百毫安/ 50V数字晶体管（带内置式电阻器）
DTC014TM / DTC014TEB / DTC014TUB
■特点
1 ）内置偏置电阻实现的配置
逆变器电路没有连接外部输入电阻。
（见等效电路）
2）偏置电阻组成的薄膜电阻具有完整
隔离，以使输入的负偏压。
他们也有几乎完全的优势
消除了寄生效应。
3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设定，
使得装置的设计容易。
尺寸
（单位：毫米）
VMT3
缩写符号： 10
EMT3F
Structure
NPN外延平面硅晶体管
（电阻内置型）
(3)
(1)
(2)
缩写符号： 10
0.425
(3)
1.25
2.1
(1)
0.65 0.65
1.3
(2)
0.13
缩写符号： 10
Packaging
特定网络阳离子
包
包装类型
TYPE
CODE
基本订购
单位（件）
DTC014TM
DTC014TEB
DTC014TUB
●等效
电路
VMT3
TAPING
T2L
8000
○
-
-
EMT3F
TAPING
TL
3000
-
○
-
UMT3F
TAPING
TL
3000
-
-
○
R
1
B
B :
ベース
C :
コレクタ
E :
エミッタ
C
R
1
=10k
“绝对
最大
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗*
结温
储存温度范围
*每个终端安装在参考地
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
Tj
TSTG
M
Limits(DTC014T□)
EB
UB
50
50
5
100
150
150
-55到+150
200
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1/2
2011.08 - Rev.A的
0.53
0.425
0.53
■应用
逆变器，接口，驱动器
UMT3F
0.32
2.0
0.9
E
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
DTC014TM / DTC014TEB / DTC014TUB
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25C)
参数
符号
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率*
输入阻抗
内置的晶体管的特性*
典型值。
-
-
-
-
-
0.05
-
250
10
马克斯。
-
-
-
500
500
0.15
600
-
13
单位
V
V
V
nA
nA
V
-
兆赫
k
测试条件
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
I
C
= 5毫安/ I
B
=0.5mA
V
CE
= 10V / I
C
=5mA
V
CE
= 10V / I
E
=-5mA
f=100MHz
数据表
分钟。
50
50
5
-
-
-
100
-
7
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
R
1
ⅵELECTRICAL
特性曲线
1000
1
I
c
/I
B
=10
Ta=125C
Ta=75C
Ta=25C
Ta=-40C
100
Ta=125C
Ta=75C
Ta=25C
Ta=-40C
集电极饱和电压：
V
CE （ SAT ）
(V)
V
CE
=10V
直流电流增益：H
FE
0.1
10
0.01
1
0.1
1
10
100
集电极电流：我
C
（MA ）
0.001
0.1
1
10
100
集热CURRNET ：我
C
（MA ）
图1直流电流增益与集电极电流
图2集电极饱和电压与集电极电流
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