晶体管
DTA115EM / DTA115EE / DTA115EUA
DTA115EKA / DTA115ESA
数字晶体管（内置电阻）
DTA115EM / DTA115EE / DTA115EUA /
DTA115EKA / DTA115ESA
特点
1 ）内置偏置电阻实现的配置
无需连接外部输入逆变器电路
电阻（见等效电路） 。
2）偏置电阻由薄膜电阻与
完全隔离，允许输入的正偏压，
和寄生效应几乎完全消除。
3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设定，
使装置的设计容易。
4 ）更高的安装密度可以实现。
等效电路
R
1
R
2
IN
OUT
GND （+）
IN
GND （+）
OUT
结构
PNP数字晶体管（内置电阻型）
外形尺寸
（单位：毫米）
DTA115EM
0.2
1.2
0.32
DTA115EE
1.2
0.8
(2)
(3)
(1)
1.6±0.2
1.0±0.1
0.2
0.4 0.4
0.8
+0.1
0.2
0.05
(1)
0.5 0.5
+0.1
0.2
0.05
0.8±0.1
1.6±0.2
0.7±0.1
0.55±0.1
0.5
0.22
(2)
0~0.1
0.13
0~0.1
0.15Max.
ROHM ： VMT3
ROHM ： EMT3
+0.1
0.3
0.05
0.15±0.05
缩写符号： 19
缩写符号： 19
DTA115EUA
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65 0.65
(1)
(2)
1.25±0.1
2.1±0.1
DTA115EKA
0.9±0.1
0.2
0.7±0.1
(1)
0~0.1
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
(2)
1.6
+0.2
0.1
2.8±0.2
1.1
+0.2
0.1
0.8±0.1
0.1Min.
（1）在
（2）接地
（3）输出
(3)
（1）接地
（2）在
（3）输出
0~0.1
(3)
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
（1）接地
（2）在
（3）输出
0.3Min.
0.3
+0.1
0.15±0.05
0
所有的终端都有相同的尺寸
0.1Min.
(3)
+0.1
0.15
0.06
0.4
+0.1
0.05
所有的终端都有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
缩写符号： 19
（1）接地
（2）在
（3）输出
缩写符号： 19
DTA115ESA
3
±
0.2
4
±
0.2
2
±
0.2
(15Min.)
0.45
+
0.15
0.05
3Min.
5
2.5
+
0.4
0.1
0.5
0.45
+
0.15
0.05
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
（1）接地
（2）输出
（3）在
(1) (2) (3)
Rev.A的
1/3
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
电源电压
输入电压
输出电流
动力
耗散
DTA115EM / DTA115EE
DTA115EUA / DTA115EKA
DTA115EM / DTA115EE / DTA115EUA
DTA115EKA / DTA115ESA
符号
V
CC
V
I
I
O
I
C（最大值）。
Pd
Tj
TSTG
范围
50
40
to
+10
20
100
150
200
300
150
55
to
+150
mW
°C
°C
单位
V
V
mA
DTA115ESA
结温
储存温度
电气特性
(Ta=25°C)
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
3
82
70
0.8
典型值。
0.1
100
1
250
马克斯。
0.5
0.3
0.15
0.5
130
1.2
单位
V
V
mA
A
k
兆赫
条件
V
CC
= 5V,
I
O
= 100A
V
O
= 0.3V,
I
O
= -1mA
I
O
= -5mA ，
I
I
= -0.25mA
V
I
= 5V
V
CC
= 50V,
V
I
=0V
I
O
= -5mA ，
V
O
= 5V
V
CE
= 10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
跃迁频率
该装置的过渡频率。
包装，标志和包装规格
TYPE
DTA115EM
DTA115EE
DTA115EUA
DTA115EKA
DTA115ESA
包
记号
包装代码
基本订购单位（件）
VMT3
19
T2L
8000
EMT3
19
TL
3000
UMT3
19
T106
3000
SMT3
19
T146
3000
SPT
TP
5000
Rev.A的
2/3
晶体管
电气特性曲线
100
50
DTA115EM / DTA115EE / DTA115EUA
DTA115EKA / DTA115ESA
10m
5m
V
CC
=5V
1k
500
Ta=100°C
V
O
=0.3V
输出电流：我
O
(A)
V
O
=5V
Ta=100°C
输入电压： V
I
(
on
)
(V)
直流电流增益：摹
I
2m
1m
500
20
10
5
TA
40°C
Ta=25°C
200
100
50
20
10
5
2
Ta=25°C
Ta=25°C
200
100
50
20
10
5
2
1
0
TA
40°C
2
1
500m
Ta=100°C
TA
40°C
200m
100m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
500m
1
1.5
2
2.5
3
1
10
20
50 100 200
500 1m
2m
5m 10m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
I
（关）（ Ⅴ）
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出电流
1
500m
I
O
/I
I
=20/1
输出电压： V
O
(
on
)
(V)
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
10
20
50 100 200
Ta=25°C
Ta=100°C
TA
40°C
500 1m
2m
5m 10m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出电流
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
晶体管
DTC115EM / DTC115EE / DTC115EUA
DTC115EKA / DTC115ESA
数字晶体管（内置电阻）
DTC115EM / DTC115EE / DTC115EUA
DTC115EKA / DTC115ESA
!
特点
1 ）内置偏置电阻使逆变器电路的结构
没有连接外部输入电阻（见等效
电路） 。
2）偏置电阻组成的薄膜电阻具有完整
隔离，以使输入的负偏压，而寄生
影响几乎完全消除。
3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设定，使得
装置的设计容易。
4 ）更高的安装密度可以实现。
!
等效电路
R
1
R
2
IN
OUT
GND
IN
GND
OUT
!
结构
NPN型数字晶体管（具有内置电阻）
!
外形尺寸
（单位：毫米）
DTC115EM
0.2
1.2
0.32
DTC115EE
1.2
0.8
(2)
(3)
(1)
1.6±0.2
1.0±0.1
0.2
0.4 0.4
0.8
+0.1
0.2
0.05
(1)
0.5 0.5
+0.1
0.2
0.05
0.8±0.1
1.6±0.2
0.7±0.1
0.55±0.1
0.5
0.22
(2)
0~0.1
0.13
0~0.1
0.15Max.
ROHM ： VMT3
ROHM ： EMT3
+0.1
0.3
0.05
0.15±0.05
缩写符号： 29
缩写符号： 29
DTC115EUA
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65 0.65
(1)
(2)
1.25±0.1
2.1±0.1
DTC115EKA
0.9±0.1
0.2
0.7±0.1
(1)
0~0.1
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
(2)
1.6
+0.2
0.1
2.8±0.2
1.1
+0.2
0.1
0.8±0.1
0.1Min.
（1）在
（2）接地
（3）输出
(3)
（1）接地
（2）在
（3）输出
0~0.1
(3)
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
缩写符号： 29
（1）接地
（2）在
（3）输出
0.3Min.
0.3
+0.1
0.15±0.05
0
所有的终端都有相同的尺寸
0.1Min.
(3)
+0.1
0.15
0.06
0.4
+0.1
0.05
所有的终端都有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
（1）接地
（2）在
（3）输出
缩写符号： 29
DTC115ESA
3
±
0.2
4
±
0.2
2
±
0.2
(15Min.)
0.45
+
0.15
0.05
3Min.
5
2.5
+
0.4
0.1
0.5
0.45
+
0.15
0.05
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
(1) (2) (3)
（1）接地
（2）输出
（3）在
晶体管
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
电源电压
输入电压
输出电流
DTC115EM / DTC115EE
动力
耗散
DTC115EUA / DTC115EKA
DTC115ESA
Tj
TSTG
Pd
符号
V
CC
V
I
I
O
I
C（最大值）。
DTC115EM / DTC115EE / DTC115EUA
DTC115EKA / DTC115ESA
范围
50
10~+40
20
100
150
200
300
150
55~+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
结温
储存温度
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
3
82
70
0.8
典型值。
0.1
100
1
250
马克斯。
0.5
0.3
0.15
0.5
130
1.2
单位
V
V
mA
A
k
兆赫
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=1mA
I
O
=5mA,
I
I
=0.25mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
I
O
=5mA,
V
O
=5V
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
条件
跃迁频率
*转换
频设备。
!
包装，标志和包装规格
TYPE
DTC115EM
DTC115EE
DTC115EUA
DTC115EKA
DTC115ESA
包
记号
包装代码
基本订购单位（件）
VMT3
29
T2L
8000
EMT3
29
TL
3000
UMT3
29
T106
3000
SMT3
29
T146
3000
SPT
TP
5000
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
晶体管
DTA115EM / DTA115EE / DTA115EUA
DTA115EKA / DTA115ESA
数字晶体管（内置电阻）
DTA115EM / DTA115EE / DTA115EUA /
DTA115EKA / DTA115ESA
特点
1 ）内置偏置电阻实现的配置
无需连接外部输入逆变器电路
电阻（见等效电路） 。
2）偏置电阻由薄膜电阻与
完全隔离，允许输入的正偏压，
和寄生效应几乎完全消除。
3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设定，
使装置的设计容易。
4 ）更高的安装密度可以实现。
等效电路
R
1
R
2
IN
OUT
GND （+）
IN
GND （+）
OUT
结构
PNP数字晶体管（内置电阻型）
外形尺寸
（单位：毫米）
DTA115EM
0.2
1.2
0.32
DTA115EE
1.2
0.8
(2)
(3)
(1)
1.6±0.2
1.0±0.1
0.2
0.4 0.4
0.8
+0.1
0.2
0.05
(1)
0.5 0.5
+0.1
0.2
0.05
0.8±0.1
1.6±0.2
0.7±0.1
0.55±0.1
0.5
0.22
(2)
0~0.1
0.13
0~0.1
0.15Max.
ROHM ： VMT3
ROHM ： EMT3
+0.1
0.3
0.05
0.15±0.05
缩写符号： 19
缩写符号： 19
DTA115EUA
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65 0.65
(1)
(2)
1.25±0.1
2.1±0.1
DTA115EKA
0.9±0.1
0.2
0.7±0.1
(1)
0~0.1
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
(2)
1.6
+0.2
0.1
2.8±0.2
1.1
+0.2
0.1
0.8±0.1
0.1Min.
（1）在
（2）接地
（3）输出
(3)
（1）接地
（2）在
（3）输出
0~0.1
(3)
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
（1）接地
（2）在
（3）输出
0.3Min.
0.3
+0.1
0.15±0.05
0
所有的终端都有相同的尺寸
0.1Min.
(3)
+0.1
0.15
0.06
0.4
+0.1
0.05
所有的终端都有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
缩写符号： 19
（1）接地
（2）在
（3）输出
缩写符号： 19
DTA115ESA
3
±
0.2
4
±
0.2
2
±
0.2
(15Min.)
0.45
+
0.15
0.05
3Min.
5
2.5
+
0.4
0.1
0.5
0.45
+
0.15
0.05
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
（1）接地
（2）输出
（3）在
(1) (2) (3)
Rev.A的
1/3
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
电源电压
输入电压
输出电流
动力
耗散
DTA115EM / DTA115EE
DTA115EUA / DTA115EKA
DTA115EM / DTA115EE / DTA115EUA
DTA115EKA / DTA115ESA
符号
V
CC
V
I
I
O
I
C（最大值）。
Pd
Tj
TSTG
范围
50
40
to
+10
20
100
150
200
300
150
55
to
+150
mW
°C
°C
单位
V
V
mA
DTA115ESA
结温
储存温度
电气特性
(Ta=25°C)
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
3
82
70
0.8
典型值。
0.1
100
1
250
马克斯。
0.5
0.3
0.15
0.5
130
1.2
单位
V
V
mA
A
k
兆赫
条件
V
CC
= 5V,
I
O
= 100A
V
O
= 0.3V,
I
O
= -1mA
I
O
= -5mA ，
I
I
= -0.25mA
V
I
= 5V
V
CC
= 50V,
V
I
=0V
I
O
= -5mA ，
V
O
= 5V
V
CE
= 10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
跃迁频率
该装置的过渡频率。
包装，标志和包装规格
TYPE
DTA115EM
DTA115EE
DTA115EUA
DTA115EKA
DTA115ESA
包
记号
包装代码
基本订购单位（件）
VMT3
19
T2L
8000
EMT3
19
TL
3000
UMT3
19
T106
3000
SMT3
19
T146
3000
SPT
TP
5000
Rev.A的
2/3
晶体管
电气特性曲线
100
50
DTA115EM / DTA115EE / DTA115EUA
DTA115EKA / DTA115ESA
10m
5m
V
CC
=5V
1k
500
Ta=100°C
V
O
=0.3V
输出电流：我
O
(A)
V
O
=5V
Ta=100°C
输入电压： V
I
(
on
)
(V)
直流电流增益：摹
I
2m
1m
500
20
10
5
TA
40°C
Ta=25°C
200
100
50
20
10
5
2
Ta=25°C
Ta=25°C
200
100
50
20
10
5
2
1
0
TA
40°C
2
1
500m
Ta=100°C
TA
40°C
200m
100m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
500m
1
1.5
2
2.5
3
1
10
20
50 100 200
500 1m
2m
5m 10m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
I
（关）（ Ⅴ）
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出电流
1
500m
I
O
/I
I
=20/1
输出电压： V
O
(
on
)
(V)
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
10
20
50 100 200
Ta=25°C
Ta=100°C
TA
40°C
500 1m
2m
5m 10m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出电流
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
百毫安/ 50V数字晶体管
（具有内置电阻体）
DTC115EM / DTC115EE / DTC115EUA / DTC115EKA
应用
逆变器，接口，驱动器
特点
1 ）内置偏置电阻使逆变器电路的结构
没有连接外部输入电阻器（参见等效电路） 。
2）偏置电阻由薄膜电阻与
完全隔离，允许输入的负偏置，
和寄生效应几乎完全消除。
3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设定，
使得装置的设计容易。
4 ）更高的安装密度可以实现。
内部电路
IN
R
1
R
2
OUT
GND
IN
GND
OUT
R
1
=R
2
=100k
结构
NPN型外延平面硅晶体管（电阻内置型）
尺寸
（单位：毫米）
DTC115EM
0.2
1.2
0.32
(3)
DTC115EE
1.6
0.3
(3)
0.7
0.55
0.8
1.2
0.8
0.13
0.5
(2)
(1)
0.2
0.4 0.4
0.8
0.2
0.2
0.5 0.5
1.0
0.15
ROHM ： VMT3
（1）在
（2）接地
（3）输出
0.1Min.
0.22
(1)(2)
1.6
缩写符号： 29
ROHM ： EMT3
缩写符号： 29
2.9
0.4
(3)
（1）接地
（2）在
（3）输出
DTC115EUA
2.0
0.3
(3)
0.9
0.2
0.7
DTC115EKA
1.1
0.8
1.25
2.1
(2)
(1)
0.1Min.
0.65 0.65
0.95 0.95
0.15
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
1.3
0.15
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： 29
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
1.9
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： 29
包装规格
包
包装类型
产品型号
DTC115EM
DTC115EE
DTC115EUA
DTC115EKA
CODE
基本订购单位（件）
VMT3
TAPING
T2L
8000
EMT3
TAPING
TL
3000
UMT3
TAPING
T106
3000
SMT3
TAPING
T146
3000
www.rohm.com
c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
0.3Min.
（1）接地
（2）在
（3）输出
(2)
(1)
1.6
2.8
（1）接地
（2）在
（3）输出
1/2
2009.05 - Rev.B的
DTC115EM / DTC115EE / DTC115EUA / DTC115EKA
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
电源电压
输入电压
输出电流
DTC115EM / DTC115EE
动力
DTC115EUA / DTC115EKA
耗散
结温
储存温度
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）。
P
D
Tj
TSTG
范围
50
10
to
+40
20
100
150
200
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
数据表
电气特性
(Ta=25°C)
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
3
82
70
0.8
典型值。
0.1
100
1
250
马克斯。
0.5
0.3
0.15
0.5
130
1.2
单位
V
V
mA
A
k
兆赫
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=1mA
I
O
=5mA,
I
I
=0.25mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
I
O
=5mA,
V
O
=5V
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
跃迁频率
内置的晶体管的特性
电气特性曲线
10
TA
－
40
℃
输出电流：我
O
（MA ）
输入电压： V
I
（上） （V）的
25
℃
85
℃
125
℃
10
V
CC
= 5V
1
1
0.1
Ta=125
℃
85
℃
25
℃
－
40
℃
0.1
0.01
V
0
= 0.3V
0.1
1
10
100
0.01
0
1
2
3
输入电压： V
I
（关）（ Ⅴ）
输出电流：我
O
（MA ）
1000
Ta=125
℃
85
℃
DC CURENT GAIN ：摹
I
100
25
℃
－
40
℃
V
O
= 5V
输出电压： V
O
（上） （V）的
1
I
C
/I
I
=20
Ta=125
℃
85
℃
25
℃
－
40
℃
0.1
10
1
0.01
0.1
1
10
输出当前：我
O
（MA ）
100
0.01
0.1
1
10
100
OUOPUT电流：I
O
（MA ）
www.rohm.com
c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
2/2
2009.05 - Rev.B的
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更，恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，
燃料控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任
任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请与我们联系。
ROHM的客户支持系统
http://www.rohm.com/contact/
www.rohm.com
2009 ROHM有限公司保留所有权利。
R0039A
晶体管
DTC115EM / DTC115EE / DTC115EUA
DTC115EKA / DTC115ESA
数字晶体管（内置电阻）
DTC115EM / DTC115EE / DTC115EUA
DTC115EKA / DTC115ESA
!
特点
1 ）内置偏置电阻使逆变器电路的结构
没有连接外部输入电阻（见等效
电路） 。
2）偏置电阻组成的薄膜电阻具有完整
隔离，以使输入的负偏压，而寄生
影响几乎完全消除。
3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设定，使得
装置的设计容易。
4 ）更高的安装密度可以实现。
!
等效电路
R
1
R
2
IN
OUT
GND
IN
GND
OUT
!
结构
NPN型数字晶体管（具有内置电阻）
!
外形尺寸
（单位：毫米）
DTC115EM
0.2
1.2
0.32
DTC115EE
1.2
0.8
(2)
(3)
(1)
1.6±0.2
1.0±0.1
0.2
0.4 0.4
0.8
+0.1
0.2
0.05
(1)
0.5 0.5
+0.1
0.2
0.05
0.8±0.1
1.6±0.2
0.7±0.1
0.55±0.1
0.5
0.22
(2)
0~0.1
0.13
0~0.1
0.15Max.
ROHM ： VMT3
ROHM ： EMT3
+0.1
0.3
0.05
0.15±0.05
缩写符号： 29
缩写符号： 29
DTC115EUA
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65 0.65
(1)
(2)
1.25±0.1
2.1±0.1
DTC115EKA
0.9±0.1
0.2
0.7±0.1
(1)
0~0.1
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
(2)
1.6
+0.2
0.1
2.8±0.2
1.1
+0.2
0.1
0.8±0.1
0.1Min.
（1）在
（2）接地
（3）输出
(3)
（1）接地
（2）在
（3）输出
0~0.1
(3)
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
缩写符号： 29
（1）接地
（2）在
（3）输出
0.3Min.
0.3
+0.1
0.15±0.05
0
所有的终端都有相同的尺寸
0.1Min.
(3)
+0.1
0.15
0.06
0.4
+0.1
0.05
所有的终端都有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
（1）接地
（2）在
（3）输出
缩写符号： 29
DTC115ESA
3
±
0.2
4
±
0.2
2
±
0.2
(15Min.)
0.45
+
0.15
0.05
3Min.
5
2.5
+
0.4
0.1
0.5
0.45
+
0.15
0.05
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
(1) (2) (3)
（1）接地
（2）输出
（3）在
晶体管
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
电源电压
输入电压
输出电流
DTC115EM / DTC115EE
动力
耗散
DTC115EUA / DTC115EKA
DTC115ESA
Tj
TSTG
Pd
符号
V
CC
V
I
I
O
I
C（最大值）。
DTC115EM / DTC115EE / DTC115EUA
DTC115EKA / DTC115ESA
范围
50
10~+40
20
100
150
200
300
150
55~+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
结温
储存温度
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
3
82
70
0.8
典型值。
0.1
100
1
250
马克斯。
0.5
0.3
0.15
0.5
130
1.2
单位
V
V
mA
A
k
兆赫
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=1mA
I
O
=5mA,
I
I
=0.25mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
I
O
=5mA,
V
O
=5V
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
条件
跃迁频率
*转换
频设备。
!
包装，标志和包装规格
TYPE
DTC115EM
DTC115EE
DTC115EUA
DTC115EKA
DTC115ESA
包
记号
包装代码
基本订购单位（件）
VMT3
29
T2L
8000
EMT3
29
TL
3000
UMT3
29
T106
3000
SMT3
29
T146
3000
SPT
TP
5000
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
晶体管
DTC115EM / DTC115EE / DTC115EUA
DTC115EKA / DTC115ESA
数字晶体管（内置电阻）
DTC115EM / DTC115EE / DTC115EUA
DTC115EKA / DTC115ESA
!
特点
1 ）内置偏置电阻使逆变器电路的结构
没有连接外部输入电阻（见等效
电路） 。
2）偏置电阻组成的薄膜电阻具有完整
隔离，以使输入的负偏压，而寄生
影响几乎完全消除。
3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设定，使得
装置的设计容易。
4 ）更高的安装密度可以实现。
!
等效电路
R
1
R
2
IN
OUT
GND
IN
GND
OUT
!
结构
NPN型数字晶体管（具有内置电阻）
!
外形尺寸
（单位：毫米）
DTC115EM
0.2
1.2
0.32
DTC115EE
1.2
0.8
(2)
(3)
(1)
1.6±0.2
1.0±0.1
0.2
0.4 0.4
0.8
+0.1
0.2
0.05
(1)
0.5 0.5
+0.1
0.2
0.05
0.8±0.1
1.6±0.2
0.7±0.1
0.55±0.1
0.5
0.22
(2)
0~0.1
0.13
0~0.1
0.15Max.
ROHM ： VMT3
ROHM ： EMT3
+0.1
0.3
0.05
0.15±0.05
缩写符号： 29
缩写符号： 29
DTC115EUA
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65 0.65
(1)
(2)
1.25±0.1
2.1±0.1
DTC115EKA
0.9±0.1
0.2
0.7±0.1
(1)
0~0.1
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
(2)
1.6
+0.2
0.1
2.8±0.2
1.1
+0.2
0.1
0.8±0.1
0.1Min.
（1）在
（2）接地
（3）输出
(3)
（1）接地
（2）在
（3）输出
0~0.1
(3)
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
缩写符号： 29
（1）接地
（2）在
（3）输出
0.3Min.
0.3
+0.1
0.15±0.05
0
所有的终端都有相同的尺寸
0.1Min.
(3)
+0.1
0.15
0.06
0.4
+0.1
0.05
所有的终端都有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
（1）接地
（2）在
（3）输出
缩写符号： 29
DTC115ESA
3
±
0.2
4
±
0.2
2
±
0.2
(15Min.)
0.45
+
0.15
0.05
3Min.
5
2.5
+
0.4
0.1
0.5
0.45
+
0.15
0.05
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
(1) (2) (3)
（1）接地
（2）输出
（3）在
晶体管
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
电源电压
输入电压
输出电流
DTC115EM / DTC115EE
动力
耗散
DTC115EUA / DTC115EKA
DTC115ESA
Tj
TSTG
Pd
符号
V
CC
V
I
I
O
I
C（最大值）。
DTC115EM / DTC115EE / DTC115EUA
DTC115EKA / DTC115ESA
范围
50
10~+40
20
100
150
200
300
150
55~+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
结温
储存温度
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
3
82
70
0.8
典型值。
0.1
100
1
250
马克斯。
0.5
0.3
0.15
0.5
130
1.2
单位
V
V
mA
A
k
兆赫
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=1mA
I
O
=5mA,
I
I
=0.25mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
I
O
=5mA,
V
O
=5V
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
条件
跃迁频率
*转换
频设备。
!
包装，标志和包装规格
TYPE
DTC115EM
DTC115EE
DTC115EUA
DTC115EKA
DTC115ESA
包
记号
包装代码
基本订购单位（件）
VMT3
29
T2L
8000
EMT3
29
TL
3000
UMT3
29
T106
3000
SMT3
29
T146
3000
SPT
TP
5000
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
DTC115E系列
NPN 100毫安50V数字晶体管（偏置电阻内置晶体管）
数据表
l
概要
参数
V
CC
I
C（最大值）。
R
1
R
2
价值
50V
100mA
100kΩ
100kΩ
VMT3
EMT3F
DTC115EM
(SC-105AA)
EMT3
DTC115EEB
(SC-89)
UMT3
l
特点
1 ）内置偏置电阻，R
1
= R
2
= 100kΩ
2 ）内置偏置电阻实现的配置
没有连接外部的逆变器电路
输入电阻（请参见内部电路） 。
3）偏置电阻组成的薄膜电阻
完全隔离，允许负偏置
输入的。它们还具有的优点
完全消除了寄生效应。
4）仅在开/关的条件，需要设置
对于操作，使得电路设计容易。
5 ）互补PNP类型： DTA115E系列
6 ）无铅/符合RoHS标准。
DTC115EE
SOT-416(SC-75A)
SMT3
DTC115EUA
SOT-323(SC-70)
DTC115EKA
SOT-346(SC-59)
l
内部电路
l
应用
开关电路，逆变电路，接口电路，
驱动电路
l
包装规格
产品型号
DTC115EM
DTC115EEB
DTC115EE
DTC115EUA
DTC115EKA
包
VMT3
EMT3F
EMT3
UMT3
SMT3
包
SIZE
1212
1616
1616
2021
2928
TAPING
CODE
T2L
TL
TL
T106
T146
大小盘磁带宽度
(mm)
(mm)
180
180
180
180
180
8
8
8
8
8
BASIC
订购
单位（个）
8000
3000
3000
3000
3000
记号
29
29
29
29
29
www.rohm.com
2012 ROHM有限公司保留所有权利。
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20121023 - Rev.001
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