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DTC114EXV3T1系列
数字晶体管（ BRT ）
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。数字晶体管
包含一个带有整体式偏置网络由单个晶体管
两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。该
数字晶体管被消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用数字晶体管可以
同时降低系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SC- 89封装，是专为低功耗表面贴装
应用程序。
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NPN硅
数字
晶体管
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位带卷&
无铅焊料电镀（纯锡）
销1
BASE
（输入）
3脚
集热器
（输出）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
1
3
2
SC89
CASE 463C
风格1
标记图
3
XX
1
2
XX =具体设备守则
（见第2页上的标记表）
D =日期代码
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年1月 - 修订版0
出版订单号：
DTC114EXV3T1/D
DTC114EXV3T1系列
器件标识和电阻值
设备
DTC114EXV3T1
DTC124EXV3T1
DTC144EXV3T1
DTC114YXV3T1
DTC114TXV3T1
DTC143TXV3T1
记号
8A
8B
8C
8D
94
8F
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
航运
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和
磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装规范手册，
BRD8011/D.
热特性
特征
器件总功耗，
FR- 4板（注1 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注1 ）
器件总功耗，
FR- 4板（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注2 ）
结温和存储温度范围
1， FR- 4 @最小焊盘。
2. FR- 4 @ 1.0
×
1.0英寸的垫。
符号
P
D
200
1.6
R
θJA
P
D
300
2.4
R
θJA
T
J
, T
英镑
400
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
600
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
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2
DTC114EXV3T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
DTC114EXV3T1
DTC124EXV3T1
DTC144EXV3T1
DTC114YXV3T1
DTC114TXV3T1
DTC143TXV3T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
A,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
（注3）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
DTC114EXV3T1
DTC124EXV3T1
DTC144EXV3T1
DTC114YXV3T1
DTC114TXV3T1
DTC143TXV3T1
h
FE
35
60
80
80
160
160
60
100
140
140
350
350
0.25
VDC
VDC
V
OH
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0 mA）的DTC143TXV3T1 / DTC114TXV3T1
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0 k)
DTC114EXV3T1
DTC124EXV3T1
DTC114YXV3T1
DTC114TXV3T1
DTC143TXV3T1
DTC144EXV3T1
V
CE （ SAT ）
V
OL
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0 k)
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0 k)
DTC143TXV3T1
DTC114TXV3T1
输入电阻
DTC114EXV3T1
DTC124EXV3T1
DTC144EXV3T1
DTC114YXV3T1
DTC114TXV3T1
DTC143TXV3T1
DTC114EXV3T1/DTC124EXV3T1/
DTC144EXV3T1
DTC114YXV3T1
DTC143TXV3T1/DTC114TXV3T1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.8
0.17
10
22
47
10
10
4.7
1.0
0.21
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.2
0.25
k
电阻率
R
1
/R
2
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
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3
DTC114EXV3T1系列
250
PD ，功耗（毫瓦）
200
150
100
50
0
50
R
θJA
= 60℃ / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
R（T ） ，归一化瞬态热阻
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
图2.归热响应
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4
DTC114EXV3T1系列
电气特性 - DTC114EXV3T1
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
= 25°C
25°C
0.1
75°C
1000
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 10 V
T
A
= 75°C
25°C
25°C
100
0.01
0.001
0
20
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3. V
CE （ SAT ）
与我
C
图4.直流电流增益
4
F = 1 MHz的
I
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
75°C
IC ，集电极电流（毫安）
10
1
0.1
25°C
T
A
= 25°C
COB，电容（pF ）
3
2
1
0.01
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（伏）
8
9
10
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
0.001
图5.输出电容
图6.输出电流与输入电压
10
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
T
A
= 25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
图7.输入电压与输出电流
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5
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