【DTC114EET1系列偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络此新系列数字晶体管被设】,IC型号DTC123EET1,DTC123EET1 PDF资料,DTC123EET1经销商,ic,电子元器件-51电子网

DTC114EET1系列

偏置电阻晶体管

NPN硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻

晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管

由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极

电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少

系统成本和电路板空间。该设备被容纳在

SC - 75 / SOT- 416封装，专为低功耗表面

安装应用程序。

特点

http://onsemi.com

NPN硅

偏置电阻晶体管

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

在SC - 75 / SOT- 416封装可以焊接使用波或

回流

在修改后的鸥翼引线吸收热应力

焊接消除损伤到芯片的可能性

无铅包可用

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

销1

BASE

（输入）

3脚

集热器

（输出）

R1

R2

销2

辐射源

（接地）

3

2

1

SC- 75 （ SOT- 416 ）

CASE 463

风格1

热特性

等级

器件总功耗，

FR- 4板（注1 ） @ T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境（注1 ）

器件总功耗，

FR- 4板（注2 ） @ T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境（注2 ）

结温和存储温度

范围

符号

P

D

200

1.6

R

qJA

P

D

300

2.4

R

qJA

T

J

, T

英镑

400

-55到+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

=具体设备守则

XX = （参见第2页）

M

=日期代码*

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向可能有所不同

在制造地点。

xx

600

mW

毫瓦/°C的

° C / W

XX M

G

价值

单位

标记图

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0

×

1.0英寸的垫

订购信息

查看详细的订购，标记，并在发货信息

包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

1

2006年3月 - 修订版8

出版订单号：

DTC114EET1/D

DTC114EET1系列

订购信息，设备标识和电阻值

设备

DTC114EET1

DTC114EET1G

DTC124EET1

DTC124EET1G

DTC144EET1

DTC144EET1G

DTC114YET1

DTC114YET1G

DTC114TET1

DTC114TET1G

DTC143TET1

DTC143TET1G

DTC123EET1

DTC123EET1G

DTC143EET1

DTC143EET1G

DTC143ZET1

DTC143ZET1G

DTC124XET1

DTC124XET1G

DTC123JET1

DTC123JET1G

DTC115EET1

DTC115EET1G

DTC144WET1

DTC144WET1G

8P

47

22

8N

100

8M

2.2

47

8L

22

47

8K

4.7

47

8J

4.7

8H

2.2

8F

4.7

∞

94

10

∞

8D

10

47

8C

47

8B

22

8A

10

记号

R1 （ K）

R2 （ K）

包

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

航运

3000磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

2

DTC114EET1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

DTC114EET1

DTC124EET1

DTC144EET1

DTC114YET1

DTC114TET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

DTC115EET1

DTC144WET1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

基本特征

（注3）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

DTC114EET1

DTC124EET1

DTC144EET1

DTC114YET1

DTC114TET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

DTC115EET1

DTC144WET1

h

FE

35

60

80

160

8.0

15

80

60

100

140

350

15

30

200

150

140

150

140

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的DTC123EET1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的DTC143TET1 / DTC114TET1 /

DTC143EET1/DTC143ZET1/DTC124XET1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

DTC114EET1

DTC124EET1

DTC114YET1

DTC114TET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

DTC144EET1

DTC115EET1

DTC144WET1

V

CE （ SAT ）

V

OL

V

OH

4.9

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0千瓦）

DTC143TET1

DTC143ZET1

DTC114TET1

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

VDC

http://onsemi.com

3

DTC114EET1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

输入电阻

TC114EET1

DTC124EET1

DTC144EET1

DTC114YET1

DTC114TET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

DTC115EET1

DTC144WET1

DTC114EET1/DTC124EET1/DTC144EET1/

DTC115EET1

DTC114YET1

DTC143TET1/DTC114TET1

DTC123EET1/DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

DTC144WET1D

250

PD ，功耗（毫瓦）

200

符号

R1

民

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

典型值

10

22

47

10

4.7

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

最大

13

28.6

61.1

13

6.1

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

单位

kW

电阻率

R

1

/R

2

150

100

50

0

50

R

qJA

= 60℃ / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

R（T ），归一化瞬态热阻

1.0

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.1

0.01

单脉冲

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T，时间（S ）

1.0

10

100

1000

图2.归热响应

http://onsemi.com

4

DTC114EET1系列

电气特性 - DTC114EET1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= 25°C

25°C

0.1

75°C

1000

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

100

0.01

0.001

的hFE ， DC电流增益（标准化）

50

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图3. V

CE （ SAT ）

与我

C

图4.直流电流增益

4

IC ，集电极电流（毫安）

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

10

1

0.1

25°C

T

A

= 25°C

OB ，电容（pF ）

3

2

1

0.01

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图5.输出电容

图6.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

图7.输入电压与输出电流

http://onsemi.com

5

DTC114EET1系列

偏置电阻晶体管

NPN硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻

晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管

由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极

电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少

系统成本和电路板空间。该设备被容纳在

SC - 75 / SOT- 416封装，专为低功耗表面

安装应用程序。

http://onsemi.com

NPN硅

偏置电阻

晶体管

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

在SC - 75 / SOT- 416封装可以通过焊接

波或回流。修改后的鸥翼引线吸收

焊接过程中消除的可能性热应力

的损坏模具。

提供8毫米， 7寸/ 3000单位带卷&

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

集热器

3

1

BASE

2

辐射源

3

2

MADC

1

器件标识和电阻值

设备

DTC114EET1

DTC124EET1

DTC144EET1

DTC114YET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

记号

8A

8B

8C

8D

8F

8H

8J

8K

8L

8M

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

2.2

4.7

22

2.2

R2 （ K）

10

22

47

∞

2.2

4.7

47

航运

3000 /磁带&卷轴

CASE 463

SOT–416/SC–75

风格1

半导体元件工业有限责任公司， 2000

1

2000年5月 - 修订版0

出版订单号：

DTC114EET1/D

DTC114EET1系列

热特性

特征

器件总功耗，

FR-4板

(1.)

@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

(1.)

器件总功耗，

FR-4板

(2.)

@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

(2.)

结温和存储温度范围

符号

P

D

200

1.6

R

θJA

P

D

300

2.4

R

θJA

T

J

, T

英镑

400

-55到+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

600

mW

毫瓦/°C的

° C / W

最大

单位

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

DTC114EET1

DTC124EET1

DTC144EET1

DTC114YET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

—

50

—

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

1.9

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

—

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

A,

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压

(3.)

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

基本特征

(3.)

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

DTC114EET1

DTC124EET1

DTC144EET1

DTC114YET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

h

FE

35

60

80

160

8.0

15

80

—

60

100

140

350

15

30

200

150

140

—

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的DTC123EET1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的DTC143TET1

DTC143ZET1/DTC124XET1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0 k)

DTC114EET1

DTC124EET1

DTC114YET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

DTC144EET1

V

CE （ SAT ）

V

OL

—

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0 k)

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0

×

1.0英寸的垫

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

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2

DTC114EET1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0 k)

DTC143TET1

DTC143ZET1

输入电阻

DTC114EET1

DTC124EET1

DTC144EET1

DTC114YET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

DTC114EET1/DTC124EET1/DTC144EET1

DTC114YET1

DTC143TET1

DTC123EET1/DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

250

PD ，功耗（毫瓦）

符号

V

OH

民

4.9

典型值

—

最大

—

单位

VDC

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

1.5

3.3

15.4

1.54

0.8

0.17

—

0.8

0.055

0.38

0.038

10

22

47

10

4.7

2.2

4.7

22

2.2

1.0

0.21

—

1.0

0.1

0.47

0.047

13

28.6

61.1

13

6.1

2.9

6.1

28.6

2.86

1.2

0.25

—

1.2

0.185

0.56

0.056

k

电阻率

R

1

/R

2

200

150

100

50

R

θJA

= 60℃ / W

0

– 50

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

R（T ），归一化瞬态热阻

1.0

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T，时间（S ）

1.0

10

100

1000

0.1

图2.归热响应

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3

DTC114EET1系列

电气特性 - DTC114EET1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= –25°C

25°C

0.1

75°C

1000

的hFE ， DC电流增益（标准化）

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

–25°C

100

0.01

0.001

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图3. V

CE （ SAT ）

与我

C

图4.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

25°C

T

A

= –25°C

COB，电容（pF ）

3

1

2

0.1

1

0.01

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图5.输出电容

图6.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= –25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图7.输入电压与输出电流

http://onsemi.com

4

DTC114EET1系列

电气特性 - DTC124EET1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

25°C

0.1

T

A

= –25°C

75°C

HFE ， DC电流增益（标准化）

1000

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

–25°C

100

0.01

0.001

0

20

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图8. V

CE （ SAT ）

与我

C

图9.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

IC ，集电极电流（毫安）

75°C

25°C

T

A

= –25°C

COB，电容（pF ）

3

10

1

2

0.1

1

0.01

V

O

= 5 V

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

0

2

4

6

V

in

，输入电压（伏）

8

10

图10.输出电容

图11.输出电流与输入电压

100

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= –25°C

10

75°C

25°C

1

0.1

0

10

20

30

40

50

I

C

，集电极电流（毫安）

图12.输入电压与输出

当前

http://onsemi.com

5

DTC114EET1系列

偏置电阻晶体管

NPN硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻

晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管

由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极

电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少

系统成本和电路板空间。该设备被容纳在

SC - 75 / SOT- 416封装，专为低功耗表面

安装应用程序。

http://onsemi.com

NPN硅

偏置电阻

晶体管

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

在SC - 75 / SOT- 416封装可以通过焊接

波或回流。修改后的鸥翼引线吸收

焊接过程中消除的可能性热应力

的损坏模具。

提供8毫米， 7寸/ 3000单位带卷&

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

集热器

3

1

BASE

2

辐射源

3

2

MADC

1

器件标识和电阻值

设备

DTC114EET1

DTC124EET1

DTC144EET1

DTC114YET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

记号

8A

8B

8C

8D

8F

8H

8J

8K

8L

8M

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

2.2

4.7

22

2.2

R2 （ K）

10

22

47

∞

2.2

4.7

47

航运

3000 /磁带&卷轴

CASE 463

SOT–416/SC–75

风格1

半导体元件工业有限责任公司， 2000

1

2000年5月 - 修订版0

出版订单号：

DTC114EET1/D

DTC114EET1系列

热特性

特征

器件总功耗，

FR-4板

(1.)

@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

(1.)

器件总功耗，

FR-4板

(2.)

@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

(2.)

结温和存储温度范围

符号

P

D

200

1.6

R

θJA

P

D

300

2.4

R

θJA

T

J

, T

英镑

400

-55到+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

600

mW

毫瓦/°C的

° C / W

最大

单位

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

DTC114EET1

DTC124EET1

DTC144EET1

DTC114YET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

—

50

—

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

1.9

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

—

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

A,

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压

(3.)

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

基本特征

(3.)

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

DTC114EET1

DTC124EET1

DTC144EET1

DTC114YET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

h

FE

35

60

80

160

8.0

15

80

—

60

100

140

350

15

30

200

150

140

—

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的DTC123EET1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的DTC143TET1

DTC143ZET1/DTC124XET1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0 k)

DTC114EET1

DTC124EET1

DTC114YET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

DTC144EET1

V

CE （ SAT ）

V

OL

—

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0 k)

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0

×

1.0英寸的垫

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

http://onsemi.com

2

DTC114EET1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0 k)

DTC143TET1

DTC143ZET1

输入电阻

DTC114EET1

DTC124EET1

DTC144EET1

DTC114YET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

DTC114EET1/DTC124EET1/DTC144EET1

DTC114YET1

DTC143TET1

DTC123EET1/DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

250

PD ，功耗（毫瓦）

符号

V

OH

民

4.9

典型值

—

最大

—

单位

VDC

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

1.5

3.3

15.4

1.54

0.8

0.17

—

0.8

0.055

0.38

0.038

10

22

47

10

4.7

2.2

4.7

22

2.2

1.0

0.21

—

1.0

0.1

0.47

0.047

13

28.6

61.1

13

6.1

2.9

6.1

28.6

2.86

1.2

0.25

—

1.2

0.185

0.56

0.056

k

电阻率

R

1

/R

2

200

150

100

50

R

θJA

= 60℃ / W

0

– 50

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

R（T ），归一化瞬态热阻

1.0

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T，时间（S ）

1.0

10

100

1000

0.1

图2.归热响应

http://onsemi.com

3

DTC114EET1系列

电气特性 - DTC114EET1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= –25°C

25°C

0.1

75°C

1000

的hFE ， DC电流增益（标准化）

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

–25°C

100

0.01

0.001

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图3. V

CE （ SAT ）

与我

C

图4.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

25°C

T

A

= –25°C

COB，电容（pF ）

3

1

2

0.1

1

0.01

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图5.输出电容

图6.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= –25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图7.输入电压与输出电流

http://onsemi.com

4

DTC114EET1系列

电气特性 - DTC124EET1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

25°C

0.1

T

A

= –25°C

75°C

HFE ， DC电流增益（标准化）

1000

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

–25°C

100

0.01

0.001

0

20

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图8. V

CE （ SAT ）

与我

C

图9.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

IC ，集电极电流（毫安）

75°C

25°C

T

A

= –25°C

COB，电容（pF ）

3

10

1

2

0.1

1

0.01

V

O

= 5 V

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

0

2

4

6

V

in

，输入电压（伏）

8

10

图10.输出电容

图11.输出电流与输入电压

100

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= –25°C

10

75°C

25°C

1

0.1

0

10

20

30

40

50

I

C

，集电极电流（毫安）

图12.输入电压与输出

当前

http://onsemi.com

5

DTC114EET1系列

偏置电阻晶体管

NPN硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻

晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管

由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极

电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少

系统成本和电路板空间。该设备被容纳在

SC - 75 / SOT- 416封装，专为低功耗表面

安装应用程序。

特点

http://onsemi.com

NPN硅

偏置电阻晶体管

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

在SC - 75 / SOT- 416封装可以焊接使用波或

回流

在修改后的鸥翼引线吸收热应力

焊接消除损伤到芯片的可能性

提供8毫米， 7寸/ 3000单位带卷&

无铅包可用

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

3

销1

BASE

（输入）

3脚

集热器

（输出）

R1

R2

销2

辐射源

（接地）

记号

图

2

1

SC75/SOT416

CASE 463

风格1

XX M

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

XX =具体设备守则

M =日期代码

热特性

等级

器件总功耗，

FR- 4板（注1 ） @ T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境（注1 ）

器件总功耗，

FR- 4板（注2 ） @ T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境（注2 ）

结温和存储温度范围

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0

×

1.0英寸的垫

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

订购信息

查看详细的订购，标记，并在发货信息

包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。

符号

P

D

价值

200

1.6

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

R

qJA

P

D

600

300

2.4

R

qJA

T

J

, T

英镑

400

-55

+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

1

2005年1月 - 修订版6

出版订单号：

DTC114EET1/D

DTC114EET1系列

订购信息，设备标识和电阻值

设备

DTC114EET1

DTC114EET1G

DTC124EET1

DTC124EET1G

DTC144EET1

DTC144EET1G

DTC114YET1

DTC114YET1G

DTC114TET1

DTC114TET1G

DTC143TET1

DTC143TET1G

DTC123EET1

DTC123EET1G

DTC143EET1

DTC143EET1G

DTC143ZET1

DTC143ZET1G

DTC124XET1

DTC124XET1G

DTC123JET1

DTC123JET1G

DTC115EET1

DTC115EET1G

DTC144WET1

记号

8A

8B

8C

8D

94

8F

8H

8J

8K

8L

8M

8N

8P

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

2.2

4.7

47

100

22

包

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

3000磁带&卷轴

航运

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

2

DTC114EET1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

DTC114EET1

DTC124EET1

DTC144EET1

DTC114YET1

DTC114TET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

DTC115EET1

DTC144WET1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

基本特征

（注3）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

DTC114EET1

DTC124EET1

DTC144EET1

DTC114YET1

DTC114TET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

DTC115EET1

DTC144WET1

h

FE

35

60

80

160

8.0

15

80

60

100

140

350

15

30

200

150

140

150

140

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的DTC123EET1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的DTC143TET1 / DTC114TET1 /

DTC143EET1/DTC143ZET1/DTC124XET1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

DTC114EET1

DTC124EET1

DTC114YET1

DTC114TET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

DTC144EET1

DTC115EET1

DTC144WET1

V

CE （ SAT ）

V

OL

V

OH

4.9

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

DTC143TET1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0千瓦）

DTC143ZET1

DTC114TET1

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

VDC

http://onsemi.com

3

DTC114EET1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

输入电阻

TC114EET1

DTC124EET1

DTC144EET1

DTC114YET1

DTC114TET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

DTC115EET1

DTC144WET1

DTC114EET1/DTC124EET1/DTC144EET1/

DTC115EET1

DTC114YET1

DTC143TET1/DTC114TET1

DTC123EET1/DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

DTC144WET1D

250

PD ，功耗（毫瓦）

200

符号

R1

民

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

典型值

10

22

47

10

4.7

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

最大

13

28.6

61.1

13

6.1

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

单位

kW

电阻率

R

1

/R

2

150

100

50

0

50

R

qJA

= 60℃ / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

R（T ），归一化瞬态热阻

1.0

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.1

0.01

单脉冲

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T，时间（S ）

1.0

10

100

1000

图2.归热响应

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4

DTC114EET1系列

电气特性 - DTC114EET1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= 25°C

25°C

0.1

75°C

1000

的hFE ， DC电流增益（标准化）

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

100

0.01

0.001

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图3. V

CE （ SAT ）

与我

C

图4.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

0.1

25°C

T

A

= 25°C

COB，电容（pF ）

3

2

1

0.01

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图5.输出电容

图6.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图7.输入电压与输出电流

http://onsemi.com

5

DTC114EET1系列，

SDTC114EET1系列

偏置电阻晶体管

NPN硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻

晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管

由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极

电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少

系统成本和电路板空间。该设备被容纳在

SC - 75 / SOT- 416封装，专为低功耗表面

安装应用程序。

特点

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NPN硅

偏置电阻晶体管

3脚

集热器

（输出）

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

在SC - 75 / SOT- 416封装可以焊接使用波或

回流

在修改后的鸥翼引线吸收热应力

焊接消除损伤到芯片的可能性

无铅包可用

S前缀为汽车和独特需要其他应用程序

站点和控制变化的要求; AEC - Q101标准和

PPAP有能力

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

销1

BASE

（输入）

R1

R2

销2

辐射源

（接地）

3

2

1

SC- 75 （ SOT- 416 ）

CASE 463

风格1

标记图

热特性

等级

器件总功耗，

FR- 4板（注1 ） @ T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境（注1 ）

器件总功耗，

FR- 4板（注2 ） @ T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境（注2 ）

结温和存储温度

范围

符号

P

D

价值

200

1.6

600

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

XX M

G

R

qJA

P

D

300

2.4

400

55

+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

=具体设备守则

XX = （参见第2页）

M

=日期代码*

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向可能有所不同

在制造地点。

xx

R

qJA

T

J

, T

英镑

订购信息

查看详细的订购，标记，并在发货信息

包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0

×

1.0英寸的垫

半导体元件工业有限责任公司， 2012

， 2012年5月

启示录12

1

出版订单号：

DTC114EET1/D

DTC114EET1系列， SDTC114EET1系列

订购信息，设备标识和电阻值

设备

DTC114EET1

DTC114EET1G

SDTC114EET1G

DTC124EET1

DTC124EET1G

SDTC124EET1G

DTC144EET1

DTC144EET1G

DTC114YET1

DTC114YET1G

SDTC114YET1G

DTC114TET1

DTC114TET1G

DTC143TET1

DTC143TET1G

DTC123EET1

DTC123EET1G

DTC143EET1

DTC143EET1G

DTC143ZET1

DTC143ZET1G

DTC124XET1

DTC124XET1G

DTC123JET1

DTC123JET1G

DTC115EET1

DTC115EET1G

DTC144WET1

DTC144WET1G

8N

100

8M

2.2

47

8L

22

47

8K

4.7

47

8J

4.7

8H

2.2

8F

4.7

∞

94

10

∞

8D

10

47

8C

47

8B

22

8A

10

记号

R1 （ K）

R2 （ K）

包

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

（无铅）

SC75/SOT416

航运

3000磁带&卷轴

8P

47

22

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

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2

DTC114EET1系列， SDTC114EET1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

DTC114EET1 ， SDTC114EET1

DTC124EET1 ， SDTC124EET1

DTC144EET1

DTC114YET1 ， SDTC114YET1

DTC114TET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

DTC115EET1

DTC144WET1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

基本特征

（注3）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

DTC114EET1 ， SDTC114EET1

DTC124EET1 ， SDTC124EET1

DTC144EET1

DTC114YET1 ， SDTC114YET1

DTC114TET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

DTC115EET1

DTC144WET1

h

FE

35

60

80

160

8.0

15

80

60

100

140

350

15

30

200

150

140

150

140

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的DTC123EET1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的DTC143TET1 / DTC114TET1 /

DTC143EET1/DTC143ZET1/DTC124XET1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

DTC114EET1 ， SDTC114EET1

DTC124EET1 ， SDTC124EET1

DTC114YET1 ， SDTC114YET1

DTC114TET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

DTC144EET1

DTC115EET1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0千瓦）

DTC144WET1

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0千瓦）

DTC143TET1

DTC143ZET1

DTC114TET1

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

V

CE （ SAT ）

V

OL

V

OH

4.9

0.2

VDC

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3

DTC114EET1系列， SDTC114EET1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

输入电阻

SDTC114EET1 ， SDTC114ET1

DTC124EET1 ， SDTC124EET1

DTC144EET1

DTC114YET1 ， SDTC114YET1

DTC114TET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

DTC115EET1

DTC144WET1

DTC114EET1/SDTC114EET1/DTC115EET1

DTC124EET1/SDTC124EET1/DTC144EET1

DTC114YET1/SDTC114YET1

DTC143TET1/DTC114TET1

DTC123EET1/DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

DTC144WET1D

250

PD ，功耗（毫瓦）

符号

R1

民

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

典型值

10

22

47

10

4.7

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

最大

13

28.6

61.1

13

6.1

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

单位

kW

电阻率

R

1

/R

2

200

150

100

50

R

qJA

= 60℃ / W

0

- 50

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

R（T ），归一化瞬态热阻

1.0

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T，时间（S ）

1.0

10

100

1000

0.1

图2.归热响应

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4

DTC114EET1系列， SDTC114EET1系列

典型电气特性

DTC114EET1 ， SDTC114EET1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= -25°C

25°C

0.1

75°C

1000

HFE ， DC电流增益（标准化）

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

-25°C

100

0.01

0.001

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图3. V

CE （ SAT ）

与我

C

图4.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

T

A

= 25°C

OB ，电容（pF ）

3

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

25°C

T

A

= -25°C

1

2

0.1

1

0.01

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图5.输出电容

图6.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= -25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图7.输入电压与输出电流

http://onsemi.com

5