DTC114EE系列
偏置电阻晶体管NPN硅
P B
铅（Pb ） - 免费
1
BASE
R1
R2
3
集热器
3
1
2
2
辐射源
SC-89
(SOT-523F)
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
I
C
价值
50
50
100
单位
V
V
mA
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(1)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(1)
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(2)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(2)
结温范围
存储温度范围
1.FR - 4 @最小焊盘
2.FR - 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
TSTG
最大
200
1.6
600
300
2.4
400
-55到+150
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
C
C
器件标识和ResistorValues
设备
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
记号
8A
8B
8C
8D
94
8F
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
R2(K)
10
22
47
47
8 8
设备
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
记号
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
R1(K)
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2(K)
2.2
4.7
47
47
47
100
22
宽E IT R 0
H T T P上： / / W W瓦特宽E I T ，R 0 。 C 0米。 TW
1/13
12-Jun-06
DTC114EE系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
WEITRON
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(2)
I
C
= 2.0毫安，我
B
=0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10μA ，我
E
=0
集电极 - 基Cuto FF电压
V
CB
= 50V ，我
E
=0
集电极 - 发射极Cuto FF电流
V
CE
= 50V ，我
B
=0
发射基Cuto FF电流
V
EB
= 6.0V ，我
C
=0
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
首席执行官
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
V
V
nA
nA
I
EBO
mA
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/13
12-Jun-06
DTC114EE系列
电气特性
基本特征
(3)
直流电流增益
V
CE
= -10V ，我
C
=5.0mA
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
15
27
140
130
140
150
140
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
h
FE
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10毫安，我
E
=0.3mA
I
C
= 10毫安，我
E
=5.0mA
DTC123EE
I
C
= 10毫安，我
E
=1.0mA
DTC114TE / DTC143TE
DTC143ZE / DTC124XE
DTC143EE
输出电压（上）
V
CC
=5.0V, V
B
= 2.5V
L
=1.0KΩ
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
V
CE （ SAT ）
-
-
0.25
-
V
OL
-
-
0.2
V
V
CC
=5.0V, V
B
= 3.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 5.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 4.0V
L
=1.0KΩ
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％
WEITRON
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3/13
12-Jun-06
DTC114EE系列
ELECTRICALCHARACTERISTICS
基本特征
(4)
输出电压（O FF ）
V
CC
=5.0V, V
B
= 0.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 0.25V
L
=1.0KΩ
4.9
DTC114TE
DTC143TE
DTC143ZE
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
DTC114EE / DTC124EE
DTC144EE / DTC115EE
DTC114YE
DTC114TE / DTC143TE
DTC123EE / DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC144WE
V
OH
-
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
-
V
输入电阻
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
15.4
70
32.9
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
kΩ
电阻率
R1/R2
0.8
0.17
-
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
1.0
0.21
-
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
1.2
0.25
-
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
-
4. PulseTest ：脉宽< 300US ，占空比< 2.0 ％
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
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12-Jun-06
DTC114EE系列
WEITRON
DTC114EE系列
250
功耗，P
D
200
150
100
50
0
T
A
，环境温度（ ° C）
R
JA
= 60℃ / W
图1.降额曲线
归一化瞬态热阻， R（T ）
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
图2.归热响应
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
5/13
12-Jun-06
晶体管
数字晶体管（内置电阻）
DTC114EE / DTC114EUA / DTC114EKA
DTC114ECA / DTC114ESA
FFeatures
1 ）内置偏置电阻使
的逆变器电路的结构
无需连接外部输入
电阻（见等效电路） 。
2）偏置电阻组成thin-的
薄膜电阻具有完整间隔离
化，以允许的负偏压
输入。他们也有研华
几乎完全eliminat-踏歌
荷兰国际集团的寄生效应。
3）仅在开/关的条件需要
对操作进行设置，使得设备
设计简单。
FStructure
NPN数字晶体管
（具有内置电阻体）
FEquivalent
电路
FExternal
尺寸（单位：毫米）
(96-308-C114E)
393
晶体管
DTC114EE/DTC114EUA/DTC114EKA/DTC114ECA/DTC114ESA
FAbsolute
最大额定值（Ta = 25_C ）
FElectrical
特性（Ta = 25_C ）
FPackaging
特定网络阳离子
394
晶体管
DTC114EE/DTC114EUA/DTC114EKA/DTC114ECA/DTC114ESA
FElectrical
特性曲线
395
晶体管
DTC114EM / DTC114EE / DTC114EUA
DTC114ECA / DTC114EKA / DTC114ESA
数字晶体管（内置电阻）
DTC114EM / DTC114EE / DTC114EUA /
DTC114ECA / DTC114EKA / DTC114ESA
!
特点
1 ）内置偏置电阻使逆变器电路的，而不构成
连接外部输入电阻（见等效电路） 。
2）偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离，
允许输入的负偏压。它们还具有几乎优点
完全消除了寄生效应。
3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设定，使得设备
设计简单。
!
等效电路
R
1
IN
R
2
OUT
GND
IN
GND
OUT
!
结构
NPN型数字晶体管（具有内置电阻）
!
外形尺寸
（单位：毫米）
DTC114EM
0.2
1.2
0.8
(2)
(3)
(1)
DTC114EE
0.2
1.6±0.2
1.0±0.1
+0.1
0.2
0.05
(1)
1.2
0.32
0.4 0.4
0.8
0.5 0.5
+0.1
0.2
0.05
0.7±0.1
0.55±0.1
0.22
0.5
0.8±0.1
1.6±0.2
(2)
0.13
0~0.1
0.15Max.
ROHM ： VMT3
缩写符号： 24
+0.1
0.3
0.05
0.15±0.05
ROHM ： EMT3
缩写符号： 24
DTC114EUA
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65 0.65
(1)
(2)
0.2
0.9±0.1
0.7±0.1
DTC114ECA
2.9
1.9
0.95 0.95
(1) (2)
0.95
0.45
1.25±0.1
2.1±0.1
(3)
(3)
1.3
0~0.1
2.4
0.1Min.
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
0.3
+0.1
0.15±0.05
0
所有的终端都有相同的尺寸
（1）接地
（2）在
（3）输出
ROHM ： SST3
0.15
0.4
0.2Min.
0.1Min.
（1）在
（2）接地
（3）输出
0~0.1
(3)
（1）接地
（2）在
（3）输出
0~0.1
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： 24
（1）接地
（2）在
（3）输出
缩写符号： 24
DTC114EKA
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
(1)
(2)
0.8±0.1
3
±
0.2
1.1
+0.2
0.1
DTC114ESA
4
±
0.2
2
±
0.2
1.6
+0.2
0.1
2.8±0.2
0~0.1
(15Min.)
0.45
+
0.15
0.05
(3)
+0.1
0.15
0.06
0.4
+0.1
0.05
所有的终端都有相同的尺寸
0.3Min.
3Min.
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
（1）接地
（2）在
（3）输出
5
2.5
+
0.4
0.1
0.5
0.45
+
0.15
0.05
缩写符号： 24
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
(1) (2) (3)
（1）接地
（2）输出
（3）在
晶体管
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
M
E
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）。
Pd
Tj
TSTG
150
DTC114EM / DTC114EE / DTC114EUA
DTC114ECA / DTC114EKA / DTC114ESA
Limits(DTC114E
UA
50
10~+40
50
100
200
150
55~+150
300
mA
mW
°C
°C
)
CA
KA
SA
V
V
单位
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
3
30
7
0.8
典型值。
0.1
10
1
250
马克斯。
0.5
0.3
0.88
0.5
13
1.2
V
V
mA
A
k
兆赫
单位
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=10mA
I
O
/I
I
=10mA/0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=5mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
该设备的跃迁频率
!
包装规格
包
包装类型
CODE
基本订购
单位（件）
VMT3
EMT3
UMT3
SST3
SMT3
SPT
TAPING
T2L
8000
TAPING
TL
3000
TAPING
T106
3000
TAPING
T116
3000
TAPING
T146
3000
TAPING
TP
5000
TYPE
DTC114EM
DTC114EE
DTC114EUA
DTC114ECA
DTC114EKA
DTC114ESA
晶体管
!
电气特性曲线
100
50
输出电流：木卫一
(A)
输入电压： V
我（上）
(V)
DTC114EM / DTC114EE / DTC114EUA
DTC114ECA / DTC114EKA / DTC114ESA
V
O
=0.3V
10m
5m
2m
1m
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
Ta=100°C
25°C
40°C
V
CC
=5V
1k
500
直流电流增益：摹
I
V
O
=5V
Ta=100°C
25°C
40°C
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
Ta=40°C
25°C
100°C
200
100
50
20
10
5
2
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
100 200 5001m 2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出
当前
1
500m
输出电压： V
O（上）
(V)
l
O
/l
I
=20
Ta=100°C
25°C
40°C
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出
当前
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
百毫安/ 50V数字晶体管
（具有内置电阻体）
DTC114EB / DTC114EM / DTC114EE / DTC114EUA / DTC114EKA
应用
逆变器，接口，驱动器
特点
1 ）内置偏置电阻使逆变器电路的配置，而无需连接外部输入电阻（见相当于
电路） 。
2）偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离，允许输入的负偏置。他们也有
其优点是几乎完全消除了寄生效应。
3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设置，使得该装置的设计容易。
结构
NPN型外延平面硅晶体管（电阻内置型）
尺寸
（单位：毫米）
0.1
DTC114EB
0.22
(3)
0.16
0.1
1.0
0.8
(1)
(2)
0.17
0.35
0.6
0.37
（1）在
（2）接地
（3）输出
ROHM ：
VMN3
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： 24
DTC114EM
0.2
1.2
0.32
(3)
DTC114EE
1.6
0.3
(3)
0.7
0.55
0.8
1.2
0.8
0.13
0.5
(2)
(1)
0.2
0.22
(1)(2)
1.6
0.1Min.
0.4 0.4
0.8
（1）在
（2）接地
（3）输出
0.2
0.5 0.5
0.2
0.15
（1）接地
（2）在
（3）输出
ROHM ： VMT3
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： EMT3
1.0
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： 24
缩写符号： 24
2.9
1.1
0.4
(3)
DTC114EUA
2.0
0.3
(3)
0.9
0.2
0.7
DTC114EKA
0.8
1.25
2.1
(2)
(1)
0.1Min.
0.65 0.65
1.3
0.15
（1）接地
（2）在
（3）输出
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
( 2)
(1)
1.6
2.8
0.95 0.95
0.15
1.9
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
（1）接地
（2）在
（3）输出
每根导线具有相同的尺寸
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： 24
缩写符号： 24
www.rohm.com
c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
0.3Min.
1/3
2009.08 - Rev.D
DTC114EB / DTC114EM / DTC114EE / DTC114EUA / DTC114EKA
数据表
包装规格
包
包装类型
CODE
基本订购
单位（件）
VMN3
VMT3
EMT3
UMT3
SMT3
等效电路
TAPING
T2L
8000
TAPING
T2L
8000
TAPING
TL
3000
TAPING
T106
3000
TAPING
T146
3000
R
1
IN
R
2
OUT
产品型号
DTC114EB
DTC114EM
DTC114EE
DTC114EUA
DTC114EKA
GND
IN
GND
OUT
R
1
=R
2
=10k
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）。
P
D
Tj
TSTG
150
150
55
to
+150
范围
DTC114EB DTC114EM DTC114EE DTC114EUA DTC114EKA
单位
V
V
mA
200
mW
°C
°C
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
50
10
to
+40
50
100
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
3
30
7
0.8
典型值。
0.1
10
1
250
马克斯。
0.5
0.3
0.88
0.5
13
1.2
V
V
mA
A
k
兆赫
单位
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=10mA
I
O
/I
I
=10mA/0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=5mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
内置的晶体管的特性
www.rohm.com
c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
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2009.08 - Rev.D
DTC114EB / DTC114EM / DTC114EE / DTC114EUA / DTC114EKA
电气特性曲线
100
50
V
O
=0.3V
输出电流：木卫一
(A)
数据表
10m
5m
2m
1m
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
Ta=100°C
25°C
40°C
V
CC
=5V
输入电压： V
我（上）
(V)
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
Ta=40°C
25°C
100°C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
1k
500
Ta=100°C
25°C
40°C
V
O
=5V
1
500m
l
O
/l
I
=20
Ta=100°C
25°C
40°C
输出电压： V
O（上）
(V)
直流电流增益：摹
I
200
100
50
20
10
5
2
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1
100 200 5001m 2m
5m 10m 20m 50m100m
1m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
输出电流：我
O
(A)
输出电流：我
O
(A)
图3直流电流增益与输出
当前
图4输出电压和输出
当前
www.rohm.com
c
○
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2009.08 - Rev.D
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更，恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，
燃料控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任
任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请与我们联系。
ROHM的客户支持系统
http://www.rohm.com/contact/
www.rohm.com
2009 ROHM有限公司保留所有权利。
R0039A
DTC114EE/DTC114EUA/DTC114EKA
/DTC114ESA/DTC114ECA
公司Bauelemente
数字晶体管NPN （内置电阻）
特点
*内置偏置电阻实现的配置
没有连接外部的逆变器电路
输入电阻（见等效电路） 。
*仅在开/关confitions需要对操作进行设置
使装置的设计容易。
*薄膜电阻，偏置电阻consis
竞争隔离允许的负偏压
输入。它们还具有几乎优点
完全消除了寄生效应。
外形尺寸（单位：毫米）
SOT-523
SOT-323
SOT-323
SOT-23
SOT-23-3L
TO-92S
绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
http://www.SeCoSGmbH.com
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）
Pd
Tj
TSTG
限制（ DTC114E □ ）
E
UA
CA
50
-10~40
50
100
150
200
150
-55~150
300
KA
SA
单位
V
V
mA
mW
℃
℃
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页2
DTC114EE/DTC114EUA/DTC114EKA
/DTC114ESA/DTC114ECA
公司Bauelemente
数字晶体管NPN （内置电阻）
电气特性（Ta = 25℃）
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
30
7
0.8
10
1
250
13
1.2
兆赫
V
CE
= 10V ，我
E
=-5mA,f=100MHz
K
3
0.3
0.88
0.5
分钟。
典型值
马克斯。
0.5
单位
V
V
mA
A
条件
V
CC
= 5V ，我
O
=100A
V
O
= 0.3V时，我
O
= 10毫安
I
O
/I
I
=10mA/0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V, V
I
=0
V
O
= 5V ，我
O
=5mA
典型特征
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知individua
01君2002年修订版A
第2页2
百毫安/ 50V数字晶体管
（具有内置电阻体）
DTC114EM / DTC114EE / DTC114EUA / DTC114EKA
■应用
逆变器，接口，驱动器
■特点
1 ）内置偏置电阻使逆变器电路的配置，而无需连接外部输入电阻（见相当于
电路） 。
2）偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离，允许输入的负偏置。他们也有
其优点是几乎完全消除了寄生效应。
3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设置，使得该装置的设计容易。
Structure
NPN型外延平面硅晶体管（电阻内置型）
尺寸
（单位：毫米）
DTC114EM
0.2
DTC114EE
1.2
0.32
(3)
1.6
0.3
(3)
0.7
0.55
0.8
1.2
0.8
0.2
0.4 0.4
0.8
0.5
（1）在
（2）接地
（3）输出
0.2
0.5 0.5
1.0
0.2
0.15
ROHM ： VMT3
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： EMT3
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： 24
缩写符号： 24
DTC114EUA
2.0
0.3
(3)
0.9
0.2
0.7
DTC114EKA
(3)
2.9
0.4
1.1
0.8
1.25
2.1
(2)
(1)
0.65 0.65
1.3
0.15
（1）接地
（2）在
（3）输出
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
0.1Min.
( 2)
(1)
1.6
2.8
0.1Min.
0.22
(1)(2)
0.13
(2)
(1)
1.6
（1）接地
（2）在
（3）输出
0.95 0.95
1.9
0.15
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
（1）接地
（2）在
（3）输出
每根导线具有相同的尺寸
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： 24
缩写符号： 24
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2011.12 - Rev.E
DTC114EM / DTC114EE / DTC114EUA / DTC114EKA
数据表
Packaging
特定网络阳离子
参数
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）。
P
D
Tj
TSTG
150
150
55
to
+150
范围
DTC114EM
DTC114EE DTC114EUA DTC114EKA
50
10
to
+40
50
100
200
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
●等效
电路
R
1
R
2
GND
OUT
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
IN
IN
GND
OUT
R
1
=R
2
=10kΩ
“绝对
最大额定值
(Ta=25C)
参数
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
3
30
7
0.8
典型值。
0.1
10
1
250
马克斯。
0.5
0.3
0.88
0.5
13
1.2
单位
V
V
mA
μA
kΩ
兆赫
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100μA
V
O
=0.3V,
I
O
=10mA
I
O
/I
I
=10mA/0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=5mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
内置的晶体管的特性
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25C)
包
包装类型
CODE
产品型号
DTC114EM
DTC114EE
DTC114EUA
DTC114EKA
VMT3
EMT3
UMT3
SMT3
TAPING
T2L
8000
TAPING
TL
3000
TAPING
T106
3000
TAPING
T146
3000
基本订购
单位（件）
www.rohm.com
c
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2011.12 - Rev.E
DTC114EM / DTC114EE / DTC114EUA / DTC114EKA
ⅵELECTRICAL
特性曲线
100
50
V
O
=0.3V
输出电流：木卫一
(A)
数据表
10m
5m
2m
1m
500μ
200μ
100μ
50μ
20μ
10μ
5μ
2μ
1μ
0
Ta=100°C
25°C
40°C
V
CC
=5V
输入电压： V
我（上）
(V)
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100μ 200μ
500μ 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
Ta=40°C
25°C
100°C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
1k
500
直流电流增益：摹
I
V
O
=5V
1
500m
l
O
/l
I
=20
Ta=100°C
25°C
40°C
输出电压： V
O（上）
(V)
200
100
50
20
10
5
2
Ta=100°C
25°C
40°C
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1
100μ 200μ 500μ1m 2m
5m 10m 20m 50m100m
1m
100μ 200μ
500μ 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
输出电流：我
O
(A)
输出电流：我
O
(A)
图3直流电流增益与输出
当前
图4输出电压和输出
当前
www.rohm.com
c
○
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2011.12 - Rev.E
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更，恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，燃
控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担以任何方式使用任何不承担责任
的产品适用于上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请与我们联系。
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R1120A
DTC114EE / DTC114EUA
DTC114ECA / DTC114ESA / DTC114EM
公司Bauelemente
NPN数字晶体管（内置电阻）
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
内置偏置电阻实现的配置
无需连接外部输入逆变器电路
电阻（见等效电路） 。
偏置电阻组成的薄膜电阻器
完全隔离，以允许的正偏压
输入。它们还具有几乎优点
完全消除了寄生效应。
只有通/断条件需要被设置
操作，使装置的设计容易。
DTC114EE （ SOT- 523 ）
DTC114EUA （ SOT- 323 ）
Addreviated符号： 24
DTC114EM （ SOT- 723 ）
Addreviated符号： 24
DTC114ECA （ SOT -23 ）
等效电路
Addreviated符号： 24
DTC114ESA （TO- 92S ）
Addreviated符号： 24
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
限制（ DTC1114E □ ）
参数
集电极 - 基极电压
输入电压
输出电流
功耗
结&储存温度
符号
M
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）
P
D
T
J
, T
英镑
100
150
单位
E
UA
50
-10~40
50
100
200
150, -55~150
300
CA
SA
V
V
mA
mW
°C
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01 -MAR- 2012 Rev.C
第1页3
DTC114EE / DTC114EUA
DTC114ECA / DTC114ESA / DTC114EM
公司Bauelemente
NPN数字晶体管（内置电阻）
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
0.5
-
-
-
-
30
7
0.8
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
10
1
250
马克斯。
-
3
0.3
0.88
0.5
-
13
1.2
-
单位
V
V
mA
μA
测试条件
V
CC
= 5V ，我
O
=100μA
V
O
= 0.3V时，我
O
=10mA
I
O
/I
I
=10mA/0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V, V
I
=0
V
O
= 5V ，我
O
=5mA
K
兆赫
V
O
= 10V ，我
O
=5mA,
f=100MHz
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01 -MAR- 2012 Rev.C
分页： 1 2 3
DTC114EE / DTC114EUA
DTC114ECA / DTC114ESA / DTC114EM
公司Bauelemente
NPN数字晶体管（内置电阻）
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01 -MAR- 2012 Rev.C
第3页3
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
DTC114EE
特点
无铅涂层/符合RoHS （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
外延平面片建设
Untrl小型表面贴装封装
内置偏置电阻
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
标记： 24
数字晶体管
绝对最大额定值@ 25
符号
V
CC
I
C
V
IN
P
d
T
j
T
英镑
参数
电源电压
集电极电流
输入电压
功耗
结温
储存温度
民
---
---
-10
---
---
-55
典型值
50
50
---
150
150
---
最大
---
100
40
---
---
150
单位
V
mA
V
mW
SOT-523
A
D
OUT
B
C
电气特性@ 25
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
参数
输入电压（V
CC
= 5V ，我
O
=100 A)
(V
O
= 0.3V时，我
O
=10mA)
输出电压（I
O
=10mA,I
i
=0.5mA)
输入电流（V
I
=5V)
输出电流（ V
CC
=50V, V
I
=0)
直流电流增益（V
O
= 5V ，我
O
=5mA)
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
(V
CE
= 10V ，我
E
= 5毫安中，f = 100MHz时）
民
---
3.0
---
---
---
30
7
0.8
---
典型值
---
---
---
---
---
---
10
1.0
250
最大
0.5
---
0.3
0.88
0.5
---
13
0.2
---
单位
V
V
V
mA
A
G
IN
E
GND
H
J
K
K
兆赫
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
尺寸
英寸
民
最大
.059
.067
.030
.033
.057
.069
0.020名义
.035
.043
.000
.004
.028
.031
.004
.008
.010
.014
MM
民
最大
1.50
1.70
0.75
0.85
1.45
1.75
0.50Nominal
0.90
1.10
.000
.100
.70
0.80
.100
.200
.25
.35
记
修订版：A
www.mccsemi.com
1 2
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
2 2
2011/01/01
DTC114EE系列
偏置电阻晶体管NPN硅
P B
铅（Pb ） - 免费
1
BASE
R1
R2
3
集热器
3
1
2
2
辐射源
SC-89
(SOT-523F)
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
I
C
价值
50
50
100
单位
V
V
mA
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(1)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(1)
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(2)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(2)
结温范围
存储温度范围
1.FR - 4 @最小焊盘
2.FR - 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
TSTG
最大
200
1.6
600
300
2.4
400
-55到+150
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
C
C
器件标识和ResistorValues
设备
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
记号
8A
8B
8C
8D
94
03
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
R2(K)
10
22
47
47
8 8
设备
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
记号
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
R1(K)
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2(K)
2.2
4.7
47
47
47
100
22
宽E IT R 0
H T T P上： / / W W瓦特宽E I T ，R 0 。 C 0米。 TW
1/13
Rev.A的29 -JUL- 08
DTC114EE系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
WEITRON
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(2)
I
C
= 2.0毫安，我
B
=0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10μA ，我
E
=0
集电极 - 基Cuto FF电压
V
CB
= 50V ，我
E
=0
集电极 - 发射极Cuto FF电流
V
CE
= 50V ，我
B
=0
发射基Cuto FF电流
V
EB
= 6.0V ，我
C
=0
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
首席执行官
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
V
V
nA
nA
I
EBO
mA
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/13
12-Jun-06
DTC114EE系列
电气特性
基本特征
(3)
直流电流增益
V
CE
= -10V ，我
C
=5.0mA
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
15
27
140
130
140
150
140
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
h
FE
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10毫安，我
E
=0.3mA
I
C
= 10毫安，我
E
=5.0mA
DTC123EE
I
C
= 10毫安，我
E
=1.0mA
DTC114TE / DTC143TE
DTC143ZE / DTC124XE
DTC143EE
输出电压（上）
V
CC
=5.0V, V
B
= 2.5V
L
=1.0KΩ
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
V
CE （ SAT ）
-
-
0.25
-
V
OL
-
-
0.2
V
V
CC
=5.0V, V
B
= 3.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 5.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 4.0V
L
=1.0KΩ
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
3/13
12-Jun-06
DTC114EE系列
ELECTRICALCHARACTERISTICS
基本特征
(4)
输出电压（O FF ）
V
CC
=5.0V, V
B
= 0.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 0.25V
L
=1.0KΩ
4.9
DTC114TE
DTC143TE
DTC143ZE
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
DTC114EE / DTC124EE
DTC144EE / DTC115EE
DTC114YE
DTC114TE / DTC143TE
DTC123EE / DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC144WE
V
OH
-
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
-
V
输入电阻
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
15.4
70
32.9
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
kΩ
电阻率
R1/R2
0.8
0.17
-
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
1.0
0.21
-
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
1.2
0.25
-
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
-
4. PulseTest ：脉宽< 300US ，占空比< 2.0 ％
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
4/13
12-Jun-06
DTC114EE系列
WEITRON
DTC114EE系列
250
功耗，P
D
200
150
100
50
0
T
A
，环境温度（ ° C）
R
JA
= 60℃ / W
图1.降额曲线
归一化瞬态热阻， R（T ）
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
图2.归热响应
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
5/13
12-Jun-06
威伦
SL12 -N THRU SL14 -N
DTC114EKA / DTC114ECA / DTC114ESA
数字晶体管（ NPN ）
低VF芯片S
数字晶体管（内置电阻）
1.0A表面装载肖特基
整流器 - 20V- 40V
DTC114EM/DTC114EE/DTC114EUA
包装外形
特点
批量处理的设计，出色的功耗报价
●等效
电路
更好的反向漏电流和耐热性。
特点
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
内置的偏置电阻使逆变器电路的结构
低功耗，高效率。
没有连接外部输入电阻（见等效电路）
高电流能力，非常低的正向电压降。
偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
以允许input.They的正偏压也有优势
很
完全消除了寄生
几乎
微小的塑料SMD封装。
影响
超高速开关。
只有通/断条件需要被设置
硅结。
装置的设计容易
硅外延平面芯片，金属
操作，使
超氧化物歧化酶
0.106
0.091
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
PIN CONNENCTIONS和标志
机械数据
DTC114EM
SOT-723
DTC114EE
SOT-523
0.016 （ 0.4 ）典型值。
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
案例：模压塑料， SOD- 323 -L
1。
2. GND
端子：镀金端子，焊每MIL -STD- 750 ，
3. OUT
标记： 24
方法2026
标记： 24
1。
2. GND
3. OUT
尺寸英寸
极性：由阴极频带指示
SOT-323
DTC114EUA
位置：任意
MOUNTING
重量：的逼近0.008克
1。
2. GND
3. OUT
DTC114EKA
SOT-23-3L
1。
2. GND
3. OUT
最大额定值
（在
参数
DTC114ECA
正向整流电流
正向浪涌电流
反向
标记： 24
当前
热阻
二极管的结电容
储存温度
2012-05
标记： 24
T
A
=25
o
C除非另有说明）
SOT-23
标记： 24
条件
DTC114ESA
TO-92S
符号
I
O
I
FSM
I
R
R
θJA
见图2
1。
8.3ms
3. OUT
1. GND
单半正弦波叠加的
2. GND
负荷（ JEDEC梭）
2. OUT
率
3。
O
V
R
= V
RRM
T
J
= 25 C
结到环境
F = 1MHz的应用和4V直流反接电压
C,Mar,2012
C
J
T
英镑
威伦电子股份有限公司。
QQ：2880707522 复制
