JA
评级
294
310
200
138
148
84
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
结到外壳
θ
JC
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
符号
V
中（关闭）
输入电压
V
IN（上）
输出电压
V
OUT （ON）的
输入电流
I
IN
输出电流
I
OUT （OFF）的
直流电流增益
h
FE
输入阻抗
R
1
R
2
电阻率
R
1
跃迁频率
f
T
注：该设备的跃迁频率
参数
测试条件
V
CC
= 5V ，我
OUT
=100μA
V
OUT
= 0.3V时，我
OUT
= 20mA下
I
OUT
/I
IN
= 10毫安/ 0.5毫安
V
IN
= 5V
V
CC
= 50V , V
IN
= 0V
V
OUT
= 5V ，我
OUT
= 10毫安
民
3
0.1
典型值
最大单位
0.5
V
V
0.3
V
1.8
mA
0.5
μA
6.11
1.2
兆赫
K
20
3.29
0.8
4.7
1
250
V
CE
= 10V ，我
E
= -5mA中，f = 100MHz的（注）
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2 3
QW-R206-053,F
DTC143E
典型特征
输入电压电流vs.output
（ON特性的研究）
V
OUT
=0.3V
输出电流，I
OUT
（MA ）
NPN硅晶体管
100
50
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
输出电流与输入电压
（ OFF特性的研究）
V
CC
=0.5V
T
A
=100°C
25°C
-40°C
输入电压V
IN（上）
(V)
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100μ 200μ 500μ 1m 2m
5m 10m 20m 50m 100m
T
A
=-40°C
25°C
100°C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
输出电流，I
OUT
(A)
直流电流增益与输出电流
1K
500
输入电压V
中（关闭）
(V)
输出电压与输出电流
1
500m
V
OUT
=5V
输出电压V
OUT （ON）的
(V)
I
OUT
/I
IN
=20
T
A
=100°C
25°C
-40°C
直流电流增益，H
EF
200
100
50
20
10
5
2
1
T
A
=100°C
25°C
-40°C
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100μ200μ 500μ 1m 2m
5m 10m 20m 50m100m
100μ 200μ 500μ 1m 2m
5m 10m 20m 50m 100m
输出电流，I
OUT
(A)
输出电流，I
OUT
(A)
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
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3 3
QW-R206-053,F
DTC114E系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
DTC114E
DTC124E
DTC144E
DTC114Y
DTC114T
DTC143T
DTD113E
DTC123E
DTC143E
DTC143Z
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
50
50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
—
—
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
A,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压
(2.)
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
(2.)
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
DTC114E
DTC124E
DTC144E
DTC114Y
DTC114T
DTC143T
DTD113E
DTC123E
DTC143E
DTC143Z
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
—
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
E
= 0.3 mA）的DTC144E / DTC114Y
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
DTD113E/DTC143E
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的DTC123E
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的DTC114T / DTC143T /
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的
DTC143Z/DTC124E
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0 k)
DTC114E
DTC124E
DTC114Y
DTC114T
DTC143T
DTD113E
DTC123E
DTC143E
DTC143Z
DTC144E
V
CE （ SAT ）
V
OL
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0 k)
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
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2
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
DTC143T
NPN数字晶体管
（内置偏置电阻）
特点
*内置偏置电阻暗示易ON / OFF的应用程序。
*偏置电阻薄膜电阻完全隔离，
允许负输入端。
NPN硅晶体管
3
2
3
1
SOT-23
等效电路
R
1
C
2
3
1
SOT-323
B
E
2
1
SOT-523
*无铅电镀产品编号： DTC143TL
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
DTC143T-AE3-R
DTC143TL-AE3-R
DTC143T-AL3-R
DTC143TL-AL3-R
DTC143T-AN3-R
DTC143TL-AN3-R
包
SOT-23
SOT-323
SOT-523
引脚分配
1
2
3
E
B
C
E
B
C
E
B
C
填料
带盘
带盘
带盘
DTC143TL-AE3-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
（ 1 ）R ：带卷轴
（ 2 ） AE3 ： SOT -23 ， AL3 ： SOT- 323 ， AN3 ： SOT- 523
（ 3）L ：无铅电镀，空白：铅/锡
记号
CE3T
对于SOT -23 / SOT- 323封装
C5T
对于SOT- 523封装
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2005 Unisonic技术有限公司
10F中3
QW-R206-059,D
DTC143T
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25
°
C，除非另有规定）
评级
单位
集电极 - 基极电压
50
V
集电极 - 发射极电压
50
V
发射极 - 基极电压
5
V
集电极电流
100
mA
SOT-523
150
mW
集电极耗散功率
P
C
SOT-23/SOT-323
200
mW
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55~+150
℃
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(Ta=25
°
C，除非另有规定）。
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
输入阻抗
跃迁频率
*设备的跃迁频率。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
R
1
f
T
测试条件
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
I
C
= 5毫安，我
B
=0.25mA
V
CE
= 5V ，我
C
=1mA
V
CE
= 10V ，我
E
= 5毫安中，f = 100MHz的*
民
50
50
5
典型值
最大单位
V
V
V
0.5
A
0.5
A
0.3
V
600
6.11 k
兆赫
100
3.29
250
4.7
250
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 3
QW-R206-059,D
DTC143T
典型特征
直流电流增益与集电极电流
1000
500
直流电流增益，H
FE
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
NPN硅晶体管
V
CE
=5V
集电极饱和伏的年龄，V
CE（ s的）
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.1
集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流
IC / I
B
=20
Ta=100℃
25℃
-40℃
Ta=100℃
25℃
-40℃
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
0. 2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
集电极电流IC （MA ）
集电极电流IC （MA ）
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
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3 3
QW-R206-059,D
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
DTC143T
NPN数字晶体管
（内置偏置电阻）
特点
*内置偏置电阻暗示易ON / OFF的应用程序。
*偏置电阻薄膜电阻完全隔离，
允许负输入端。
NPN硅晶体管
等效电路
订购信息
订购数量
无铅
无卤
DTC143TL-AE3-R
DTC143TG-AE3-R
DTC143TL-AL3-R
DTC143TG-AL3-R
DTC143TL-AN3-R
DTC143TG-AN3-R
DTC143TL-T9S-K
DTC143TG-T9S-K
注：引脚分配： E：发射器， B：基本，C ：收藏家
包
SOT-23
SOT-323
SOT-523
TO-92SP
引脚分配
1
2
3
E
B
C
E
B
C
E
B
C
E
C
B
填料
带盘
带盘
带盘
体积
记号
（对于SOT封装）
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版权所有 2012 Unisonic技术有限公司
10F中3
QW-R206-059,F
DTC143T
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
评级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
50
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
50
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
5
V
集电极电流
I
C
100
mA
SOT-523
150
集电极耗散功率SOT -23 / SOT- 323
P
C
200
mW
TO-92SP
550
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55~+150
℃
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有说明）。
参数
符号
集电极 - 基极击穿电压
BV
CBO
集电极 - 发射极击穿电压
BV
首席执行官
发射极 - 基极击穿电压
BV
EBO
集电极截止电流
I
CBO
发射极截止电流
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
直流电流增益
h
FE
输入阻抗
R
1
跃迁频率
f
T
注：该设备的跃迁频率。
测试条件
I
C
=50μA
I
C
=1mA
I
E
=50μA
V
CB
=50V
V
EB
=4V
I
C
= 5毫安，我
B
=0.25mA
V
CE
= 5V ，我
C
=1mA
V
CE
= 10V ，我
E
= 5毫安中，f = 100MHz的（注）
民
50
50
5
典型值
最大单位
V
V
V
0.5
μA
0.5
μA
0.3
V
600
6.11 k
兆赫
100
3.29
250
4.7
250
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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2 3
QW-R206-059,F
DTC143T
典型特征
直流电流增益与集电极电流
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
NPN硅晶体管
集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流
1
500m
200m
V
CE
=5V
IC / I
B
=20
T
A
=100
25
-40
T
A
=100
25
-40
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
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QW-R206-059,F
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