晶体管
数字晶体管（内置电阻）
DTA143EE / DTA143EUA / DTA143EKA /
DTA143ECA / DTA143ESA
FFeatures
1 ）内置偏置电阻使
的逆变器电路的结构
无需连接外部输入
电阻（见等效电路） 。
2）偏置电阻组成thin-的
薄膜电阻具有完整间隔离
化，以允许的正偏压
输入。他们也有研华
几乎完全eliminat-踏歌
荷兰国际集团的寄生效应。
3）仅在开/关的条件需要
对操作进行设置，使得设备
设计简单。
FExternal
尺寸（单位：毫米）
FStructure
PNP晶体管数字
（具有内置电阻体）
FEquivalent
电路
(96-268-A143E)
354
晶体管
DTA143EE/DTA143EUA/DTA143EKA/DTA143ECA/DTA143ESA
FAbsolute
最大额定值（Ta = 25_C ）
FElectrical
特性（Ta = 25_C ）
FPackaging
特定网络阳离子
355
晶体管
DTA143EE/DTA143EUA/DTA143EKA/DTA143ECA/DTA143ESA
FElectrical
特性曲线
356
DTA143EE/DTA143EUA/
DTA143ECA/DTA143EKA/DTA143ESA
数字晶体管（ PNP ）
特点
1.内置偏置电阻使逆变器电路中的C onfiguration
没有连接外部输入电阻（见等效电路） 。
2.偏置电阻利弊北京时间的薄膜电阻完全隔离
允许
积极
偏置输入的。它们还具有的优点
几乎完全消除了寄生效应。
3.仅在开/关的条件需要进行操作来进行设定，使得
装置的设计容易。
PIN CONNENCTIONS和标志
DTA143EE
DTA143EUA
DTC114EUA
SOT-323
SOT-523
Addreviated符号： 13
Addreviated符号： 13
DTA143EKA
DTA143ECA
SOT-23-3L
SOT-23
Addreviated符号： 13
Addreviated符号： 13
DTA143ESA
TO-92S
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
DTA143EE/DTA143EUA/
DTA143ECA/DTA143EKA/DTA143ESA
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
参数
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
连接点
温度
储存温度
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）
Pd
T
j
TSTG
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
30
3.29
0.8
-3
分钟。
限制（ DTA143E □ ）
E
UA
KA
CA
SA
单位
V
V
mA
-50
-30~10
-100
-100
150
200
150
-55~150
典型值
马克斯。
-0.5
-0.3
-1.8
-0.5
4.7
1
250
6.11
1.2
兆赫
单位
V
V
mA
A
K
条件
V
CC
= -5V ，我
O
=-100A
V
O
= -0.3V ，我
O
=-20
mA
I
O
/I
I
=-10mA/-0.5mA
V
I
=-5V
V
CC
=-50V ,V
I
=0
V
O
= -5V ，我
O
=-10mA
300
mW
℃
℃
电气特性（ TA = 25
℃
)
V
O
= -10V ，我
O
=5mA,f=100MHz
典型特征
２
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
晶体管
DTA143EM / DTA143EE / DTA143EUA
DTA143EKA / DTA143ESA
数字晶体管（内置电阻）
DTA143EM / DTA143EE / DTA143EUA /
DTA143EKA / DTA143ESA
特点
1 ）内置偏置电阻实现的配置
无需连接外部输入逆变器电路
电阻（见等效电路） 。
2）偏置电阻由薄膜电阻与
完全隔离，允许输入的正面偏置。
他们也有几乎完全的优势
消除了寄生效应。
3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设定，
使装置的设计容易。
等效电路
R
1
IN
R
2
OUT
GND （+）
IN
GND （+）
OUT
结构
PNP晶体管数字
（具有内置电阻体）
外形尺寸
（单位：毫米）
DTA143EM
0.2
1.2
0.32
DTA143EE
1.2
0.8
(2)
(3)
(1)
1.6±0.2
1.0±0.1
0.2
0.4 0.4
0.8
+0.1
0.2
0.05
(1)
0.5 0.5
+0.1
0.2
0.05
0.8±0.1
1.6±0.2
0.7±0.1
0.55±0.1
0.5
0.22
(2)
0~0.1
0.13
0~0.1
0.15Max.
ROHM ： VMT3
ROHM ： EMT3
+0.1
0.3
0.05
0.15±0.05
缩写符号： 13
缩写符号： 13
DTA143EUA
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65 0.65
(1)
(2)
1.25±0.1
2.1±0.1
DTA143EKA
0.9±0.1
0.2
0.7±0.1
(1)
0~0.1
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
(2)
1.6
+0.2
0.1
2.8±0.2
1.1
+0.2
0.1
0.8±0.1
0.1Min.
（1）在
（2）接地
（3）输出
(3)
（1）接地
（2）在
（3）输出
0~0.1
(3)
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
缩写符号： 13
（1）接地
（2）在
（3）输出
0.3Min.
0.3
+0.1
0.15±0.05
0
所有的终端都有相同的尺寸
0.1Min.
(3)
+0.1
0.15
0.06
0.4
+0.1
0.05
所有的终端都有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
（1）接地
（2）在
（3）输出
缩写符号： 13
DTA143ESA
3
±
0.2
4
±
0.2
2
±
0.2
(15Min.)
0.45
+
0.15
0.05
3Min.
5
2.5
+
0.4
0.1
0.5
0.45
+
0.15
0.05
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
(1) (2) (3)
（1）接地
（2）输出
（3）在
Rev.A的
1/3
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
M
E
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）。
Pd
Tj
TSTG
150
DTA143EM / DTA143EE / DTA143EUA
DTA143EKA / DTA143ESA
Limits(DTA143E
UA
50
30
to
+10
100
100
200
150
55
to
+150
300
)
KA
SA
V
V
mA
mW
°C
°C
单位
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
3
30
3.29
0.8
典型值。
0.1
4.7
1
250
马克斯。
0.5
0.3
1.8
0.5
6.11
1.2
单位
V
V
mA
A
k
兆赫
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=20mA
I
O
/I
I
=10mA/0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=10mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
该设备的跃迁频率
包装规格
包
包装类型
CODE
基本订购
单位（件）
VMT3
EMT3
UMT3
SMT3
SPT
TAPING
T2L
8000
TAPING
TL
3000
TAPING
T106
3000
TAPING
T146
3000
TAPING
TP
5000
TYPE
DTA143EM
DTA143EE
DTA143EUA
DTA143EKA
DTA143ESA
Rev.A的
2/3
晶体管
电气特性曲线
100
50
输入电压： V
我（上）
(V)
10m
5m
DTA143EM / DTA143EE / DTA143EUA
DTA143EKA / DTA143ESA
V
O
=0.3V
输出电流：木卫一
(A)
V
CC
=5V
直流电流增益：摹
I
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
Ta=100°C
25°C
40°C
V
O
=5V
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100 200 500 1m 2m
5m 10m 20m 50m100m
Ta=40°C
25°C
100°C
Ta=100°C
25°C
1m
40°C
500
2m
200
100
50
20
10
5
2
1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
100 200 500 1m 2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出
当前
1
500m
输出电压： V
O（上）
(V)
l
O
/l
I
=20
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
Ta=100°C
25°C
40°C
1m
100 200 500 1m 2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出
当前
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
DTA143 EM / EE / EUA / ECA / ESA
PNP小信号晶体管
小信号产品
特点
◇
内置的偏置电阻使逆变器的结构
电路没有连接外部输入电阻
（见等效电路） 。
◇
偏置电阻组成的薄膜电阻器
完全隔离，允许输入的负偏置。
他们也有几乎完全的优势
消除了寄生效应。
◇
只有通/断条件需要被设置
运，标志着装置的设计容易。
◇
绿色化合物（无卤素）与后缀"G"
包装代码和日期代码前缀"G" 。
等效电路
订购信息（例）
产品型号
DTA143 EM
包
SOT-723
填料
8K / 7"卷轴
包装CODE
RM
包装CODE
（绿色）
RMG
记号
13
生产代码
M0
注：详情请参阅"Ordering信息（细节，例如） "如下。
最大额定值和电气特性
评分在25 ° C环境温度，除非另有规定。
最大额定值
参数
功耗
电源电压
输入电压
输出电流
结温和存储温度范围
符号
P
D
V
CC
V
IN
I
O
T
J
, T
英镑
价值
EM
100
EE
150
EUA / ECA
200
-50
-30 ~ +10
-100
-55到+ 150
欧空局
300
单位
mW
V
V
mA
°C
注：1。有效的规定，电极被保持在环境温度
电气特性
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
民
-0.5
典型值
最大
-3
-0.3
-1.8
-0.5
Condtion
V
CC
= -5V ，我
O
= -100μA
V
O
= -0.3V ，我
O
= -20mA
I
O
/ I
I
= -10mA / -0.5mA
V
I
= -5V
V
CC
= -50V, V
I
=0
V
O
= -5V ，我
O
= -10mA
单位
V
V
mA
μA
K
30
3.29
0.8
4.7
1
250
6.11
1.2
V
O
= -10V ，我
O
= -5mA中，f = 100MHz的
兆赫
版本： B13
QQ：2881677436 复制
