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DTC114T系列
NPN 100毫安50V数字晶体管
（偏置电阻内置晶体管）
数据表
lOutline
参数
价值
VMT3
集热器
BASE
辐射源
BASE
辐射源
EMT3F
集热器
V
首席执行官
I
C
R
1
50V
100mA
10kW
DTC114TM
(SC-105AA)
EMT3
集热器
BASE
辐射源
DTC114TEB
(SC-89)
UMT3F
集热器
BASE
辐射源
lFeatures
1 ）内置偏置电阻
2 ）内置偏置电阻实现的配置
没有连接外部的逆变器电路
输入电阻（见等效电路） 。
3）偏置电阻组成的薄膜电阻
完全隔离，允许负偏置
输入的。它们还具有的优点
完全消除了寄生效应。
4）仅在开/关的条件需要被设置
操作时，使电路设计容易。
5 ）互补PNP类型： DTA114T系列
6 ）复合晶体管： UMH8N / IMH8A
/ EMG4 / UMG4N / FMG4A
（即插即用
型）
7 ）无铅/符合RoHS标准。
lApplication
开关电路，逆变电路，接口电路，
驱动电路
DTC114TE
SOT- 416 （ SC- 75A ）
UMT3
BASE
辐射源
集热器
SMT3
DTC114TUB
(SC-85)
集热器
BASE
辐射源
DTC114TUA
SOT- 323 （ SC- 70 ）
DTC114TKA
SOT- 346 （ SC- 59 ）
lInner
电路
lPackaging
特定网络阳离子
产品型号
DTC114TM
DTC114TEB
DTC114TE
DTC114TUB
DTC114TUA
DTC114TKA
包
VMT3
EMT3F
EMT3
UMT3F
UMT3
SMT3
包
SIZE
(mm)
1212
1616
1616
2021
2021
2928
TAPING
CODE
T2L
TL
TL
TL
T106
T146
BASIC
大小盘磁带宽度
订购
(mm)
(mm)
单位（pcs ）
180
180
180
180
180
180
8
8
8
8
8
8
8,000
3,000
3,000
3,000
3,000
3,000
记号
04
04
04
04
04
04
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1/9
2012.04 - Rev.A的
DTC114T系列
lAbsolute
最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
DTC114TM
DTC114TEB
DTC114TE
DTC114TUB
DTC114TUA
DTC114TKA
结温
储存温度范围
lElectrical
特性（Ta
= 25C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
数据表
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
值
50
50
5
100
150
单位
V
V
V
mA
mW
P
C *2
200
T
j
T
英镑
150
-55
to
+150
mW
C
C
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
R
1
f
T *1
条件
I
C
= 50μA
I
C
= 1毫安
I
E
= 50μA
V
CB
= 50V
V
EB
= 4V
I
C
/ I
B
= 10毫安/ 1毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 1mA时，
-
V
CE
= 10V ，我
E
=
-5mA,
F = 100MHz的
分钟。
50
50
5
-
-
-
100
7
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
250
10
250
马克斯。
-
-
-
0.5
0.5
0.3
600
13
-
单位
V
V
V
mA
mA
V
-
kW
兆赫
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
输入阻抗
跃迁频率
*内置晶体管的特性1
* 2每个终端安装在参考足迹
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2012.04 - Rev.A的
DTC114T系列
lElectrical
特性曲线（大
= 25°C)
数据表
图1发射极接地传播
特征
10
V
CE
=5V
100
图2接地发射极输出
特征
= 500μA
I
B
Ta=25C
450μA
400μA
350μA
300μA
集电极电流： IC （MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
1
80
60
250μA
200μA
0.1
Ta=100C
25C
-40C
40
150μA
100μA
0.01
20
50μA
0A
0.001
0
0.5
1
1.5
2
0
0
5
10
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极到发射极
电压： V
CE
(V)
图3直流电流增益
与集电极电流
图4集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
集电极饱和
电压： V
CE
（ SAT ） （V ）
直流电流增益： hFE参数
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
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2012.04 - Rev.A的
DTC114T系列
lDimensions
（单位：毫米）
D
b1
c
数据表
VMT3
A
L
e
b
H
E
x
S A
b3
l1
Lp
A
A1
S
l1
b2
e
终端位置方面的Patterm
暗淡
A
A1
b
b1
c
D
E
e
H
E
L
Lp
x
暗淡
e1
b2
b3
l1
地壳板块
民
最大
0.45
0.55
0.00
0.10
0.17
0.27
0.27
0.37
0.08
0.18
1.10
1.30
0.70
0.90
0.40
1.10
1.30
0.10
0.30
0.20
0.40
-
0.10
地壳板块
民
最大
0.80
-
0.37
-
0.47
-
0.50
英寸
民
0.018
0
0.007
0.011
0.003
0.043
0.028
0.02
0.043
0.004
0.008
-
英寸
民
0.03
-
-
-
0.015
0.019
0.02
最大
0.051
-
-
0.004
最大
0.022
0.004
0.011
0.015
0.007
0.051
0.035
尺寸以毫米/英寸
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e1
2012.04 - Rev.A的
DTC114T系列
lDimensions
（单位：毫米）
数据表
EMT3F
D
A
x
S A
b
e
H
E
E
c
e
A2
A
A1
S
l1
b2
终端位置方面的Patterm
地壳板块
民
最大
0.65
0.85
0.00
0.10
0.60
0.80
0.21
0.36
0.08
0.18
1.50
1.70
0.76
0.96
0.50
1.50
1.70
0.37
0.35
0.55
-
0.10
地壳板块
民
最大
-
1.05
-
0.46
-
0.65
英寸
民
0
0.024
0.008
0.003
0.059
0.03
0.02
0.059
0.015
0.014
-
英寸
民
-
-
-
最大
0.041
0.018
0.026
0.022
0.004
0.067
最大
0.004
0.031
0.014
0.007
0.067
0.038
暗淡
A
A1
A2
b
c
D
E
e
H
E
L
Lp
x
暗淡
e1
b2
l1
尺寸以毫米/英寸
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e1
2012.04 - Rev.A的
Lp
L
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