【百毫安/ 50V数字晶体管（具有内置电阻体）DTC115EEB应用逆变器，接口，驱动器特点1 ）内置】,IC型号DTC115EEB,DTC115EEB PDF资料,DTC115EEB经销商,ic,电子元器件-51电子网

百毫安/ 50V数字晶体管

（具有内置电阻体）

DTC115EEB

应用

逆变器，接口，驱动器

特点

1 ）内置偏置电阻实现的配置

没有连接外部的逆变器电路

输入电阻（见等效电路）。

2）每个偏置电阻器是一个薄膜电阻器。

因为它们是完全绝缘的，

输入可以是负偏置。保温也

消除了大部分的寄生效应。

3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设定，

使得装置的设计容易。

结构

NPN硅外延平面晶体管数字

包装规格

包

TYPE

CODE

基本订购单位（件）

DTC115EEB

R

1

尺寸

（单位：毫米）

EMT3F

(3)

(1)

(2)

缩写符号： 29

（1）在

（2）接地

（3）输出

每根导线具有相同的尺寸

内部电路

TAPING

TR

3000

R

2

OUT

(3)

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

符号

V

CC

V

IN

I

C（最大值）。

1

I

O

P

D

Tj

TSTG

2

(1)

IN

(2)

GND

范围

50

10

40

100

20

150

55

to

+150

单位

IN

OUT

GND

电源电压

输入电压

集电极电流

输出电流

功耗

结温

储存温度范围

V

mA

mW

°C

R

1

= 100kΩ的，R

2

=100k

1

内置的晶体管的特性

2

安装在一个推荐的焊盘的每个终端

www.rohm.com

c

○

1/2

2009.07 - Rev.B的

DTC115EEB

电气特性

(Ta=25°C)

参数

符号

V

我（关闭）

分钟。

3.0

82

70

0.8

典型值。

100

250

100

1

马克斯。

500

300

0.15

500

130

1.2

单位

mV

V

mV

mA

nA

兆赫

k

条件

V

CC

= 5V ，我

O

=100A

V

O

= 0.3V时，我

O

=1mA

I

O

/I

I

=5mA/0.25mA

V

I

=5V

V

CC

=50V, V

I

=0V

V

O

= 5V ，我

O

=5mA

V

CE

= 10V ，我

E

=

5mA,

f=100MHz

数据表

输入电压

输出电压

输入电流

输出电流

直流电流增益

跃迁频率

输入阻抗

电阻率

内置的晶体管的特性

V

我（上）

V

O（上）

I

O（关）

G

I

f

T

R

1

R

2

/R

1

电气特性曲线

10

TA

－

40

°

C

输出电流：我

O

（MA ）

输入电压： V

I

（上）（V）的

25

°

C

85

°

C

125

°

C

10

V

CC

= 5V

1

0.1

Ta=125

°

C

85

°

C

25

°

C

　　　－

40

°

C

0.1

0.01

V

0

= 0.3V

0.1

1

10

100

0.01

0

1

2

3

输入电压： V

I

（关）（ Ⅴ）

输出电流：我

O

（MA ）

图1输入电压V s 。输出电流

（ON特性）

图2输出电流V秒。输入电压

（关特征）

1000

Ta=125

°

C

85

°

C

DC CURENT GAIN ：摹

I

100

25

°

C

　　　－

40

°

C

V

O

= 5V

输出电压： V

O

（上）（V）的

1

I

C

/I

I

=20

Ta=125

°

C

85

°

C

25

°

C

0.1

　　　－

40

°

C

10

1

0.01

0.1

1

10

100

0.01

0.1

1

10

100

输出当前：我

O

（MA ）

OUOPUT电流：I

O

（MA ）

图3直流电流增益V秒。输出电流

图4输出电压V s 。输出电流

www.rohm.com

c

○

2/2

2009.07 - Rev.B的

通告

笔记

没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不

ROHM有限公司的同意。

此规定的内容如有变更，恕不另行通知。

这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中

"Products" ）。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，

这可以从ROHM要求获得。

的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含

示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须

在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。

时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。

但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害

信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。

本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和

为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或

隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益

其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷

使用这样的技术信息。

本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子

设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-

讯设备，电子电器，娱乐设备）。

本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。

而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一

产品可能会失败或因各种原因发生故障。

请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现

对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性

任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM

不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外

范围或者没有按照使用说明书。

该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或

系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中

可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗

仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，

燃料控制器或其他安全装置）。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任

任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何

这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。

如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可

根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求

获得许可或根据法律允许。

感谢您的访问，以ROHM的产品信息。

更详细的产品信息和目录都可以，请与我们联系。

ROHM的客户支持系统

http://www.rohm.com/contact/

www.rohm.com

R0039A

DTC115E系列

NPN 100毫安50V数字晶体管

（偏置电阻内置晶体管）

数据表

lOutline

参数

价值

VMT3

OUT

IN

GND

IN

GND

EMT3F

OUT

I

C（最大值）。

R

1

R

2

V

CC

50V

100mA

100kW

EMT3

DTC115EM

(SC-105AA)

UMT3

OUT

IN

GND

DTC115EEB

(SC-89)

OUT

IN

GND

lFeatures

1 ）内置偏置电阻，R

1

= R

2

= 100千瓦。

2 ）内置偏置电阻实现的配置

没有连接外部的逆变器电路

输入电阻（请参见内部电路）。

3）偏置电阻组成的薄膜电阻

完全隔离，允许负偏置

输入的。它们还具有的优点

完全消除了寄生效应。

4）仅在开/关的条件需要被设置

操作时，使电路设计容易。

5 ）互补PNP类型： DTA115E系列

6 ）无铅/符合RoHS标准。

lApplication

开关电路，逆变电路，接口电路，

驱动电路

DTC115EE

SOT- 416 （ SC- 75A ）

SMT3

OUT

IN

GND

DTC115EUA

SOT- 323 （ SC- 70 ）

DTC115EKA

SOT- 346 （ SC- 59 ）

lInner

电路

lPackaging

特定网络阳离子

产品型号

DTC115EM

DTC115EEB

DTC115EE

DTC115EUA

DTC115EKA

包

VMT3

EMT3F

EMT3

UMT3

SMT3

包

SIZE

(mm)

1212

1616

2021

2928

TAPING

CODE

T2L

TL

T106

T146

BASIC

大小盘磁带宽度

订购

(mm)

单位（pcs ）

180

8

8,000

3,000

记号

29

www.rohm.com

1/9

2012.04 - Rev.A的

DTC115E系列

lAbsolute

最大额定值

（ TA = 25°C ）

参数

电源电压

输入电压

输出电流

集电极电流

功耗

DTC115EM

DTC115EEB

DTC115EE

DTC115EUA

DTC115EKA

结温

储存温度范围

lElectrical

特性（Ta

= 25°C)

参数

输入电压

输出电压

输入电流

输出电流

直流电流增益

输入阻抗

电阻率

跃迁频率

符号

V

我（关闭）

V

我（上）

V

O（上）

I

O（关）

G

I

R

1

R

2

/R

1

f

T *1

条件

V

CC

= 5V ，我

O

= 100μA

V

O

= 0.3V时，我

O

= 1毫安

I

O

/ I

I

= 5毫安/ 0.25毫安

V

I

= 5V

V

CC

= 50V, V

I

= 0V

V

O

= 5V ，我

O

= 5毫安

-

V

CE

= 10V ，我

E

=

-5mA,

F = 100MHz的

数据表

符号

V

CC

V

IN

I

O

I

C（最大值）。

*1

值

50

-10

to

+40

20

100

150

单位

V

mA

mW

P

D *2

200

T

j

T

英镑

150

-55

to

+150

mW

°C

分钟。

-

3

-

82

70

0.8

-

典型值。

-

0.1

-

100

1

250

马克斯。

0.5

-

0.3

0.15

0.5

-

130

1.2

-

单位

V

mA

-

kW

-

兆赫

*内置晶体管的特性1

* 2每个终端安装在参考足迹

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2012.04 - Rev.A的

DTC115E系列

lElectrical

特性曲线（大

= 25°C)

数据表

10

图1输入电压与输出电流

（ON特性）

TA

-40

C

25

C

85

C

125

C

10

图2输出电流与输入电压

（关特征）

V

CC

=5V

输入电压： V

我（上）

[V]

输出电流：我

O

[A]

1

0.1

Ta=125

C

85

C

25

C

-40

C

0.1

V

O

=0.3V

0.1

1

10

100

0.01

0

1

2

3

输出电流：我

O

[A]

输入电压： V

我（关闭）

[V]

图3输出电流与输出电压

20

Ta=25C

I

=

100μA

90μA

图4直流电流增益与输出电流

1000

Ta=125

C

85

C

25

C

-40

C

V

O

=5V

输出电流：我

O

[马]

直流电流增益：摹

I

15

80μA

70μA

100

10

60μA

50μA

40μA

10

5

30μA

20μA

0

0A

0

5

10

1

0.01

0.1

1

10

100

输出电压： V

O

[V]

输出电流：我

O

[A]

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2012.04 - Rev.A的

DTC115E系列

lElectrical

特性曲线（大

= 25°C)

数据表

图5输出电压与输出电流

1

I

O

/I

I

= 20

输出电压： V

O（上）

[V]

0.1

Ta=125

C

85

C

25

C

-40

C

0.01

0.1

1

10

100

输出电流：我

O

[A]

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2012.04 - Rev.A的

DTC115E系列

lDimensions

（单位：毫米）

D

b1

c

数据表

VMT3

A

L

e

b

H

E

x

S A

b3

l1

Lp

A

A1

S

l1

b2

e

终端位置方面的Patterm

暗淡

A

A1

b

b1

c

D

E

e

H

E

L

Lp

x

暗淡

e1

b2

b3

l1

地壳板块

民

最大

0.45

0.55

0.00

0.10

0.17

0.27

0.37

0.08

0.18

1.10

1.30

0.70

0.90

0.40

1.10

1.30

0.10

0.30

0.20

0.40

-

0.10

地壳板块

民

最大

0.80

-

0.37

-

0.47

-

0.50

英寸

民

0.018

0

0.007

0.011

0.003

0.043

0.028

0.02

0.043

0.004

0.008

-

英寸

民

0.03

-

0.015

0.019

0.02

最大

0.051

-

0.004

最大

0.022

0.004

0.011

0.015

0.007

0.051

0.035

尺寸以毫米/英寸

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e1

2012.04 - Rev.A的

DTC115E系列

NPN 100毫安50V数字晶体管（偏置电阻内置晶体管）

数据表

l

概要

参数

V

CC

I

C（最大值）。

R

1

R

2

价值

50V

100mA

100kΩ

VMT3

EMT3F

DTC115EM

(SC-105AA)

EMT3

DTC115EEB

(SC-89)

UMT3

l

特点

1 ）内置偏置电阻，R

1

= R

2

= 100kΩ

2 ）内置偏置电阻实现的配置

没有连接外部的逆变器电路

输入电阻（请参见内部电路）。

3）偏置电阻组成的薄膜电阻

完全隔离，允许负偏置

输入的。它们还具有的优点

完全消除了寄生效应。

4）仅在开/关的条件，需要设置

对于操作，使得电路设计容易。

5 ）互补PNP类型： DTA115E系列

6 ）无铅/符合RoHS标准。

DTC115EE

SOT-416(SC-75A)

SMT3

DTC115EUA

SOT-323(SC-70)

DTC115EKA

SOT-346(SC-59)

l

内部电路

l

应用

开关电路，逆变电路，接口电路，

驱动电路

l

包装规格

产品型号

DTC115EM

DTC115EEB

DTC115EE

DTC115EUA

DTC115EKA

包

VMT3

EMT3F

EMT3

UMT3

SMT3

包

SIZE

1212

1616

2021

2928

TAPING

CODE

T2L

TL

T106

T146

大小盘磁带宽度

(mm)

180

8

BASIC

订购

单位（个）

8000

3000

记号

29

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20121023 - Rev.001

DTC115E系列

数据表

l

绝对最大额定值

(T

a

= 25°C)

参数

电源电压

输入电压

输出电流

集电极电流

DTC115EM

DTC115EEB

功耗

DTC115EE

DTC115EUA

DTC115EKA

结温

储存温度范围

符号

V

CC

V

IN

I

O

I

C(MAX)*1

值

50

-10到40

20

100

150

单位

V

mA

P

D*2

150

200

mW

T

j

T

英镑

150

-55到+150

℃

l

电气特性

(T

a

= 25°C)

值

参数

符号

V

我（关闭）

V

我（上）

V

O（上）

I

O（关）

G

I

R

1

R

2

/R

1

f

T*1

条件

分钟。

输入电压

输出电压

输入电流

输出电流

直流电流增益

输入阻抗

电阻率

跃迁频率

V

CC

= 5V ，我

O

= 100μA

V

O

= 0.3V时，我

O

= 1毫安

I

O

/ I

I

= 5毫安/ 0.25毫安

V

I

= 5V

V

CC

= 50V, V

I

= 0V

V

O

= 5V ，我

O

= 5毫安

-

V

CE

= 10V ，我

E

= -5mA ，

F = 100MHz的

-

3

-

82

70

0.8

-

典型值。

-

0.1

-

100

1

250

马克斯。

0.5

V

-

0.3

0.15

0.5

-

130

1.2

-

V

mA

μA

-

kΩ

-

兆赫

单位

*内置晶体管的特性1

* 2每个终端安装在参考足迹

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DTC115E系列

数据表

l

电气特性曲线

(T

a

=25°C)

图1输入电压与输出电流

（ON特性）

图2输出电流与输入电压

（关特征）

图3输出电流与输出电压

图4直流电流增益与输出电流

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DTC115E系列

数据表

l

电气特性曲线

(T

a

=25°C)

图5输出电压与输出电流

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DTC115E系列

l

尺寸

数据表

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