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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第496页 > DTC114EET1G
DTC114EET1系列
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SC - 75 / SOT- 416封装，专为低功耗表面
安装应用程序。
特点
http://onsemi.com
NPN硅
偏置电阻晶体管
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
在SC - 75 / SOT- 416封装可以焊接使用波或
回流
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除损伤到芯片的可能性
提供8毫米， 7寸/ 3000单位带卷&
无铅包可用
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
3
销1
BASE
（输入）
3脚
集热器
（输出）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
记号
图
2
1
SC75/SOT416
CASE 463
风格1
XX M
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
XX =具体设备守则
M =日期代码
热特性
等级
器件总功耗，
FR- 4板（注1 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗，
FR- 4板（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注2 ）
结温和存储温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0
×
1.0英寸的垫
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
订购信息
查看详细的订购，标记，并在发货信息
包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。
符号
P
D
价值
200
1.6
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
R
qJA
P
D
600
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
400
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
2005年1月 - 修订版6
出版订单号：
DTC114EET1/D
DTC114EET1系列
订购信息，设备标识和电阻值
设备
DTC114EET1
DTC114EET1G
DTC124EET1
DTC124EET1G
DTC144EET1
DTC144EET1G
DTC114YET1
DTC114YET1G
DTC114TET1
DTC114TET1G
DTC143TET1
DTC143TET1G
DTC123EET1
DTC123EET1G
DTC143EET1
DTC143EET1G
DTC143ZET1
DTC143ZET1G
DTC124XET1
DTC124XET1G
DTC123JET1
DTC123JET1G
DTC115EET1
DTC115EET1G
DTC144WET1
记号
8A
8A
8B
8B
8C
8C
8D
8D
94
94
8F
8F
8H
8H
8J
8J
8K
8K
8L
8L
8M
8M
8N
8N
8P
R1 （ K）
10
10
22
22
47
47
10
10
10
10
4.7
4.7
2.2
2.2
4.7
4.7
4.7
4.7
22
22
2.2
2.2
100
100
47
R2 （ K）
10
10
22
22
47
47
47
47
∞
∞
∞
∞
2.2
2.2
4.7
4.7
47
47
47
47
47
47
100
100
22
包
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
3000磁带&卷轴
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
DTC114EET1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
DTC114EET1
DTC124EET1
DTC144EET1
DTC114YET1
DTC114TET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC115EET1
DTC144WET1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
（注3）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
DTC114EET1
DTC124EET1
DTC144EET1
DTC114YET1
DTC114TET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC115EET1
DTC144WET1
h
FE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
350
350
15
30
200
150
140
150
140
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的DTC123EET1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的DTC143TET1 / DTC114TET1 /
DTC143EET1/DTC143ZET1/DTC124XET1
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTC114EET1
DTC124EET1
DTC114YET1
DTC114TET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC144EET1
DTC115EET1
DTC144WET1
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTC143TET1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTC143ZET1
DTC114TET1
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
VDC
http://onsemi.com
3
DTC114EET1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输入电阻
TC114EET1
DTC124EET1
DTC144EET1
DTC114YET1
DTC114TET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC115EET1
DTC144WET1
DTC114EET1/DTC124EET1/DTC144EET1/
DTC115EET1
DTC114YET1
DTC143TET1/DTC114TET1
DTC123EET1/DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC144WET1D
250
PD ，功耗（毫瓦）
200
符号
R1
民
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
典型值
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
最大
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
单位
kW
电阻率
R
1
/R
2
150
100
50
0
50
R
qJA
= 60℃ / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
R（T ） ，归一化瞬态热阻
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
图2.归热响应
http://onsemi.com
4
DTC114EET1系列
电气特性 - DTC114EET1
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
= 25°C
25°C
0.1
75°C
1000
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 10 V
T
A
= 75°C
25°C
25°C
100
0.01
0.001
0
20
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3. V
CE （ SAT ）
与我
C
图4.直流电流增益
4
F = 1 MHz的
I
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
75°C
IC ，集电极电流（毫安）
10
1
0.1
25°C
T
A
= 25°C
COB，电容（pF ）
3
2
1
0.01
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（伏）
8
9
10
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
0.001
图5.输出电容
图6.输出电流与输入电压
10
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
T
A
= 25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
图7.输入电压与输出电流
http://onsemi.com
5
DTC114EET1系列
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SC - 75 / SOT- 416封装，专为低功耗表面
安装应用程序。
特点
http://onsemi.com
NPN硅
偏置电阻晶体管
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
在SC - 75 / SOT- 416封装可以焊接使用波或
回流
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除损伤到芯片的可能性
无铅包可用
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
销1
BASE
（输入）
3脚
集热器
（输出）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
3
2
1
SC- 75 （ SOT- 416 ）
CASE 463
风格1
热特性
等级
器件总功耗，
FR- 4板（注1 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗，
FR- 4板（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注2 ）
结温和存储温度
范围
符号
P
D
200
1.6
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
400
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
=具体设备守则
XX = （参见第2页）
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
xx
600
mW
毫瓦/°C的
° C / W
XX M
G
G
价值
单位
标记图
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0
×
1.0英寸的垫
订购信息
查看详细的订购，标记，并在发货信息
包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年3月 - 修订版8
出版订单号：
DTC114EET1/D
DTC114EET1系列
订购信息，设备标识和电阻值
设备
DTC114EET1
DTC114EET1G
DTC124EET1
DTC124EET1G
DTC144EET1
DTC144EET1G
DTC114YET1
DTC114YET1G
DTC114TET1
DTC114TET1G
DTC143TET1
DTC143TET1G
DTC123EET1
DTC123EET1G
DTC143EET1
DTC143EET1G
DTC143ZET1
DTC143ZET1G
DTC124XET1
DTC124XET1G
DTC123JET1
DTC123JET1G
DTC115EET1
DTC115EET1G
DTC144WET1
DTC144WET1G
8P
47
22
8N
100
100
8M
2.2
47
8L
22
47
8K
4.7
47
8J
4.7
4.7
8H
2.2
2.2
8F
4.7
∞
94
10
∞
8D
10
47
8C
47
47
8B
22
22
8A
10
10
记号
R1 （ K）
R2 （ K）
包
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
DTC114EET1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
DTC114EET1
DTC124EET1
DTC144EET1
DTC114YET1
DTC114TET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC115EET1
DTC144WET1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
（注3）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
DTC114EET1
DTC124EET1
DTC144EET1
DTC114YET1
DTC114TET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC115EET1
DTC144WET1
h
FE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
350
350
15
30
200
150
140
150
140
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的DTC123EET1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的DTC143TET1 / DTC114TET1 /
DTC143EET1/DTC143ZET1/DTC124XET1
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTC114EET1
DTC124EET1
DTC114YET1
DTC114TET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC144EET1
DTC115EET1
DTC144WET1
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTC143TET1
DTC143ZET1
DTC114TET1
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
VDC
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3
DTC114EET1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输入电阻
TC114EET1
DTC124EET1
DTC144EET1
DTC114YET1
DTC114TET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC115EET1
DTC144WET1
DTC114EET1/DTC124EET1/DTC144EET1/
DTC115EET1
DTC114YET1
DTC143TET1/DTC114TET1
DTC123EET1/DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC144WET1D
250
PD ，功耗（毫瓦）
200
符号
R1
民
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
典型值
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
最大
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
单位
kW
电阻率
R
1
/R
2
150
100
50
0
50
R
qJA
= 60℃ / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
R（T ） ，归一化瞬态热阻
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
图2.归热响应
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4
DTC114EET1系列
电气特性 - DTC114EET1
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
= 25°C
25°C
0.1
75°C
1000
V
CE
= 10 V
T
A
= 75°C
25°C
25°C
100
0.01
0.001
的hFE ， DC电流增益（标准化）
50
0
20
40
I
C
，集电极电流（毫安）
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3. V
CE （ SAT ）
与我
C
图4.直流电流增益
4
IC ，集电极电流（毫安）
F = 1 MHz的
I
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
75°C
10
1
0.1
25°C
T
A
= 25°C
OB ，电容（pF ）
3
2
1
0.01
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（伏）
8
9
10
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
0.001
图5.输出电容
图6.输出电流与输入电压
10
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
T
A
= 25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
图7.输入电压与输出电流
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5
DTC114EET1系列
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SC - 75 / SOT- 416封装，专为低功耗表面
安装应用程序。
特点
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NPN硅
偏置电阻晶体管
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
在SC - 75 / SOT- 416封装可以焊接使用波或
回流
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除损伤到芯片的可能性
提供8毫米， 7寸/ 3000单位带卷&
无铅包可用
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
3
销1
BASE
（输入）
3脚
集热器
（输出）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
记号
图
2
1
SC75/SOT416
CASE 463
风格1
XX M
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
XX =具体设备守则
M =日期代码
热特性
等级
器件总功耗，
FR- 4板（注1 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗，
FR- 4板（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注2 ）
结温和存储温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0
×
1.0英寸的垫
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
订购信息
查看详细的订购，标记，并在发货信息
包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。
符号
P
D
价值
200
1.6
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
R
qJA
P
D
600
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
400
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
2005年1月 - 修订版6
出版订单号：
DTC114EET1/D
DTC114EET1系列
订购信息，设备标识和电阻值
设备
DTC114EET1
DTC114EET1G
DTC124EET1
DTC124EET1G
DTC144EET1
DTC144EET1G
DTC114YET1
DTC114YET1G
DTC114TET1
DTC114TET1G
DTC143TET1
DTC143TET1G
DTC123EET1
DTC123EET1G
DTC143EET1
DTC143EET1G
DTC143ZET1
DTC143ZET1G
DTC124XET1
DTC124XET1G
DTC123JET1
DTC123JET1G
DTC115EET1
DTC115EET1G
DTC144WET1
记号
8A
8A
8B
8B
8C
8C
8D
8D
94
94
8F
8F
8H
8H
8J
8J
8K
8K
8L
8L
8M
8M
8N
8N
8P
R1 （ K）
10
10
22
22
47
47
10
10
10
10
4.7
4.7
2.2
2.2
4.7
4.7
4.7
4.7
22
22
2.2
2.2
100
100
47
R2 （ K）
10
10
22
22
47
47
47
47
∞
∞
∞
∞
2.2
2.2
4.7
4.7
47
47
47
47
47
47
100
100
22
包
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
3000磁带&卷轴
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
DTC114EET1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
DTC114EET1
DTC124EET1
DTC144EET1
DTC114YET1
DTC114TET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC115EET1
DTC144WET1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
（注3）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
DTC114EET1
DTC124EET1
DTC144EET1
DTC114YET1
DTC114TET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC115EET1
DTC144WET1
h
FE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
350
350
15
30
200
150
140
150
140
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的DTC123EET1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的DTC143TET1 / DTC114TET1 /
DTC143EET1/DTC143ZET1/DTC124XET1
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTC114EET1
DTC124EET1
DTC114YET1
DTC114TET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC144EET1
DTC115EET1
DTC144WET1
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTC143TET1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTC143ZET1
DTC114TET1
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
VDC
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3
DTC114EET1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输入电阻
TC114EET1
DTC124EET1
DTC144EET1
DTC114YET1
DTC114TET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC115EET1
DTC144WET1
DTC114EET1/DTC124EET1/DTC144EET1/
DTC115EET1
DTC114YET1
DTC143TET1/DTC114TET1
DTC123EET1/DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC144WET1D
250
PD ，功耗（毫瓦）
200
符号
R1
民
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
典型值
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
最大
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
单位
kW
电阻率
R
1
/R
2
150
100
50
0
50
R
qJA
= 60℃ / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
R（T ） ，归一化瞬态热阻
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
图2.归热响应
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4
DTC114EET1系列
电气特性 - DTC114EET1
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
= 25°C
25°C
0.1
75°C
1000
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 10 V
T
A
= 75°C
25°C
25°C
100
0.01
0.001
0
20
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3. V
CE （ SAT ）
与我
C
图4.直流电流增益
4
F = 1 MHz的
I
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
75°C
IC ，集电极电流（毫安）
10
1
0.1
25°C
T
A
= 25°C
COB，电容（pF ）
3
2
1
0.01
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（伏）
8
9
10
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
0.001
图5.输出电容
图6.输出电流与输入电压
10
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
T
A
= 25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
图7.输入电压与输出电流
http://onsemi.com
5
DTC114EET1系列，
SDTC114EET1系列
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SC - 75 / SOT- 416封装，专为低功耗表面
安装应用程序。
特点
http://onsemi.com
NPN硅
偏置电阻晶体管
3脚
集热器
（输出）
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
在SC - 75 / SOT- 416封装可以焊接使用波或
回流
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除损伤到芯片的可能性
无铅包可用
S前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求; AEC - Q101标准和
PPAP有能力
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
销1
BASE
（输入）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
3
2
1
SC- 75 （ SOT- 416 ）
CASE 463
风格1
标记图
热特性
等级
器件总功耗，
FR- 4板（注1 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗，
FR- 4板（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注2 ）
结温和存储温度
范围
符号
P
D
价值
200
1.6
600
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
XX M
G
G
R
qJA
P
D
300
2.4
400
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
=具体设备守则
XX = （参见第2页）
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
xx
R
qJA
T
J
, T
英镑
订购信息
查看详细的订购，标记，并在发货信息
包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0
×
1.0英寸的垫
半导体元件工业有限责任公司， 2012
， 2012年5月
启示录12
1
出版订单号：
DTC114EET1/D
DTC114EET1系列， SDTC114EET1系列
订购信息，设备标识和电阻值
设备
DTC114EET1
DTC114EET1G
SDTC114EET1G
DTC124EET1
DTC124EET1G
SDTC124EET1G
DTC144EET1
DTC144EET1G
DTC114YET1
DTC114YET1G
SDTC114YET1G
DTC114TET1
DTC114TET1G
DTC143TET1
DTC143TET1G
DTC123EET1
DTC123EET1G
DTC143EET1
DTC143EET1G
DTC143ZET1
DTC143ZET1G
DTC124XET1
DTC124XET1G
DTC123JET1
DTC123JET1G
DTC115EET1
DTC115EET1G
DTC144WET1
DTC144WET1G
8N
100
100
8M
2.2
47
8L
22
47
8K
4.7
47
8J
4.7
4.7
8H
2.2
2.2
8F
4.7
∞
94
10
∞
8D
10
47
8C
47
47
8B
22
22
8A
10
10
记号
R1 （ K）
R2 （ K）
包
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
（无铅）
SC75/SOT416
SC75/SOT416
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
8P
47
22
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
DTC114EET1系列， SDTC114EET1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
DTC114EET1 ， SDTC114EET1
DTC124EET1 ， SDTC124EET1
DTC144EET1
DTC114YET1 ， SDTC114YET1
DTC114TET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC115EET1
DTC144WET1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
（注3）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
DTC114EET1 ， SDTC114EET1
DTC124EET1 ， SDTC124EET1
DTC144EET1
DTC114YET1 ， SDTC114YET1
DTC114TET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC115EET1
DTC144WET1
h
FE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
350
350
15
30
200
150
140
150
140
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的DTC123EET1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的DTC143TET1 / DTC114TET1 /
DTC143EET1/DTC143ZET1/DTC124XET1
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTC114EET1 ， SDTC114EET1
DTC124EET1 ， SDTC124EET1
DTC114YET1 ， SDTC114YET1
DTC114TET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTC144EET1
DTC115EET1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTC144WET1
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTC143TET1
DTC143ZET1
DTC114TET1
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
VDC
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3
DTC114EET1系列， SDTC114EET1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输入电阻
SDTC114EET1 ， SDTC114ET1
DTC124EET1 ， SDTC124EET1
DTC144EET1
DTC114YET1 ， SDTC114YET1
DTC114TET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC115EET1
DTC144WET1
DTC114EET1/SDTC114EET1/DTC115EET1
DTC124EET1/SDTC124EET1/DTC144EET1
DTC114YET1/SDTC114YET1
DTC143TET1/DTC114TET1
DTC123EET1/DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
DTC144WET1D
250
PD ，功耗（毫瓦）
符号
R1
民
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
典型值
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
最大
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
单位
kW
电阻率
R
1
/R
2
200
150
100
50
R
qJA
= 60℃ / W
0
- 50
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
R（T ） ，归一化瞬态热阻
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
0.1
图2.归热响应
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4
DTC114EET1系列， SDTC114EET1系列
典型电气特性
DTC114EET1 ， SDTC114EET1
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
= -25°C
25°C
0.1
75°C
1000
HFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 10 V
T
A
= 75°C
25°C
-25°C
100
0.01
0.001
0
20
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3. V
CE （ SAT ）
与我
C
图4.直流电流增益
4
F = 1 MHz的
T
A
= 25°C
OB ，电容（pF ）
3
100
75°C
IC ，集电极电流（毫安）
10
25°C
T
A
= -25°C
1
2
0.1
1
0.01
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（伏）
8
9
10
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
0.001
图5.输出电容
图6.输出电流与输入电压
10
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
T
A
= -25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
图7.输入电压与输出电流
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5
MUN2211 ， MMUN2211L ，
MUN5211 ， DTC114EE ，
DTC114EM3 ， NSBC114EF3
数字晶体管（ BRT ）
R 1 = 10千瓦， R2 = 10千瓦
NPN晶体管与单片偏置
电阻网络
这一系列的数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一个基线
发射极电阻。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。
特点
销1
BASE
（输入）
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引脚连接
3脚
集热器
（输出）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
标记DIAGRAMS
SC59
CASE 318D
风格1
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
S和NSV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101
合格的，有能力PPAP
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
连续
输入正向电压
输入反向电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
IN（ FWD ）
V
在（转）
最大
50
50
100
40
10
单位
VDC
VDC
MADC
VDC
VDC
XX MG
G
1
XXX MG
G
1
XX MG
G
1
XX M
1
XX M
1
XM 1
XXX
M
G
SOT23
CASE 318
类型6
SC70/SOT323
CASE 419
方式3
SC75
CASE 463
风格1
SOT723
CASE 631AA
风格1
SOT1123
CASE 524AA
风格1
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
查看详细的订购，标记，并在发货信息
包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年8月
第4版
1
出版订单号：
DTC114E/D
MUN2211 ， MMUN2211L ， MUN5211 ， DTC114EE ， DTC114EM3 ， NSBC114EF3
表1.订购信息
设备
MUN2211T1G ， SMUN2211T1G
MUN2211T3G ， SMUN2211T3G
MMUN2211LT1G ， SMMUN2211LT1G
MMUN2211LT3G ， SMMUN2211LT3G
MUN5211T1G ， SMUN5211T1G
SMUN5211T3G
DTC114EET1G ， SDTC114EET1G
DTC114EM3T5G
NSBC114EF3T5G
最热
8A
8A
A8A
A8A
8A
8A
8A
8A
A
包
SC59
SC59
SOT23
SOT23
SC70/SOT323
SC70/SOT323
SC75
SOT723
SOT1123
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
(1) (2) (3) (4) (5)
（ 1 ） SC- 75和SC- 70 / SOT323 ;最小焊盘
（ 2 ） SC- 59 ;最小焊盘
（ 3 ） SOT- 23 ;最小焊盘
（ 4 ） SOT- 1123 ; 100毫米
2
， 1盎司铜线
（ 5 ） SOT- 723 ;最小焊盘
25
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ ℃）
图1.降额曲线
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2
MUN2211 ， MMUN2211L ， MUN5211 ， DTC114EE ， DTC114EM3 ， NSBC114EF3
表2.热特性
特征
热特性（ SC - 59 ） （ MUN2211 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SOT -23 ） （ MUNN2211L ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SC - 70 / SOT- 323 ） （ MUN5211 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SC - 75 ） （ DTC114EE ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
热特性（ SOT- 723 ） （ DTC114EM3 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
1.
2.
3.
4.
FR- 4 @最小焊盘。
FR- 4 @ 1.0 ×1.0英寸的垫。
FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
260
600
2.0
4.8
480
205
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
200
300
1.6
2.4
600
400
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
202
310
1.6
2.5
618
403
280
332
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
246
400
2.0
3.2
508
311
174
208
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
230
338
1.8
2.7
540
370
264
287
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
J
, T
英镑
http://onsemi.com
3
MUN2211 ， MMUN2211L ， MUN5211 ， DTC114EE ， DTC114EM3 ， NSBC114EF3
表2.热特性
特征
热特性（ SOT- 1123） （ NSBC114EF3 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，结领导
结温和存储温度范围
1.
2.
3.
4.
FR- 4 @最小焊盘。
FR- 4 @ 1.0 ×1.0英寸的垫。
FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
（注3）
（注4 ）
（注3）
（注4 ）
（注3）
（注4 ）
（注3）
P
D
254
297
2.0
2.4
493
421
193
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
表3.电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注5 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
DC电流增益（注5）
(I
C
= 5.0毫安， V
CE
= 10 V)
集电极 - 发射极饱和电压（注5 ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输入电压（OFF）的
(V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
毫安）
输入电压（ ON）的
(V
CE
- 0.2 V，I
C
= 10 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
5.脉冲条件：脉冲宽度= 300毫秒，占空比
≤
2%.
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
我（关闭）
V
我（上）
V
OL
V
OH
R1
R
1
/R
2
35
4.9
7.0
0.8
60
1.2
2.0
10
1.0
0.25
0.2
13
1.2
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
kW
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
100
500
0.5
NADC
NADC
MADC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
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4
MUN2211 ， MMUN2211L ， MUN5211 ， DTC114EE ， DTC114EM3 ， NSBC114EF3
典型特征
MUN2211 ， MMUN2211L ， MUN5211 ， DTC114EE ， DTC114EM3
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极电压（ V）
1
1000
V
CE
= 10 V
T
A
=
25°C
75°C
h
FE
，直流电流增益
25°C
0.1
25°C
T
A
= 75°C
25°C
I
C
/I
B
= 10
100
0.01
0.001
0
20
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
图3.直流电流增益
3.6
C
ob
，输出电容（ pF）的
I
C
，集电极电流（毫安）
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（V）的
50
F = 10千赫
I
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
10
T
A
= 75°C
25°C
25°C
1
0.1
0.01
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（ V）
8
9
10
0.001
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
10
25°C
V
in
，输入电压（ V）
25°C
T
A
= 75°C
1
V
O
= 0.2 V
0.1
0
10
20
30
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
图6.输入电压与输出电流
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5
的Stellaris LM4F120 LaunchPad的评价
板
用户手册
EK- LM4F1 20XL -UM- 01
SMPU289
Copyrig HT 201 2特XAS在strumen TS
版权
2012德州仪器， Inc.保留所有权利。的Stellaris和StellarisWare是Texas Instruments的注册商标。 ARM和
Thumb都是注册商标， Cortex是ARM Limited的商标。其他名称和品牌可能是其他公司的财产。
德州仪器
108野盆地， 350套房
奥斯汀，德克萨斯州78746
http://www.ti.com/stellaris
2
2012年8月29日
目录
第1章：董事会Overview.............................................................................................................................. 6
套件内容........................................................................................................................................................ 7
使用Stellaris LaunchPad的......................................................................................................................... 7
Features.............................................................................................................................................................. 7
BoosterPacks...................................................................................................................................................... 8
Specifications...................................................................................................................................................... 8
第2章：硬件Description.................................................................................................................... 9
功能描述...................................................................................................................................... 10
（微控制器， USB ，扩展，按钮和LED（示意图第18页） ................................. ........... 10
电源管理（原理图19页） .......................................... .................................................. ... 13
的Stellaris在电路调试接口（ ICDI ） （示意图第20页） ................................... .......................... 14
第3章：软件开发................................................................................................................ 15
软件Description......................................................................................................................................... 15
源Code..................................................................................................................................................... 15
工具选项..................................................................................................................................................... 15
编程的Stellaris LaunchPad的评估板............................................ ..................................... 15
附录A ： Schematics................................................................................................................................ 17
附录B ：组件Locations.............................................................................................................. 21
附录C ：材料清单（ BOM ） ............................................................................................................. 23
附录D ：参考文献................................................................................................................................ 25
2012年8月29日
3
的Stellaris LM4F120 LaunchPad的XL用户手册
图列表
图1-1 。
图2-1 。
图B - 1 。
图B - 2 。
的Stellaris LM4F120 LaunchPad的评估板............................................ ............................. 6
的Stellaris LaunchPad的评估板框图........................................... ...................... 9
的Stellaris LaunchPad的组件位置（顶视图） ......................................... .................... 21
的Stellaris LaunchPad的Dimensions)............................................................................................... 22
4
2012年8月29日
表格清单
表1-1 。
表2-1 。
表2-2 。
表2-3 。
表2-4 。
表2-5 。
表2-6 。
表2-7 。
表2-8 。
表C - 1 。
EK- LM4F120XL Specifications........................................................................................................ 8
USB设备的信号...................................................................................................................... 10
用户开关和LED的RGB信号............................................ ............................................... 10
J1连接器................................................................................................................................. 11
J2连接器................................................................................................................................. 11
J3连接器................................................................................................................................. 12
J4连接器................................................................................................................................. 12
的Stellaris在电路调试接口（ ICDI ）信号....................................... ............................... 14
虚拟COM端口信号.............................................................................................................. 14
对EK- LM4F120法案Materials........................................................................................................ 23
2012年8月29日
5
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