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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第288页 > DTC115EM3T5G
DTC114EM3T5G系列
数字晶体管（ BRT ）
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。数字晶体管
包含一个带有整体式偏置网络由单个晶体管
两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。该
数字晶体管被消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用数字晶体管可以
同时降低系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SOT- 723封装，专为低功耗表面贴装
应用程序。
特点
http://onsemi.com
NPN硅数字
晶体管
3脚
集热器
（输出）
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT - 723封装可以用波或回流焊接。
可在4毫米， 8000单位带卷&
这些无铅器件
销1
BASE
（输入）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
3
1
2
SOT723
CASE 631AA
风格1
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
标记图
xx
XX =具体设备守则
（见第2页上的标记表）
M =日期代码
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年3月
第4版
1
出版订单号：
DTC114EM3/D
M
DTC114EM3T5G系列
器件标识和电阻值
设备
DTC114EM3T5G
DTC124EM3T5G
DTC144EM3T5G
DTC114YM3T5G
DTC114TM3T5G
DTC143TM3T5G
DTC123EM3T5G
DTC143EM3T5G
DTC143ZM3T5G*
DTC124XM3T5G*
DTC123JM3T5G
DTC115EM3T5G
DTC144WM3T5G*
DTC144TM3T5G
记号
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
8T
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
47
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
2.2
4.7
47
47
47
100
22
∞
SOT723
（无铅）
8000 /磁带&卷轴
包
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*可根据客户的要求。
热特性
特征
器件总功耗，
FR- 4板（注1 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注1 ）
器件总功耗，
FR- 4板（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注2 ）
结温和存储温度范围
1， FR- 4 @最小焊盘。
2. FR- 4 @ 1.0
×
1.0英寸的垫。
符号
P
D
最大
260
2.0
480
600
4.8
205
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
qJA
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
http://onsemi.com
2
DTC114EM3T5G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
DTC114EM3T5G
DTC124EM3T5G
DTC144EM3T5G
DTC114YM3T5G
DTC114TM3T5G
DTC143TM3T5G
DTC123EM3T5G
DTC143EM3T5G
DTC143ZM3T5G
DTC124XM3T5G
DTC123JM3T5G
DTC115EM3T5G
DTC144WM3T5G
DTC144TM3T5G
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
0.2
NADC
NADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
（注3）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
DTC114EM3T5G
DTC124EM3T5G
DTC144EM3T5G
DTC114YM3T5G
DTC114TM3T5G
DTC143TM3T5G
DTC123EM3T5G
DTC143EM3T5G
DTC143ZM3T5G
DTC124XM3T5G
DTC123JM3T5G
DTC115EM3T5G
DTC144WM3T5G
DTC144TM3T5G
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
h
FE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
160
60
100
140
140
350
350
15
30
200
150
140
150
140
350
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的
DTC123EM3T5G
DTC143TM3T5G/DTC114TM3T5G/
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的
DTC143EM3T5G/DTC143ZM3T5G/
DTC124XM3T5G/DTC144TM3T5G
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTC114EM3T5G
DTC124EM3T5G
DTC114YM3T5G
DTC114TM3T5G
DTC143TM3T5G
DTC123EM3T5G
DTC143EM3T5G
DTC143ZM3T5G
DTC124XM3T5G
DTC123JM3T5G
DTC144EM3T5G
DTC144TM3T5G
DTC115EM3T5G
DTC144WM3T5G
V
CE （ SAT ）
V
OL
VDC
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％ 。
http://onsemi.com
3
DTC114EM3T5G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
基本特征
（注4 ）
特征
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTC143TM3T5G
DTC143ZM3T5G
DTC114TM3T5G
DTC144TM3T5G
输入电阻
DTC114EM3T5G
DTC124EM3T5G
DTC144EM3T5G
DTC114YM3T5G
DTC114TM3T5G
DTC143TM3T5G
DTC123EM3T5G
DTC143EM3T5G
DTC143ZM3T5G
DTC124XM3T5G
DTC123JM3T5G
DTC115EM3T5G
DTC144WM3T5G
DTC144TM3T5G
DTC114EM3T5G/DTC124EM3T5G/
DTC144EM3T5G/DTC115EM3T5G
DTC114YM3T5G
DTC143TM3T5G/DTC114TM3T5G/DTC144TM3T5G
DTC123EM3T5G/DTC143EM3T5G
DTC143ZM3T5G
DTC124XM3T5G
DTC123JM3T5G
DTC144WM3T5G
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％ 。
符号
V
OH
民
4.9
典型值
最大
单位
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
kW
电阻率
R
1
/R
2
PD ，功耗（毫瓦）
300
250
200
150
100
50
0
- 50
R
qJA
= 480 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
http://onsemi.com
4
DTC114EM3T5G系列
典型电气特性
DTC114EM3T5G
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
= -25°C
25°C
0.1
75°C
1000
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 10 V
T
A
= 75°C
25°C
-25°C
100
0.01
0.001
0
20
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
图3.直流电流增益
4
F = 1 MHz的
I
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
75°C
IC ，集电极电流（毫安）
10
25°C
T
A
= -25°C
COB，电容（pF ）
3
1
2
0.1
1
0.01
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（伏）
8
9
10
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
0.001
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
10
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
T
A
= -25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
图6.输入电压与输出电流
http://onsemi.com
5
DTC114EM3T5G系列
数字晶体管（ BRT ）
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。数字晶体管
包含一个带有整体式偏置网络由单个晶体管
两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。该
数字晶体管被消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用数字晶体管可以
同时降低系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SOT- 723封装，专为低功耗表面贴装
应用程序。
特点
http://onsemi.com
NPN硅数字
晶体管
3脚
集热器
（输出）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT - 723封装可以用波或回流焊接。
可在4毫米， 8000单位带卷&
这些无铅器件
销1
BASE
（输入）
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
3
SOT723
CASE 631AA
风格1
2
1
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
标记图
xx
XX =具体设备守则
（见第2页上的标记表）
M =日期代码
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年3月 - 第3版
出版订单号：
DTC114EM3/D
M
DTC114EM3T5G系列
器件标识和电阻值
设备
DTC114EM3T5G
DTC124EM3T5G
DTC144EM3T5G
DTC114YM3T5G
DTC114TM3T5G
DTC143TM3T5G
DTC123EM3T5G
DTC143EM3T5G
DTC143ZM3T5G*
DTC124XM3T5G*
DTC123JM3T5G
DTC115EM3T5G
DTC144WM3T5G*
DTC144TM3T5G
记号
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
8T
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
47
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
2.2
4.7
47
47
47
100
22
∞
SOT723
（无铅）
8000 /磁带&卷轴
包
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*可根据客户的要求。
热特性
特征
器件总功耗，
FR- 4板（注1 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注1 ）
器件总功耗，
FR- 4板（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注2 ）
结温和存储温度范围
1， FR- 4 @最小焊盘。
2. FR- 4 @ 1.0
×
1.0英寸的垫。
符号
P
D
260
2.0
R
qJA
P
D
600
4.8
R
qJA
T
J
, T
英镑
205
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
480
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
http://onsemi.com
2
DTC114EM3T5G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
DTC114EM3T5G
DTC124EM3T5G
DTC144EM3T5G
DTC114YM3T5G
DTC114TM3T5G
DTC143TM3T5G
DTC123EM3T5G
DTC143EM3T5G
DTC143ZM3T5G
DTC124XM3T5G
DTC123JM3T5G
DTC115EM3T5G
DTC144WM3T5G
DTC144TM3T5G
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
0.2
NADC
NADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
（注3）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
DTC114EM3T5G
DTC124EM3T5G
DTC144EM3T5G
DTC114YM3T5G
DTC114TM3T5G
DTC143TM3T5G
DTC123EM3T5G
DTC143EM3T5G
DTC143ZM3T5G
DTC124XM3T5G
DTC123JM3T5G
DTC115EM3T5G
DTC144WM3T5G
DTC144TM3T5G
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
h
FE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
160
60
100
140
140
350
350
15
30
200
150
140
150
140
350
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的
DTC123EM3T5G
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的
DTC143TM3T5G/DTC114TM3T5G/
DTC143EM3T5G/DTC143ZM3T5G/
DTC124XM3T5G/DTC144TM3T5G
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTC114EM3T5G
DTC124EM3T5G
DTC114YM3T5G
DTC114TM3T5G
DTC143TM3T5G
DTC123EM3T5G
DTC143EM3T5G
DTC143ZM3T5G
DTC124XM3T5G
DTC123JM3T5G
DTC144EM3T5G
DTC144TM3T5G
DTC115EM3T5G
DTC144WM3T5G
V
CE （ SAT ）
V
OL
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％ 。
http://onsemi.com
3
DTC114EM3T5G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
基本特征
（注4 ）
特征
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTC143TM3T5G
DTC143ZM3T5G
DTC114TM3T5G
DTC144TM3T5G
输入电阻
DTC114EM3T5G
DTC124EM3T5G
DTC144EM3T5G
DTC114YM3T5G
DTC114TM3T5G
DTC143TM3T5G
DTC123EM3T5G
DTC143EM3T5G
DTC143ZM3T5G
DTC124XM3T5G
DTC123JM3T5G
DTC115EM3T5G
DTC144WM3T5G
DTC144TM3T5G
DTC114EM3T5G/DTC124EM3T5G/
DTC144EM3T5G/DTC115EM3T5G
DTC114YM3T5G
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4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％ 。
符号
V
OH
民
4.9
典型值
最大
单位
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
kW
电阻率
R
1
/R
2
PD ，功耗（毫瓦）
300
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 480 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
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4
DTC114EM3T5G系列
电气特性 - DTC114EM3T5G
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
= 25°C
25°C
0.1
75°C
1000
V
CE
= 10 V
T
A
= 75°C
25°C
25°C
100
0.01
0.001
的hFE ， DC电流增益（标准化）
50
0
20
40
I
C
，集电极电流（毫安）
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
图3.直流电流增益
4
IC ，集电极电流（毫安）
F = 1 MHz的
I
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
75°C
10
1
0.1
25°C
T
A
= 25°C
OB ，电容（pF ）
3
2
1
0.01
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（伏）
8
9
10
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
0.001
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
10
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
T
A
= 25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
图6.输入电压与输出电流
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5
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