DTA114EM3T5G系列
首选设备
数字晶体管（ BRT ）
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。数字晶体管
包含一个带有整体式偏置网络由单个晶体管
两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。该
数字晶体管被消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用数字晶体管可以
同时降低系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SOT- 723封装，专为低功耗表面贴装
应用程序。
http://onsemi.com
PNP硅
数字
晶体管
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT - 723封装可以用波或回流焊接。
可在4毫米， 8000单位带卷&
这些无铅器件
销1
BASE
（输入）
3脚
集热器
（输出）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
3
记号
图
XX M
2
1
SOT723
CASE 631AA
风格1
xx
M
=具体设备守则
（见第2页上的标记表）
=日期代码
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年2月 - 修订版0
出版订单号：
DTA114EM3/D
DTA114EM3T5G系列
订购信息，设备标识和电阻值
设备
DTA114EM3T5G
DTA124EM3T5G*
DTA144EM3T5G
DTA114YM3T5G
DTA114TM3T5G
DTA143TM3T5G*
DTA123EM3T5G*
DTA143EM3T5G*
DTA143ZM3T5G*
DTA124XM3T5G
DTA123JM3T5G*
DTA115EM3T5G
DTA144WM3T5G*
记号
6A
6B
6C
6D
6E
6F
6H
6J
6K
6L
6M
6N
6P
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
2.2
4.7
47
47
47
100
22
包
航运
SOT723
（无铅）
8000 /磁带&卷轴
*可根据要求
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
热特性
特征
器件总功耗，
FR- 4板（注1 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注1 ）
器件总功耗，
FR- 4板（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注2 ）
结温和存储温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0
×
1.0英寸的垫
符号
P
D
260
2.0
R
qJA
P
D
600
4.8
R
qJA
T
J
, T
英镑
205
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
480
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
http://onsemi.com
2
DTA114EM3T5G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
DTA114EM3T5G
DTA124EM3T5G
DTA144EM3T5G
DTA114YM3T5G
DTA114TM3T5G
DTA143TM3T5G
DTA123EM3T5G
DTA143EM3T5G
DTA143ZM3T5G
DTA124XM3T5G
DTA123JM3T5G
DTA115EM3T5G
DTA144WM3T5G
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
（注3 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
DTA114EM3T5G
DTA124EM3T5G
DTA144EM3T5G
DTA114YM3T5G
DTA114TM3T5G
DTA143TM3T5G
DTA123EM3T5G
DTA143EM3T5G
DTA143ZM3T5G
DTA124XM3T5G
DTA123JM3T5G
DTA115EM3T5G
DTA144WM3T5G
h
FE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
15
27
140
130
140
150
140
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
E
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的DTA123EM3T5G
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的DTA114TM3T5G / DTA143TM3T5G /
DTA143ZM3T5G/DTA124XM3T5G/DTA143EM3T5G
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTA114EM3T5G
DTA124EM3T5G
DTA114YM3T5G
DTA114TM3T5G
DTA143TM3T5G
DTA123EM3T5G
DTA143EM3T5G
DTA143ZM3T5G
DTA124XM3T5G
DTA123JM3T5G
DTA144EM3T5G
DTA115EM3T5G
DTA144WM3T5G
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTA114TM3T5G
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
DTA143TM3T5G
DTA123EM3T5G
DTA143EM3T5G
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
VDC
http://onsemi.com
3
DTA114EM3T5G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输入电阻
DTA114EM3T5G
DTA124EM3T5G
DTA144EM3T5G
DTA114YM3T5G
DTA114TM3T5G
DTA143TM3T5G
DTA123EM3T5G
DTA143EM3T5G
DTA143ZM3T5G
DTA124XM3T5G
DTA123JM3T5G
DTA115EM3T5G
DTA144WM3T5G
DTA114EM3T5G/DTA124EM3T5G/DTA144EM3T5G
DTA115EM3T5G
DTA114YM3T5G
DTA114TM3T5G/DTA143TM3T5G
DTA123EM3T5G/DTA143EM3T5G
DTA143ZM3T5G
DTA124XM3T5G
DTA123JM3T5G
DTA144WM3T5G
300
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 480 ° C / W
符号
R1
民
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
典型值
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
最大
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
单位
kW
电阻率
/
R
1
/R
2
PD ，功耗（毫瓦）
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
http://onsemi.com
4
MUN5135 ， DTA123JE ，
DTA123JM3 ， NSBA123JF3
数字晶体管（ BRT ）
R 1 = 2.2千瓦， R2 = 47千瓦
PNP晶体管与单片偏置
电阻网络
这一系列的数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一
基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别
部件通过将它们集成到单个设备中。使用BRT的
能够显着降低系统成本和电路板空间。
特点
http://onsemi.com
引脚连接
3脚
集热器
（输出）
销1
BASE
（输入）
R1
R2
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
S和NSV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101
合格的，有能力PPAP
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
连续
输入正向电压
输入反向电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
IN（ FWD ）
V
在（转）
最大
50
50
100
12
5
单位
VDC
VDC
MADC
VDC
VDC
销2
辐射源
（接地）
标记DIAGRAMS
SC70/SOT323
CASE 419
方式3
SC75
CASE 463
风格1
SOT723
CASE 631AA
风格1
SOT1123
CASE 524AA
风格1
XX MG
G
1
XX M
1
XX M
1
XM 1
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
XXX
M
G
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
查看详细的订购，标记，并在发货信息
包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年9月
第1版
1
出版订单号：
DTA123J/D
MUN5135 ， DTA123JE ， DTA123JM3 ， NSBA123JF3
表1.订购信息
设备
MUN5135T1G
DTA123JET1G
DTA123JM3T5G
NSBA123JF3T5G
最热
6M
6M
6M
J(90°)*
包
SC70/SOT323
SC75
SOT723
SOT1123
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
* （ⅩⅩ °） =度沿着顺时针方向旋转。
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
(1)
(2) (3)
（ 1 ） SC- 75和SC- 70 / SOT- 323 ;最小焊盘
（ 2 ） SOT- 1123 ; 100毫米
2
， 1盎司铜线
（ 3 ） SOT- 723 ;最小焊盘
25
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ ℃）
图1.降额曲线
http://onsemi.com
2
MUN5135 ， DTA123JE ， DTA123JM3 ， NSBA123JF3
表2.热特性
特征
热特性（ SC - 70 / SOT- 323 ） （ MUN5135 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SC - 75 ） （ DTA123JE ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
热特性（ SOT- 723 ） （ DTA123JM3 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
热特性（ SOT- 1123 ） （ NSBA123JF3 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，结领导
结温和存储温度范围
1.
2.
3.
4.
FR- 4 @最小焊盘。
FR- 4 @ 1.0 ×1.0英寸的垫。
FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
（注3）
（注3）
（注4 ）
（注3）
（注4 ）
P
D
254
297
2.0
2.4
493
421
193
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
260
600
2.0
4.8
480
205
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
200
300
1.6
2.4
600
400
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
202
310
1.6
2.5
618
403
280
332
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
J
, T
英镑
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
http://onsemi.com
3
MUN5135 ， DTA123JE ， DTA123JM3 ， NSBA123JF3
表3.电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注5 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
DC电流增益（注5）
(I
C
= 5.0毫安， V
CE
= 10 V)
集热器
*发射器
饱和电压（注5 ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输入电压（OFF）的
(V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
毫安）
输入电压（ ON）的
(V
CE
- 0.2 V，I
C
= 5.0 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
5.脉冲条件：脉冲宽度= 300毫秒，占空比
v
2%.
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
我（关闭）
V
我（上）
V
OL
V
OH
R1
R
1
/R
2
80
4.9
1.5
0.038
140
0.6
0.8
2.2
0.047
0.25
0.2
2.9
0.056
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
kW
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
100
500
0.2
NADC
NADC
MADC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
4
MUN5135 ， DTA123JE ， DTA123JM3 ， NSBA123JF3
典型特征
MUN5135 ， DTA123JE ， DTA123JM3
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极电压（ V）
1
I
C
/I
B
= 10
h
FE
，直流电流增益
1000
25°C
V
CE
= 10 V
25°C
150°C
0.1
100
150°C
55°C
10
55°C
0.01
0
10
20
30
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
1
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
7
I
C
，集电极电流（毫安）
6
C
ob
，电容（pF ）
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
F = 10千赫
I
E
= 0 A
T
A
= 25°C
100
150°C
10
1
0.1
0.01
图3.直流电流增益
55°C
25°C
0.001
V
O
= 5 V
0
1
2
3
V
in
，输入电压（ V）
4
V
R
，反向偏置电压（V）的
图4.输出电容
10
图5.输出电流与输入电压
V
in
，输入电压（ V）
25°C
1
55°C
150°C
V
O
= 0.2 V
0.1
0
10
20
30
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
图6.输入电压与输出电流
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
