晶体管
DTA115TH / DTA115TE / DTA115TUA /
DTA115TKA / DTA115TSA
数字晶体管（内置电阻）
DTA115TH / DTA115TE / DTA115TUA /
DTA115TKA / DTA115TSA
!
特点
1 ）内置偏置电阻实现的配置
无需连接外部输入逆变器电路
电阻器。
2）偏置电阻由薄膜电阻与
完全隔离，允许输入的正偏压，
和寄生效应几乎完全消除。
3）仅在开/关的条件需要被设置
操作，使装置的设计容易。
4 ）更高的安装密度可以实现。
!
外形尺寸
（单位：毫米）
DTA115TH
1.6
0.85
0.27
(1)
0.5 0.5
(3)
(2)
0.12
0
~
0.1
0.7
1.0
1.6
ROHM ： EMT3H
EIAJ ：SC- 89
(1)Emitter
(2)Base
(3)Collector
(1)
(2)
0.2
0.5 0.5
DTA115TE
0.3
(3)
0.8
0.15
0.55
0.1Min.
0~0.1
0.7
!
电路原理图
C
R
1
ROHM ： EMT3
EIAJ ： SC- 75A
1.6
0.2
1.0
1.6
B
(1)Emitter
(2)Base
(3)Collector
E
(1)
DTA115TUA
E：发射器
C：收藏家
B：基本
0.3
(3)
0.65 0.65
0.7
1.25
2.1
0.15
0.2
(2)
1.3
0.9
每根导线具有相同的尺寸
0.1~0.4
0~0.1
2.0
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
(1)Emitter
(2)Base
(3)Collector
(1)
DTA115TKA
0.4
(3)
1.6
2.8
0.15
0.3
~
0.6
0
~
0.1
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
(2)
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
(1)Emitter
(2)Base
(3)Collector
DTA115TSA
3
4
2
(15Min.)
3Min.
0.45
大坪规格
2.5
5
(1)(2)(3)
0.5 0.45
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
(1)Emitter
(2)Collector
(3)Base
晶体管
!
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
DTA115TH / DTA115TE / DTA115TUA /
DTA115TKA / DTA115TSA
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
50
50
5
100
150
200
300
150
55
~
+150
°C
°C
mW
单位
V
V
V
mA
DTA115TH / DTA115TE
集电极电源
DTA115TUA / DTA115TKA
耗散
DTA115TSA
结温
储存温度
!
包装，标志和包装规格
产品型号
包
记号
包装代码
基本订购单位（件）
DTA115TH
EMT3H
99
T2L
8000
DTA115TE DTA115TUA DTA115TKA DTA115TSA
EMT3
99
TL
3000
UMT3
99
T106
3000
SMT3
99
T146
3000
SPT
TP
5000
!
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流
传输比
输入阻抗
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
R
1
f
T
分钟。
50
50
5
100
70
典型值。
250
100
250
马克斯。
0.5
0.5
0.3
600
130
单位
V
V
V
A
A
V
k
MH
Z
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
条件
I
C
/I
B
=1mA/0.1mA
I
C
=1mA
, V
CE
=5V
V
CE
=10V
, I
E
=5mA
， F = 100MH
Z
跃迁频率
*转换
频设备。
晶体管
DTA115TM / DTA115TE / DTA115TUA /
DTA115TKA / DTA115TSA
数字晶体管（内置电阻）
DTA115TM / DTA115TE / DTA115TUA /
DTA115TKA / DTA115TSA
特点
1 ）内置偏置电阻实现的配置
无需连接外部输入逆变器电路
电阻器。
2）偏置电阻由薄膜电阻与
完全隔离，允许输入的正偏压，
和寄生效应几乎完全消除。
3）仅在开/关的条件需要被设置
操作，使装置的设计容易。
4 ）更高的安装密度可以实现。
外形尺寸
（单位：毫米）
DTA115TM
0.2
1.2
0.8
(2)
(3)
(1)
0.2
1.2
0.32
0.4 0.4
0.5
0.22
0.8
0.15Max.
ROHM ： VMT3
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
(1)
(2)
0.2
0.5 0.5
DTA115TE
0.3
(3)
0.13
0~0.1
0.8
1.6
0.15
0.2
0.55
0.1Min.
ROHM ： EMT3
EIAJ ： SC- 75A
E
E：发射器
C：收藏家
B：基本
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
0.15
0.3
R
1
(3)
1.25
2.1
(2)
1.3
0.2
每根导线具有相同的尺寸
0.7
0.9
2.0
B
0.65 0.65
C
(1)
DTA115TUA
0~0.1
等效电路
0.7
1.0
1.6
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
0.1Min.
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
(1)
DTA115TKA
0.4
(3)
0~0.1
1.6
2.8
0.15
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
(2)
每根导线具有相同的尺寸
0.3Min.
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
DTA115TSA
3
4
0
~
0.1
2
(15Min.)
3Min.
0.45
大坪规格
2.5
5
0.5 0.45
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
(1)(2)(3)
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
Rev.A的
1/2
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
DTA115TM / DTA115TE / DTA115TUA /
DTA115TKA / DTA115TSA
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
DTA115TM / DTA115TE
DTA115TUA / DTA115TKA
DTA115TSA
P
C
Tj
TSTG
范围
50
50
5
100
150
200
300
150
55
to
+150
°C
°C
mW
单位
V
V
V
mA
集电极电源
耗散
结温
储存温度
包装，标志和包装规格
产品型号
包
记号
包装代码
基本订购单位（件）
DTA115TM
VMT3
99
T2L
8000
DTA115TE
EMT3
99
TL
3000
DTA115TUA DTA115TKA DTA115TSA
UMT3
99
T106
3000
SMT3
99
T146
3000
SPT
TP
5000
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流
传输比
输入阻抗
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
R
1
f
T
分钟。
50
50
5
100
70
典型值。
250
100
250
马克斯。
0.5
0.5
0.3
600
130
单位
V
V
V
A
A
V
k
MH
Z
I
C
= 50A
I
C
= -1mA
I
E
= 50A
V
CB
= 50V
V
EB
= 4V
条件
I
C
/I
B
= -1mA / -0.1mA
I
C
= -1mA
, V
CE
= 5V
V
CE
= 10V
, I
E
=5mA
， F = 100MH
Z
跃迁频率
*转换
频设备。
电气特性曲线
1k
500
CORRECTOR饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
V
CE
=5V
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
Ta=25°C
Ta=100°C
I
C
/I
B
=10/1
直流电流增益：H
FE
200
100
50
20
10
5
2
1
10
20
50 100 200
500 1m
2m
5m
10m
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
TA
40°C
10
20
50 100 200
500 1m
2m
5m
10m
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图1直流电流增益
与集电极电流
图2集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
-100mA / -50V数字晶体管
（具有内置电阻体）
DTA115TM / DTA115TE / DTA115TUA / DTA115TKA
应用
逆变器，接口，驱动器
特点
1 ）内置偏置电阻使逆变器电路的结构
没有连接外部输入电阻。
2）偏置电阻由薄膜电阻与
完全隔离，允许输入的正面偏置和
寄生效应几乎完全消除。
3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设定，使得
该装置的设计容易。
4 ）更高的安装密度可以实现。
结构
PNP外延平面硅晶体管
（电阻内置型）
包装规格
包
包装类型
CODE
基本订购
产品型号
单位（件）
DTA115TM
DTA115TE
DTA115TUA
DTA115TKA
VMT3
EMT3
UMT3
SMT3
ROHM ： EMT3
EIAJ ： SC- 75A
尺寸
（单位：毫米）
DTA115TM
(3)
0.2
0.22
(1)(2)
0.8
1.2
0.2
1.2
0.32
0.4 0.4
0.8
0.13
0.5
ROHM ： VMT3
缩写符号： 99
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
DTA115TE
1.6
0.3
(3)
0.8
1.6
0.7
0.55
0.2
0.5 0.5
1.0
0.2
0.15
0.1Min.
(2)
(1)
缩写符号： 99
2.0
0.3
(3)
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
DTA115TUA
0.9
0.2
0.7
TAPING
T2L
8000
TAPING
TL
3000
TAPING
T106
3000
TAPING
T146
3000
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
(2)
(1)
1.25
2.1
0.65 0.65
1.3
0.15
缩写符号： 99
2.9
0.4
(3)
1.6
2.8
DTA115TKA
1.1
0.8
内部电路
C
R
1
E：发射器
C：收藏家
B：基本
R
1
=100kΩ
B
E
(2)
(1)
0.95 0.95
0.15
0.3Min.
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
1.9
缩写符号： 99
www.rohm.com
c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
1/2
2009.06 - Rev.C
0.1Min.
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
DTA115TM / DTA115TE / DTA115TUA / DTA115TKA
绝对最大额定值
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
数据表
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
50
50
5
100
150
200
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
DTA115TM / DTA115TE
DTA115TUA / DTA115TKA
P
C
Tj
TSTG
结温
储存温度
电气特性
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流
传输比
输入阻抗
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
R
1
f
T
分钟。
50
50
5
100
70
典型值。
250
100
250
马克斯。
0.5
0.5
0.3
600
130
单位
V
V
V
μA
μA
V
kΩ
MH
Z
I
C
= 50μA
I
C
= -1mA
I
E
= 50μA
V
CB
= 50V
V
EB
= 4V
条件
I
C
/I
B
= -1mA / -0.1mA
I
C
= -1mA
, V
CE
= 5V
V
CE
= 10V
, I
E
=5mA
， F = 100MH
Z
跃迁频率
*特点
内置的晶体管的
电气特性曲线
CORRECTOR饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
1k
500
V
CE
=5V
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
Ta=25°C
Ta=100°C
I
C
/I
B
=10/1
直流电流增益：H
FE
200
100
50
20
10
5
2
1
10μ
20μ
50μ 100μ 200μ
500μ 1m
2m
5m
10m
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
TA
40°C
10μ
20μ
50μ 100μ 200μ
500μ 1m
2m
5m
10m
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图1直流电流增益
与集电极电流
图2集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
www.rohm.com
c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
2/2
2009.06 - Rev.C
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不
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这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
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为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，
燃料控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任
任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
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R0039A
晶体管
DTA115TM / DTA115TE / DTA115TUA /
DTA115TKA / DTA115TSA
数字晶体管（内置电阻）
DTA115TM / DTA115TE / DTA115TUA /
DTA115TKA / DTA115TSA
特点
1 ）内置偏置电阻实现的配置
无需连接外部输入逆变器电路
电阻器。
2）偏置电阻由薄膜电阻与
完全隔离，允许输入的正偏压，
和寄生效应几乎完全消除。
3）仅在开/关的条件需要被设置
操作，使装置的设计容易。
4 ）更高的安装密度可以实现。
外形尺寸
（单位：毫米）
DTA115TM
0.2
1.2
0.8
(2)
(3)
(1)
0.2
1.2
0.32
0.4 0.4
0.5
0.22
0.8
0.15Max.
ROHM ： VMT3
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
(1)
(2)
0.2
0.5 0.5
DTA115TE
0.3
(3)
0.13
0~0.1
0.8
1.6
0.15
0.2
0.55
0.1Min.
ROHM ： EMT3
EIAJ ： SC- 75A
E
E：发射器
C：收藏家
B：基本
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
0.15
0.3
R
1
(3)
1.25
2.1
(2)
1.3
0.2
每根导线具有相同的尺寸
0.7
0.9
2.0
B
0.65 0.65
C
(1)
DTA115TUA
0~0.1
等效电路
0.7
1.0
1.6
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
0.1Min.
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
(1)
DTA115TKA
0.4
(3)
0~0.1
1.6
2.8
0.15
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
(2)
每根导线具有相同的尺寸
0.3Min.
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
DTA115TSA
3
4
0
~
0.1
2
(15Min.)
3Min.
0.45
大坪规格
2.5
5
0.5 0.45
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
(1)(2)(3)
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
Rev.A的
1/2
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
DTA115TM / DTA115TE / DTA115TUA /
DTA115TKA / DTA115TSA
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
DTA115TM / DTA115TE
DTA115TUA / DTA115TKA
DTA115TSA
P
C
Tj
TSTG
范围
50
50
5
100
150
200
300
150
55
to
+150
°C
°C
mW
单位
V
V
V
mA
集电极电源
耗散
结温
储存温度
包装，标志和包装规格
产品型号
包
记号
包装代码
基本订购单位（件）
DTA115TM
VMT3
99
T2L
8000
DTA115TE
EMT3
99
TL
3000
DTA115TUA DTA115TKA DTA115TSA
UMT3
99
T106
3000
SMT3
99
T146
3000
SPT
TP
5000
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流
传输比
输入阻抗
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
R
1
f
T
分钟。
50
50
5
100
70
典型值。
250
100
250
马克斯。
0.5
0.5
0.3
600
130
单位
V
V
V
A
A
V
k
MH
Z
I
C
= 50A
I
C
= -1mA
I
E
= 50A
V
CB
= 50V
V
EB
= 4V
条件
I
C
/I
B
= -1mA / -0.1mA
I
C
= -1mA
, V
CE
= 5V
V
CE
= 10V
, I
E
=5mA
， F = 100MH
Z
跃迁频率
*转换
频设备。
电气特性曲线
1k
500
CORRECTOR饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
V
CE
=5V
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
Ta=25°C
Ta=100°C
I
C
/I
B
=10/1
直流电流增益：H
FE
200
100
50
20
10
5
2
1
10
20
50 100 200
500 1m
2m
5m
10m
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
TA
40°C
10
20
50 100 200
500 1m
2m
5m
10m
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图1直流电流增益
与集电极电流
图2集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
QQ：2880707522 复制
