【DTA114EET1系列首选设备偏置电阻晶体管PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络此新系列数字晶】,IC型号DTA115EET1,DTA115EET1 PDF资料,DTA115EET1经销商,ic,电子元器件-51电子网

DTA114EET1系列

首选设备

偏置电阻晶体管

PNP硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻

晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管

网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一

基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别

部件通过将它们集成到单个设备中。使用BRT的

能够显着降低系统成本和电路板空间。该设备被容纳在

在SC - 75 / SOT- 416封装，专为低功耗

表面贴装应用。

特点

http://onsemi.com

PNP硅BIAS

电阻晶体管

3脚

集热器

（输出）

R1

R2

销2

辐射源

（接地）

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

在SC - 75 / SOT- 416封装可以用波或回流焊接。

在修改后的鸥翼引线吸收热应力

焊接消除了损坏模具的可能性。

无铅包可用

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

销1

BASE

（输入）

3

2

1

SC- 75 （ SOT- 416 ）

CASE 463

风格1

热特性

等级

器件总功耗， FR- 4板

（注1 ） @ T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

（注1 ）

器件总功耗， FR- 4板

（注2 ） @ T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

（注2 ）

结温和存储温度范围

符号

P

D

200

1.6

R

qJA

P

D

300

2.4

R

qJA

T

J

, T

英镑

400

-55

+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

600

mW

毫瓦/°C的

° C / W

价值

单位

标记图

XX M

G

=具体设备守则

XX = （参见第2页）

M

=日期代码*

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向可能有所不同

在制造地点。

xx

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1， FR- 4 @最小焊盘。

2. FR- 4 @ 1.0

×

1.0英寸的垫。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

1

2006年3月 - 修订版6

出版订单号：

DTA114EET1/D

DTA114EET1系列

订购信息和电阻值

设备

DTA114EET1

DTA114EET1G

DTA124EET1

DTA124EET1G

DTA144EET1

DTA144EET1G

DTA114YET1

DTA114YET1G

DTA114TET1

DTA114TET1G

DTA143TET1

DTA143TET1G

DTA123EET1

DTA123EET1G

DTA143EET1

DTA143EET1G

DTA143ZET1

DTA143ZET1G

DTA124XET1

DTA124XET1G

DTA123JET1

DTA123JET1G

DTA115EET1

DTA115EET1G

DTA144WET1

DTA144WET1G

6P

47

22

6N

100

6M

2.2

47

6L

22

47

6K

4.7

47

43

4.7

6H

2.2

6F

4.7

∞

6E

10

∞

6D

10

47

6C

47

6B

22

6A

10

记号

R1 （ K）

R2 （ K）

包

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

航运

3000磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

2

DTA114EET1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

DTA114EET1

DTA124EET1

DTA144EET1

DTA114YET1

DTA114TET1

DTA143TET1

DTA123EET1

DTA143EET1

DTA143ZET1

DTA124XET1

DTA123JET1

DTA115EET1

DTA144WET1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

DTA114EET1

DTA124EET1

DTA144EET1

DTA114YET1

DTA114TET1

DTA143TET1

DTA123EET1

DTA143EET1

DTA143ZET1

DTA124XET1

DTA123JET1

DTA115EET1

DTA144WET1

h

FE

35

60

80

160

8.0

15

80

60

100

140

250

15

27

140

130

140

150

140

0.25

符号

民

典型值

最大

单位

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

E

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的

DTA123EET1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的

DTA114TET1/DTA143TET1

DTA143ZET1/DTA124XET1

DTA143EET1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

DTA114EET1

DTA124EET1

DTA114YET1

DTA114TET1

DTA143TET1

DTA123EET1

DTA143EET1

DTA143ZET1

DTA124XET1

DTA123JET1

DTA144EET1

DTA115EET1

DTA144WET1

V

CE （ SAT ）

VDC

V

OL

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0千瓦）

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

http://onsemi.com

3

DTA114EET1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

基本特征

（注6 ）

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

DTA114TET1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0千瓦）

DTA143TET1

DTA123EET1

DTA143EET1

输入电阻

DTA114EET1

DTA124EET1

DTA144EET1

DTA114YET1

DTA114TET1

DTA143TET1

DTA123EET1

DTA143EET1

DTA143ZET1

DTA124XET1

DTA123JET1

DTA115EET1

DTA144WET1

DTA114EET1/DTA124EET1

DTA144EET1/DTA115EET1

DTA114YET1

DTA114TET1/DTA143TET1

DTA123EET1/DTA143EET1

DTA143ZET1

DTA124XET1

DTA123JET1

DTA144WET1

6.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

V

OH

4.9

VDC

符号

民

典型值

最大

单位

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

10

22

47

10

4.7

2.2

4.7

22

2.2

100

47

13

28.6

61.1

13

6.1

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

kW

电阻率

R

1

/R

2

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

http://onsemi.com

4

DTA114EET1系列

250

PD ，功耗（毫瓦）

200

150

100

50

0

50

R

qJA

= 60℃ / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

R（T ），归一化瞬态热阻

1.0

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.1

0.01

单脉冲

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T，时间（S ）

1.0

10

100

1000

图2.归热响应

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5

DTA114EET1系列

首选设备

偏置电阻晶体管

PNP硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻

晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管

网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一

基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别

部件通过将它们集成到单个设备中。使用BRT的

能够显着降低系统成本和电路板空间。该设备被容纳在

在SC - 75 / SOT- 416封装，专为低功耗

表面贴装应用。

特点

http://onsemi.com

PNP硅BIAS

电阻晶体管

3脚

集热器

（输出）

R1

R2

销2

辐射源

（接地）

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

在SC - 75 / SOT- 416封装可以用波或回流焊接。

在修改后的鸥翼引线吸收热应力

焊接消除了损坏模具的可能性。

无铅包可用

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

销1

BASE

（输入）

3

2

1

SC- 75 （ SOT- 416 ）

CASE 463

风格1

热特性

等级

器件总功耗， FR- 4板

（注1 ） @ T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

（注1 ）

器件总功耗， FR- 4板

（注2 ） @ T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

（注2 ）

结温和存储温度范围

符号

P

D

200

1.6

R

qJA

P

D

300

2.4

R

qJA

T

J

, T

英镑

400

-55

+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

600

mW

毫瓦/°C的

° C / W

价值

单位

标记图

XX M

G

=具体设备守则

XX = （参见第2页）

M

=日期代码*

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向可能有所不同

在制造地点。

xx

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1， FR- 4 @最小焊盘。

2. FR- 4 @ 1.0

×

1.0英寸的垫。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

1

2006年3月 - 修订版6

出版订单号：

DTA114EET1/D

DTA114EET1系列

订购信息和电阻值

设备

DTA114EET1

DTA114EET1G

DTA124EET1

DTA124EET1G

DTA144EET1

DTA144EET1G

DTA114YET1

DTA114YET1G

DTA114TET1

DTA114TET1G

DTA143TET1

DTA143TET1G

DTA123EET1

DTA123EET1G

DTA143EET1

DTA143EET1G

DTA143ZET1

DTA143ZET1G

DTA124XET1

DTA124XET1G

DTA123JET1

DTA123JET1G

DTA115EET1

DTA115EET1G

DTA144WET1

DTA144WET1G

6P

47

22

6N

100

6M

2.2

47

6L

22

47

6K

4.7

47

43

4.7

6H

2.2

6F

4.7

∞

6E

10

∞

6D

10

47

6C

47

6B

22

6A

10

记号

R1 （ K）

R2 （ K）

包

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

SC75

（无铅）

航运

3000磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

2

DTA114EET1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

DTA114EET1

DTA124EET1

DTA144EET1

DTA114YET1

DTA114TET1

DTA143TET1

DTA123EET1

DTA143EET1

DTA143ZET1

DTA124XET1

DTA123JET1

DTA115EET1

DTA144WET1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

DTA114EET1

DTA124EET1

DTA144EET1

DTA114YET1

DTA114TET1

DTA143TET1

DTA123EET1

DTA143EET1

DTA143ZET1

DTA124XET1

DTA123JET1

DTA115EET1

DTA144WET1

h

FE

35

60

80

160

8.0

15

80

60

100

140

250

15

27

140

130

140

150

140

0.25

符号

民

典型值

最大

单位

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

E

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的

DTA123EET1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的

DTA114TET1/DTA143TET1

DTA143ZET1/DTA124XET1

DTA143EET1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

DTA114EET1

DTA124EET1

DTA114YET1

DTA114TET1

DTA143TET1

DTA123EET1

DTA143EET1

DTA143ZET1

DTA124XET1

DTA123JET1

DTA144EET1

DTA115EET1

DTA144WET1

V

CE （ SAT ）

VDC

V

OL

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0千瓦）

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

http://onsemi.com

3

DTA114EET1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

基本特征

（注6 ）

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

DTA114TET1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0千瓦）

DTA143TET1

DTA123EET1

DTA143EET1

输入电阻

DTA114EET1

DTA124EET1

DTA144EET1

DTA114YET1

DTA114TET1

DTA143TET1

DTA123EET1

DTA143EET1

DTA143ZET1

DTA124XET1

DTA123JET1

DTA115EET1

DTA144WET1

DTA114EET1/DTA124EET1

DTA144EET1/DTA115EET1

DTA114YET1

DTA114TET1/DTA143TET1

DTA123EET1/DTA143EET1

DTA143ZET1

DTA124XET1

DTA123JET1

DTA144WET1

6.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

V

OH

4.9

VDC

符号

民

典型值

最大

单位

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

10

22

47

10

4.7

2.2

4.7

22

2.2

100

47

13

28.6

61.1

13

6.1

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

kW

电阻率

R

1

/R

2

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

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4

DTA114EET1系列

250

PD ，功耗（毫瓦）

200

150

100

50

0

50

R

qJA

= 60℃ / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

R（T ），归一化瞬态热阻

1.0

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.1

0.01

单脉冲

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T，时间（S ）

1.0

10

100

1000

图2.归热响应

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