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-200mA / -30V低V
CE
(SAT)数字晶体管
(具有内置电阻体)
DTB743EE / DTB743EM
应用
逆变器,接口,驱动器
特征
1. V
CE (SAT)
比现有产品低。
2.内置偏置电阻使逆变器电路的结构
没有连接外部输入电阻(见等效电路) 。
3.偏置电阻组成的薄膜电阻具有完整
隔离,以使输入的正偏压。他们也有
其优点是几乎完全消除了寄生效应。
4.只有开/关的条件需要进行操作来进行设定,
使得装置的设计容易。
结构
PNP外延plannar硅晶体管
(电阻内置型)
0.22
尺寸
(单位:毫米)
DTB743EE
1.6
0.3
(3)
0.7
0.55
0.8
(2)
(1)
1.6
0.2
0.5 0.5
1.0
EMT3
JEITA号( SC- 75A )
JEDEC号<SOT - 416>
0.2
0.15
0.1Min.
(1)接地
(2)在
(3)输出
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: M13
DTB743EM
0.2
0.8
1.2
(1)(2)
1.2
0.32
(3)
包装规格
包装类型
CODE
产品型号
DTB743EE
DTB743EM
基本订购
单位(件)
EMT3
TAPING
TL
3000
VMT3
TAPING
T2L
8000
VMT3
0.4 0.4
0.8
0.13
0.5
(1)在
(2)接地
(3)输出
0.2
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: M13
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
电源电压
输入电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
1
2
内部电路
单位
V
V
mA
GND (+)
R
1
IN
R
2
OUT
符号
V
CC
V
IN
I
C(最大值)
P
D
Tj
TSTG
范围
DTB743EE DTB743EM
30
20
to
+10
200
150
150
55
to
+150
mW
C
C
IN
GND (+)
OUT
1
内置晶体管的特性。
2
每个端子安装在一个推荐的土地。
R
1
= 4.7kΩ上/ R
2
=4.7k
www.rohm.com
c
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
1/2
2009.05 - Rev.B的
DTB743EE / DTB743EM
电气特性
(Ta=25°C)
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
内置晶体管的特性。
数据表
符号
V
我(关闭)
V
我(上)
V
O(上)
I
I
I
O(关)
G
I
f
T
R
1
R
2
/R
1
分钟。
2.5
115
3.29
0.8
典型值。
70
260
4.7
1.0
马克斯。
0.5
300
1.4
500
6.11
1.2
单位
V
mV
mA
nA
兆赫
k
条件
V
CC
=
5V ,我
O
=
100A
V
O
=
0.3V,
I
O
=
20mA
I
O
/I
I
=
50mA
/
2.5mA
V
I
=
5V
V
CC
=
30V,
V
I
=0V
V
O
=
2V,
I
O
=
100mA
V
CE
=
10V,
I
E
= 5毫安中,f = 100MHz的
电气特性曲线
100
TA
40
°
C
输入电压: V
I
(上) (V)的
    
25
°
C
    
85
°
C
   
125
°
C
输出电流:我
O
(MA )
100
V
CC
= -5V
10
10
1
1
Ta=125
°
C
    
85
°
C
    
25
°
C
   -
40
°
C
0.1
0.1
V
0
= -0.3V
1
10
100
1000
0.1
0
1
2
3
输入电压: V
I
(关)( Ⅴ)
输出电流:我
O
(MA )
1000
Ta=125
°
C
    
85
°
C
    
25
°
C
   -
40
°
C
V
O
= -2V
输出电压: V
O
(上) (V)的
1
I
O
/I
I
=20
DC CURENT GAIN : GI
100
Ta=125
°
C
    
85
°
C
0.1
    
25
°
C
   -
40
°
C
10
1
0.1
0.01
1
10
100
输出当前:我
O
(MA )
1000
1
10
100
1000
OUOPUT电流:I
O
(MA )
www.rohm.com
c
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
2/2
2009.05 - Rev.B的
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部,则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更,恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的(在下文中
"Products" ) 。如果你希望使用任何此类产品,请务必参阅规格,
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路,电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时,必须考虑到。
时非常谨慎,以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是,如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息, ROHM ,应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你,或明或
隐,任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置(诸如视听设备,办公自动化设备, commu-
讯设备,电子电器,娱乐设备) 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性,一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害,火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障,如降级,冗余,消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备,设备使用,或
系统,该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵,其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险(如医疗
仪表,交通运输设备,航空器械,核反应器,
燃料控制器或其他安全装置) 。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任
任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途,请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制,你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问,以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以,请与我们联系。
ROHM的客户支持系统
http://www.rohm.com/contact/
www.rohm.com
2009 ROHM有限公司保留所有权利。
R0039A
DTB743EE / DTB743EM
晶体管
200mA
/
30V
低V
CE
(SAT)数字晶体管
(具有内置电阻体)
DTB743EE / DTB743EM
应用
逆变器,接口,驱动器
特征
1) V
CE (SAT)
比现有产品低。
2 )内置偏置电阻实现的配置
无需连接外部输入逆变器电路
电阻(见等效电路) 。
3)偏置电阻组成的薄膜电阻器
完全隔离,以允许的正偏压
输入。它们还具有几乎优点
完全消除了寄生效应。
4)仅在开/关的条件需要被设置
操作,使装置的设计容易。
结构
PNP外延plannar硅晶体管
(电阻内置型)
外形尺寸
(单位:毫米)
DTB743EE
1.6
0.3
(3)
0.8
1.6
0.7
0.55
0.2
0.5 0.5
1.0
EMT3
JEITA号( SC- 75A )
JEDEC号<SOT - 416>
0.2
0.15
0.1Min.
(2)
(1)
(1)接地
(2)在
(3)输出
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: M13
DTB743EM
0.2
0.8
1.2
1.2
0.32
(3)
0.2
0.22
(1)(2)
0.4 0.4
0.8
0.13
0.5
(1)在
(2)接地
(3)输出
VMT3
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: M13
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
V
CC
V
IN
1
2
包装规格
范围
单位
V
V
mA
mW
C
包装类型
CODE
EMT3
TAPING
VMT3
TAPING
DTB743EE DTB743EM
30
20
to
+10
200
150
150
55
to
+150
电源电压
输入电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
TL
3000
T2L
8000
I
C(最大值)
P
D
Tj
TSTG
产品型号
DTB743EE
DTB743EM
基本订购
单位(件)
C
1
内置晶体管的特性。
2
每个端子安装在一个推荐的土地。
电气特性
(Ta=25°C)
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
内置晶体管的特性。
等效电路
马克斯。
0.5
300
1.4
500
6.11
1.2
单位
V
mV
mA
nA
兆赫
k
条件
V
CC
=
5V ,我
O
=
100A
V
O
=
0.3V,
I
O
=
20mA
I
O
/I
I
=
50mA
/
2.5mA
V
I
=
5V
V
CC
=
30V,
V
I
=0V
V
O
=
2V,
I
O
=
100mA
V
CE
=
10V,
I
E
= 5毫安中,f = 100MHz的
R
1
= 4.7kΩ上/ R
2
=4.7k
IN
GND (+)
OUT
符号
V
我(关闭)
V
我(上)
V
O(上)
I
I
I
O(关)
G
I
f
T
R
1
R
2
/R
1
分钟。
2.5
115
3.29
0.8
典型值。
70
260
4.7
1.0
R
1
IN
OUT
R
2
GND (+)
1/1
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
查看更多DTB743EMPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DTB743EM
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
DTB743EM
ROHM
21+
20000
SOT723
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
DTB743EM
ROHM
21+
20000
SOT723
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
DTB743EM
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9384
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
DTB743EM
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8537
贴◆插
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