DTA114EET1系列
首选设备
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一
基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别
部件通过将它们集成到单个设备中。使用BRT的
能够显着降低系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
在SC - 75 / SOT- 416封装，专为低功耗
表面贴装应用。
特点
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PNP硅BIAS
电阻晶体管
3脚
集热器
（输出）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
在SC - 75 / SOT- 416封装可以用波或回流焊接。
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除了损坏模具的可能性。
无铅包可用
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
销1
BASE
（输入）
3
2
1
SC- 75 （ SOT- 416 ）
CASE 463
风格1
热特性
等级
器件总功耗， FR- 4板
（注1 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
（注1 ）
器件总功耗， FR- 4板
（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
（注2 ）
结温和存储温度范围
符号
P
D
200
1.6
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
400
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
600
mW
毫瓦/°C的
° C / W
价值
单位
标记图
XX M
G
G
=具体设备守则
XX = （参见第2页）
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
xx
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR- 4 @最小焊盘。
2. FR- 4 @ 1.0
×
1.0英寸的垫。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年3月 - 修订版6
出版订单号：
DTA114EET1/D
DTA114EET1系列
订购信息和电阻值
设备
DTA114EET1
DTA114EET1G
DTA124EET1
DTA124EET1G
DTA144EET1
DTA144EET1G
DTA114YET1
DTA114YET1G
DTA114TET1
DTA114TET1G
DTA143TET1
DTA143TET1G
DTA123EET1
DTA123EET1G
DTA143EET1
DTA143EET1G
DTA143ZET1
DTA143ZET1G
DTA124XET1
DTA124XET1G
DTA123JET1
DTA123JET1G
DTA115EET1
DTA115EET1G
DTA144WET1
DTA144WET1G
6P
47
22
6N
100
100
6M
2.2
47
6L
22
47
6K
4.7
47
43
4.7
4.7
6H
2.2
2.2
6F
4.7
∞
6E
10
∞
6D
10
47
6C
47
47
6B
22
22
6A
10
10
记号
R1 （ K）
R2 （ K）
包
SC75
SC75
（无铅）
SC75
SC75
（无铅）
SC75
SC75
（无铅）
SC75
SC75
（无铅）
SC75
SC75
（无铅）
SC75
SC75
（无铅）
SC75
SC75
（无铅）
SC75
SC75
（无铅）
SC75
SC75
（无铅）
SC75
SC75
（无铅）
SC75
SC75
（无铅）
SC75
SC75
（无铅）
SC75
SC75
（无铅）
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MUN2136 ， MUN5136 ，
DTA115EE ， DTA115EM3
数字晶体管（ BRT ）
R 1 = 100千瓦，R 2 = 100千瓦
PNP晶体管与单片偏置
电阻网络
这一系列的数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一个基线
发射极电阻。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。
特点
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引脚连接
3脚
集热器
（输出）
销1
BASE
（输入）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
S和NSV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101标准
和PPAP有能力
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
连续
输入正向电压
输入反向电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
IN（ FWD ）
V
在（转）
最大
50
50
100
40
10
单位
VDC
VDC
MADC
VDC
VDC
标记DIAGRAMS
SC59
CASE 318D
风格1
XX MG
G
1
XX MG
G
1
XX M
1
XX M
1
XXX
M
G
SC70/SOT323
CASE 419
方式3
SC75
CASE 463
风格1
SOT723
CASE 631AA
风格1
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
查看详细的订购，标记，并在发货信息
包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年9月
第1版
1
出版订单号：
DTA115E/D
MUN2136 ， MUN5136 ， DTA115EE ， DTA115EM3
表1.订购信息
设备
MUN2136T1G
MUN5136T1G
DTA115EET1G
DTA115EM3T5G
最热
6N
6N
6N
6N
包
SC59
SC70/SOT323
SC75
SOT723
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
(1) (2) (3)
（ 1 ） SC- 75和SC- 70 / SOT- 323 ;最小焊盘
（ 2 ） SC- 59 ;最小焊盘
（ 3 ） SOT- 723 ;最小焊盘
25
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ ℃）
图1.降额曲线
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2
MUN2136 ， MUN5136 ， DTA115EE ， DTA115EM3
表2.热特性
特征
热特性（ SC - 59 ） （ MUN2136 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SC - 70 / SOT- 323 ） （ MUN5136 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SC - 75 ） （ DTA115EE ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
热特性（ SOT- 723 ） （ DTA115EM3 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
1， FR- 4 @最小焊盘。
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫。
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
260
600
2.0
4.8
480
205
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
200
300
1.6
2.4
600
400
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
202
310
1.6
2.5
618
403
280
332
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
230
338
1.8
2.7
540
370
264
287
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
J
, T
英镑
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3
MUN2136 ， MUN5136 ， DTA115EE ， DTA115EM3
表3.电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
DC电流增益（注3）
(I
C
= 5.0毫安， V
CE
= 10 V)
集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输入电压（OFF）的
(V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
毫安）
输入电压（ ON）的
(V
CE
- 0.2 V，I
C
= 1.0 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
3.脉冲条件：脉冲宽度= 300毫秒，占空比
≤
2%.
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
我（关闭）
V
我（上）
V
OL
V
OH
R1
R
1
/R
2
80
4.9
70
0.8
150
1.2
1.7
100
1.0
0.25
0.2
130
1.2
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
kW
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
100
500
0.05
NADC
NADC
MADC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
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4
MUN2136 ， MUN5136 ， DTA115EE ， DTA115EM3
典型特征
MUN2136 ， MMUN2136L ， MUN5136 ， DTA115EE ， DTA115EM3
10
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
电压（V）的
I
C
/I
B
= 10
h
FE
，直流电流增益
1000
150°C
25°C
1
25°C
0.1
55°C
0
10
20
30
40
50
100
55°C
150°C
10
V
CE
= 10 V
1
0.1
1
10
100
0.01
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
12
C
ob
，输出电容（ pF）的
10
8
6
4
2
0
I
C
，集电极电流（毫安）
F = 10千赫
I
E
= 0 A
T
A
= 25°C
100
图3.直流电流增益
150°C
55°C
25°C
10
1
0.1
V
O
= 5 V
0.01
0
4
8
12
16
20
24
28
0
10
20
30
40
50
V
R
，反向电压（V）的
V
in
，输入电压（ V）
图4.输出电容
100
55°C
图5.输出电流与输入电压
V
in
，输入电压（ V）
25°C
10
1
150°C
0.1
V
O
= 0.2 V
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
图6.输入电压与输出电流
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
