DTA114EM3T5G系列
首选设备
数字晶体管（ BRT ）
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。数字晶体管
包含一个带有整体式偏置网络由单个晶体管
两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。该
数字晶体管被消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用数字晶体管可以
同时降低系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SOT- 723封装，专为低功耗表面贴装
应用程序。
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PNP硅
数字
晶体管
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT - 723封装可以用波或回流焊接。
可在4毫米， 8000单位带卷&
这些无铅器件
销1
BASE
（输入）
3脚
集热器
（输出）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
3
记号
图
XX M
2
1
SOT723
CASE 631AA
风格1
xx
M
=具体设备守则
（见第2页上的标记表）
=日期代码
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年2月 - 修订版0
出版订单号：
DTA114EM3/D
DTA114EM3T5G系列
订购信息，设备标识和电阻值
设备
DTA114EM3T5G
DTA124EM3T5G*
DTA144EM3T5G
DTA114YM3T5G
DTA114TM3T5G
DTA143TM3T5G*
DTA123EM3T5G*
DTA143EM3T5G*
DTA143ZM3T5G*
DTA124XM3T5G
DTA123JM3T5G*
DTA115EM3T5G
DTA144WM3T5G*
记号
6A
6B
6C
6D
6E
6F
6H
6J
6K
6L
6M
6N
6P
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
2.2
4.7
47
47
47
100
22
包
航运
SOT723
（无铅）
8000 /磁带&卷轴
*可根据要求
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
热特性
特征
器件总功耗，
FR- 4板（注1 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注1 ）
器件总功耗，
FR- 4板（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注2 ）
结温和存储温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0
×
1.0英寸的垫
符号
P
D
260
2.0
R
qJA
P
D
600
4.8
R
qJA
T
J
, T
英镑
205
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
480
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
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2
DTA114EM3T5G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
DTA114EM3T5G
DTA124EM3T5G
DTA144EM3T5G
DTA114YM3T5G
DTA114TM3T5G
DTA143TM3T5G
DTA123EM3T5G
DTA143EM3T5G
DTA143ZM3T5G
DTA124XM3T5G
DTA123JM3T5G
DTA115EM3T5G
DTA144WM3T5G
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
（注3 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
DTA114EM3T5G
DTA124EM3T5G
DTA144EM3T5G
DTA114YM3T5G
DTA114TM3T5G
DTA143TM3T5G
DTA123EM3T5G
DTA143EM3T5G
DTA143ZM3T5G
DTA124XM3T5G
DTA123JM3T5G
DTA115EM3T5G
DTA144WM3T5G
h
FE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
15
27
140
130
140
150
140
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
E
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的DTA123EM3T5G
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的DTA114TM3T5G / DTA143TM3T5G /
DTA143ZM3T5G/DTA124XM3T5G/DTA143EM3T5G
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTA114EM3T5G
DTA124EM3T5G
DTA114YM3T5G
DTA114TM3T5G
DTA143TM3T5G
DTA123EM3T5G
DTA143EM3T5G
DTA143ZM3T5G
DTA124XM3T5G
DTA123JM3T5G
DTA144EM3T5G
DTA115EM3T5G
DTA144WM3T5G
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTA114TM3T5G
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTA143TM3T5G
DTA123EM3T5G
DTA143EM3T5G
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
VDC
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3
DTA114EM3T5G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输入电阻
DTA114EM3T5G
DTA124EM3T5G
DTA144EM3T5G
DTA114YM3T5G
DTA114TM3T5G
DTA143TM3T5G
DTA123EM3T5G
DTA143EM3T5G
DTA143ZM3T5G
DTA124XM3T5G
DTA123JM3T5G
DTA115EM3T5G
DTA144WM3T5G
DTA114EM3T5G/DTA124EM3T5G/DTA144EM3T5G
DTA115EM3T5G
DTA114YM3T5G
DTA114TM3T5G/DTA143TM3T5G
DTA123EM3T5G/DTA143EM3T5G
DTA143ZM3T5G
DTA124XM3T5G
DTA123JM3T5G
DTA144WM3T5G
300
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 480 ° C / W
符号
R1
民
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
典型值
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
最大
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
单位
kW
电阻率
/
R
1
/R
2
PD ，功耗（毫瓦）
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
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4
QQ：2880707522 复制
