晶体管
数字晶体管（内置电阻）
DTA114TE / DTA114TUA / DTA114TKA /
DTA114TSA
FFeatures
1 ）内置电路可以使组态
的逆变器电路的配给不
连接外部输入电阻
（见等效电路） 。
2）偏置电阻组成thin-的
薄膜电阻具有完整间隔离
化，以允许的正偏压
输入。他们也有研华
几乎完全eliminat-踏歌
荷兰国际集团的寄生效应。
3）仅在开/关的条件需要
对操作进行设置，使得设备
设计简单。
FExternal
尺寸（单位：毫米）
FStructure
PNP晶体管数字
（对于单建于电阻）
FEquivalent
电路
(96-253-A114T)
330
晶体管
FAbsolute
最大额定值（Ta = 25_C ）
DTA114TE/DTA114TUA/DTA114TKA/DTA114TSA
FElectrical
特性（Ta = 25_C ）
FPackaging
特定网络阳离子
331
晶体管
FElectrical
特性曲线
DTA114TE/DTA114TUA/DTA114TKA/DTA114TSA
332
DTA114TE/DTA114TUA/DTA114TKA/DTA114TSA/DTA114TCA
晶体管（ PNP ）
特点
·内置偏置电阻实现的配置
逆变电路，而无需连接前temal输入电阻。
·薄膜电阻，偏置电阻conisit
完全隔离，允许输入的正面偏置。
他们也有几乎完全的优势
消除了寄生效应。
·只有开/关的条件需要进行操作来进行设定，
标记装置的设计容易。
PIN CONNENCTIONS和标志
DTA114TE
DTA114TUA
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
Addreviated符号： 94
SOT-323
Addreviated符号： 94
SOT-523
DTA114TKA
DTA114TCA
DTA114ECA
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
SOT-23
SOT-23-3L
Addreviated符号： 94
Addreviated符号： 94
DTA114TSA
TO-92S
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
DTA114TE/DTA114TUA/DTA114TKA/DTA114TSA/DTA114TCA
最大额定值*
T
A
=25
℃
除非另有说明
符号
参数
E
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温和存储温度
150
LIMITS(DTA114T□)
UA
KA
-50
-50
-5
-100
200
-55~+150
300
CA
SA
V
V
V
mA
mW
℃
单位
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
开关输入电阻
击穿
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
R1
除非
TEST
否则
特定网络版）
民
-50
-50
-5
-0.5
-0.5
100
250
600
-0.3
250
7
10
13
V
兆赫
kΩ
典型值
最大
单位
V
V
V
uA
uA
条件
IC = -
50
A，I
E
=0
IC = -
1
妈，我
B
=0
I
E
=-
50
A，I
C
=0
V
CB
=-
50
V，I
E
=0
V
EB
=-
4
V，I
C
=0
V
CE
=-
5
V，I
C
=-
1
mA
I
C
=-10mA,I
B
=-1mA
V
CE
=-
10
V，I
C
=-
5
毫安， F =
100
兆赫
典型特征
２
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／５
DTA114EE系列
偏置电阻晶体管PNP硅
P B
铅（Pb ） - 免费
1
BASE
R1
R2
3
3
集热器
3
1
2
2
辐射源
SC-89
(SOT-523F)
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
I
C
价值
50
50
100
单位
V
V
mA
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(1)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(1)
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(2)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(2)
结温范围
存储温度范围
1.FR - 4 @最小焊盘
2.FR - 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
TSTG
最大
200
1.6
600
300
2.4
400
-55到+150
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
C
C
器件标识和ResistorValues
设备
DTA114EE
DTA124EE
DTA144EE
DTA114YE
DTA114TE
DTA143TE
记号
6A
6B
6C
6D
6E
6F
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
R2(K)
10
22
47
47
8 8
设备
DTA123EE
DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA115EE
DTA144WE
记号
6H
43
6K
6L
6M
6N
6P
R1(K)
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2(K)
2.2
4.7
47
47
47
100
22
宽E IT R 0
H T T P上： / / W W瓦特宽E I T ，R 0 。 C 0米。 TW
1/13
12-Jun-06
DTA114EE系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
WEITRON
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(2)
I
C
= 2.0毫安，我
B
=0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10μA ，我
E
=0
集电极 - 基Cuto FF电压
V
CB
= 50V ，我
E
=0
集电极 - 发射极Cuto FF电流
V
CE
= 50V ，我
B
=0
发射基Cuto FF电流
V
EB
= 6.0V ，我
C
=0
DTA114EE
DTA124EE
DTA144EE
DTA114YE
DTA114TE
DTA143TE
DTA123EE
DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA115EE
DTA144WE
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
首席执行官
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
V
V
nA
nA
I
EBO
mA
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/13
12-Jun-06
DTA114EE系列
电气特性
基本特征
(3)
直流电流增益
V
CE
= -10V ，我
C
=5.0mA
DTA114EE
DTA124EE
DTA144EE
DTA114YE
DTA114TE
DTA143TE
DTA123EE
DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA115EE
DTA144WE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
15
27
140
130
140
150
140
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
h
FE
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10毫安，我
E
=0.3mA
I
C
= 10毫安，我
E
=5.0mA
DTA123EE
I
C
= 10毫安，我
E
=1.0mA
DTA114TE / DTA143TE
DTA143ZE / DTA124XE
DTA143EE
输出电压（上）
V
CC
=5.0V, V
B
= 2.5V
L
=1.0KΩ
DTA114EE
DTA124EE
DTA144EE
DTA114YE
DTA114TE
DTA143TE
DTA123EE
DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA115EE
DTA144WE
V
CE （ SAT ）
-
-
0.25
-
V
OL
-
-
0.2
V
V
CC
=5.0V, V
B
= 3.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 5.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 4.0V
L
=1.0KΩ
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
3/13
12-Jun-06
DTA114EE系列
ELECTRICALCHARACTERISTICS
基本特征
(4)
输出电压（O FF ）
V
CC
=5.0V, V
B
= 0.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 0.25V
L
=1.0KΩ
4.9
DTA114TE
DTA143TE
DTA123EE
DTA143EE
DTA114EE
DTA124EE
DTA144EE
DTA114YE
DTA114TE
DTA143TE
DTA123EE
DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA115EE
DTA144WE
DTA114EE / DTA124EE
DTA144EE / DTA115EE
DTA114YE
DTA114TE / DTA143TE
DTA123EE / DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA144WE
V
OH
-
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
-
V
输入电阻
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
15.4
70
32.9
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
kΩ
电阻率
R1/R2
0.8
0.17
-
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
1.0
0.21
-
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
1.2
0.25
-
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
-
4. PulseTest ：脉宽< 300US ，占空比< 2.0 ％
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
4/13
12-Jun-06
DTA114EE系列
WEITRON
DTA114EET1系列
250
功耗，P
D
200
150
100
50
0
T
A
，环境温度（ ° C）
R
JA
= 60℃ / W
图1.降额曲线
归一化瞬态热阻， R（T ）
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
图2.归热响应
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
5/13
12-Jun-06
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
DTA114TE
特点
外壳材料：模压塑料。 UL可燃性分类
等级94V -0和MSL等级1
内置的偏置电阻使逆变器电路的结构
没有连接外部输入电阻（见等效电路）
偏置电阻组成的薄膜电阻具有完整
隔离，以使输入的负偏压。他们也有
利用几乎完全消除了寄生效应
只有通/断条件需要设置操作，使得
装置的设计容易
PNP晶体管数字
SOT-523
A
D
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极耗散
结温范围
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
价值
-50
-50
-5
-100
150
-55~150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
G
K
3
1
2
B
C
1.
BASE
2.
辐射源
3.
集热器
E
H
J
电气特性
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
R
1
f
T
尺寸
参数
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= -50uA ，我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -1mA ，我
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= -50uA ，我
C
=0)
集电极截止电流
(V
CB
= -50V ，我
E
=0)
发射极截止电流
(V
EB
= -4V ，我
C
=0)
直流电流增益
(V
CE
= -5V ，我
C
=-1mA)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= -10mA ，我
B
=-1mA)
输入电阻
跃迁频率
(V
CE
= -10V ，我
C
= -5mA中，f = 100MHz时）
民
-50
-50
-5
---
---
100
---
7
---
典型值
---
---
---
---
---
250
---
10
250
最大
---
---
---
-0.5
-0.5
600
-0.3
13
---
单位
V
V
V
uA
uA
---
V
K
兆赫
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
英寸
民
最大
.059
.067
.030
.033
.057
.069
0.020名义
.035
.043
.000
.004
.028
.031
.004
.008
.010
.014
MM
民
最大
1.50
1.70
0.75
0.85
1.45
1.75
0.50Nominal
0.90
1.10
.000
.100
.70
0.80
.100
.200
.25
.35
记
*标记： 94
www.mccsemi.com
修改：
3
1作者：
3
2009/02/11
MCC
微型商业组件
TM
订购信息
设备
（品名） -TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
.
保留随时更改，恕不另行通知任何权
此产品进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
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不承担因应用程序的任何责任或
使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利，也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
微型商业组件公司
.
和所有的公司
产品的代表在我们的网站上，反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
微型商业组件公司
.
不打算用于医学，
航空航天和军事应用。
www.mccsemi.com
修订： 3
3
of
3
2009/02/11
3
江苏长电科技股份有限公司
数字晶体管（内置电阻）
DTA114TE / DTA114TUA
/ DTA114TCA / DTA114TKA / DTA114TSA
晶体管（ PNP ）
特点
·
内置偏置电阻实现的配置
逆变电路，而无需连接extemal输入电阻。
·
薄膜电阻，偏置电阻conisit
完全隔离，无需连接extemal输入。
他们也有几乎完全的优势
消除了寄生效应。
·
只有通/断条件需要设置操作，
标记装置的设计容易。
PIN CONNENCTIONS和标志
DTA114TE
DTA114TUA
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
Addreviated符号： 94
SOT-323
Addreviated符号： 94
（ 1 ）基本
（ 1 ）基本
（2）发射
（2）发射
（ 3 ）集电极
（ 3 ）集电极
SOT-523
DTA114TKA
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
DTA114TCA
DTA114ECA
（ 1 ）基本
（ 1 ）基本
（2）发射
（2）发射
（ 3 ）集电极
（ 3 ）集电极
SOT-23-3L
Addreviated符号： 94
SOT-23
Addreviated符号： 94
DTA114TSA
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
TO-92S
-100mA / -50V数字晶体管
（具有内置电阻体）
DTA114TM / DTA114TE / DTA114TUA / DTA114TKA
应用
逆变器，接口，驱动器
特点
1 ）内置偏置电阻使逆变器电路的结构没有连接外部输入电阻器（见
等效电路） 。
2）偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离，允许输入的正面偏置。他们还
具有几乎完全消除了寄生效应的优点。
3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设置，使得该装置的设计容易。
结构
PNP型外延平面硅晶体管（电阻内置型）
尺寸
（单位：毫米）
DTA114TM
0.2
DTA114TE
1.2
0.32
(3)
1.6
0.3
(3)
0.7
0.55
0.8
1.2
0.8
0.2
0.22
(1)(2)
0.4 0.4
0.8
0.5
0.2
0.2
0.5 0.5
ROHM ： VMT3
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
0.15
0.1Min.
0.13
(2)
(1)
1.6
ROHM ： EMT3
1.0
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
缩写符号： 94
缩写符号： 94
DTA114TUA
2.0
0.3
(3)
0.9
0.2
0.7
DTA114TKA
(3)
2.9
0.4
1.1
0.8
1.25
2.1
(2)
(1)
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
1.3
0.15
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
0.95 0.95
0.3Min.
0.65 0.65
0.1Min.
( 2)
( 1)
1.6
2.8
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
0.15
1.9
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
每根导线具有相同的尺寸
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： 94
缩写符号： 94
Inner
电路
C
B
R
1
E
B：基本
C：收藏家
E：发射器
R
1
=10kΩ
www.rohm.com
c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
1/2
2009.06 - Rev.B的
DTA114TM / DTA114TE / DTA114TUA / DTA114TKA
包装规格
包
套餐类型
CODE
基本订购
单位（件）
数据表
VMT3
TAPING
EMT3
TAPING
UMT3
TAPING
SMT3
TAPING
T2L
8000
TL
3000
T106
3000
T146
3000
产品型号
DTA114TM
DTA114TE
DTA114TUA
DTA114TKA
绝对最大额定值
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
150
150
55
to
+150
范围
DTA114TM DTA114TE DTA114TUA DTA114TKA
50
50
5
100
200
V
V
V
mA
mW
°C
°C
单位
电气特性
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
输入阻抗
跃迁频率
内置的晶体管的特性
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
R
1
f
T
分钟。
50
50
5
100
7
典型值。
250
10
250
马克斯。
0.5
0.5
0.3
600
13
单位
V
V
V
μA
μA
V
kΩ
兆赫
I
C
=50μA
I
C
=1mA
I
E
=50μA
V
CB
=50V
V
EB
=4V
条件
I
C
/I
B
=10mA/1mA
V
CE
=5V,
I
C
=1mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
电气特性曲线
1k
500
直流电流增益：H
FE
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
V
CE
=5V
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100μ 200μ 500μ 1m 2m
Ta=100°C
25°C
40°C
l
C
/l
B
=20
200
100
50
20
10
5
2
1
100μ 200μ 500μ 1m 2m
5m 10m 20m 50m100m
Ta=100°C
25°C
40°C
5m 10m 20m 50m100m
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图1直流电流增益与集电极
当前
图2集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
www.rohm.com
c
○
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2/2
2009.06 - Rev.B的
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更，恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，
燃料控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任
任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请与我们联系。
ROHM的客户支持系统
http://www.rohm.com/contact/
www.rohm.com
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R0039A
晶体管
DTA114TM / DTA114TE / DTA114TUA
DTA114TKA / DTA114TSA
数字晶体管（内置电阻）
DTA114TM / DTA114TE / DTA114TUA
DTA114TKA / DTA114TSA
!
特点
1 ）内置偏置电阻实现的配置
无需连接外部输入逆变器电路
电阻（见等效电路） 。
2）偏置电阻由薄膜电阻与
完全隔离，以允许的正偏压
输入。它们还具有几乎优点
完全消除了寄生效应。
3）仅在开/关的条件需要被设置
操作，使装置的设计容易。
!
等效电路
C
B
R
1
E
B：基本
C：收藏家
E：发射器
!
结构
PNP晶体管数字
（对于单建于电阻）
!
外形尺寸
（单位：毫米）
DTA114TM
0.2
1.2
0.32
DTA114TE
1.2
0.8
(2)
(3)
(1)
1.6±0.2
1.0±0.1
0.2
0.4 0.4
0.8
+0.1
0.2
0.05
(1)
0.5 0.5
+0.1
0.2
0.05
0.8±0.1
1.6±0.2
0.7±0.1
0.55±0.1
0.5
0.22
(2)
0~0.1
0.13
0~0.1
0.15Max.
ROHM ： VMT3
ROHM ： EMT3
+0.1
0.3
0.05
0.15±0.05
缩写符号： 94
缩写符号： 94
DTA114TUA
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65 0.65
(1)
(2)
1.25±0.1
2.1±0.1
DTA114TKA
0.9±0.1
0.2
0.7±0.1
(1)
0~0.1
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
(2)
1.6
+0.2
0.1
2.8±0.2
1.1
+0.2
0.1
0.8±0.1
0.1Min.
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
(3)
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
0~0.1
(3)
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
缩写符号： 94
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
0.3Min.
0.3
+0.1
0.15±0.05
0
所有的终端都有相同的尺寸
0.1Min.
(3)
+0.1
0.15
0.06
0.4
+0.1
0.05
所有的终端都有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
缩写符号： 94
DTA114TSA
3
±
0.2
4
±
0.2
2
±
0.2
(15Min.)
0.45
+
0.15
0.05
3Min.
5
2.5
+
0.4
0.1
0.5
0.45
+
0.15
0.05
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
(1) (2) (3)
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
晶体管
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
M
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
150
DTA114TM / DTA114TE / DTA114TUA
DTA114TKA / DTA114TSA
Limits(DTA114T
E
UA
50
50
5
100
200
150
55~+150
300
KA
)
SA
V
V
V
mA
mW
°C
°C
单位
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
输入阻抗
跃迁频率
该设备的跃迁频率
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
R
1
f
T
分钟。
50
50
5
100
7
典型值。
250
10
250
马克斯。
0.5
0.5
0.3
600
13
单位
V
V
V
A
A
V
k
兆赫
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
条件
I
C
/I
B
=10mA/1mA
V
CE
=5V,
I
C
=1mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
!
包装规格
包
套餐类型
CODE
基本订购
单位（件）
VMT3
TAPING
EMT3
TAPING
UMT3
TAPING
SMT3
TAPING
SPT
TAPING
T2L
8000
TL
3000
T106
3000
T146
3000
TP
5000
TYPE
DTA114TM
DTA114TE
DTA114TUA
DTA114TKA
DTA114TSA
晶体管
!
电气特性曲线
1k
500
直流电流增益：H
FE
DTA114TM / DTA114TE / DTA114TUA
DTA114TKA / DTA114TSA
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
V
CE
=5V
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200 500 1m 2m
Ta=100°C
25°C
40°C
l
C
/l
B
=20
200
100
50
20
10
5
2
1
100 200 500 1m 2m
5m 10m 20m 50m100m
Ta=100°C
25°C
40°C
5m 10m 20m 50m100m
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图1直流电流增益与集电极
当前
图2集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
MUN2115 ， MMUN2115L ，
MUN5115 ， DTA114TE ，
DTA114TM3 ， NSBA114TF3
数字晶体管（ BRT ）
R 1 = 10千瓦，R 2 =
8
kW
PNP晶体管与单片偏置
电阻网络
这一系列的数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一个基线
发射极电阻。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。
特点
销1
BASE
（输入）
http://onsemi.com
引脚连接
3脚
集热器
（输出）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
标记DIAGRAMS
SC59
CASE 318D
风格1
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
S和NSV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101标准
和PPAP有能力
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
连续
输入正向电压
输入反向电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
IN（ FWD ）
V
在（转）
最大
50
50
100
40
5
单位
VDC
VDC
MADC
VDC
VDC
XX MG
G
1
XXX MG
G
1
XX MG
G
1
XX M
1
XX M
1
XM 1
XXX
M
G
SOT23
CASE 318
类型6
SC70/SOT323
CASE 419
方式3
SC75
CASE 463
风格1
SOT723
CASE 631AA
风格1
SOT1123
CASE 524AA
风格1
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
查看详细的订购，标记，并在发货信息
包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年9月
第1版
1
出版订单号：
DTA114T/D
MUN2115 ， MMUN2115L ， MUN5115 ， DTA114TE ， DTA114TM3 ， NSBA114TF3
表1.订购信息
设备
MUN2115T1G
MMUN2115LT1G
MUN5115T1G ， SMUN5115T1G
DTA114TET1G
DTA114TM3T5G
NSBA114TF3T5G
最热
6E
A6E
6E
6E
6E
L (90°)*
包
SC59
SOT23
SC70/SOT323
SC75
SOT723
SOT1123
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
* （二十度） =度沿着顺时针方向旋转。
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
(1) (2) (3) (4) (5)
（ 1 ） SC- 75和SC- 70 / SOT- 323 ;最小焊盘
（ 2 ） SC- 59 ;最小焊盘
（ 3 ） SOT- 23 ;最小焊盘
（ 4 ） SOT- 1123 ; 100毫米
2
， 1盎司铜线
（ 5 ） SOT- 723 ;最小焊盘
25
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ ℃）
图1.降额曲线
http://onsemi.com
2
MUN2115 ， MMUN2115L ， MUN5115 ， DTA114TE ， DTA114TM3 ， NSBA114TF3
表2.热特性
特征
热特性（ SC - 59 ） （ MUN2115 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SOT -23 ） （ MUNN2115L ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SC - 70 / SOT- 323 ） （ MUN5115 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SC - 75 ） （ DTA114TE ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
热特性（ SOT- 723 ） （ DTA114TM3 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
1.
2.
3.
4.
FR- 4 @最小焊盘。
FR- 4 @ 1.0 ×1.0英寸的垫。
FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
260
600
2.0
4.8
480
205
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
200
300
1.6
2.4
600
400
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
202
310
1.6
2.5
618
403
280
332
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
246
400
2.0
3.2
508
311
174
208
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
230
338
1.8
2.7
540
370
264
287
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
J
, T
英镑
http://onsemi.com
3
MUN2115 ， MMUN2115L ， MUN5115 ， DTA114TE ， DTA114TM3 ， NSBA114TF3
表2.热特性
特征
热特性（ SOT- 1123 ） （ NSBA114TF3 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，结领导
结温和存储温度范围
1.
2.
3.
4.
FR- 4 @最小焊盘。
FR- 4 @ 1.0 ×1.0英寸的垫。
FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
（注3）
（注4 ）
（注3）
（注4 ）
（注3）
（注4 ）
（注3）
P
D
254
297
2.0
2.4
493
421
193
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
表3.电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注5 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
DC电流增益（注5）
(I
C
= 5.0毫安， V
CE
= 10 V)
集电极 - 发射极饱和电压（注5 ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输入电压（OFF）的
(V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
毫安）
输入电压（ ON）的
(V
CE
- 0.2 V，I
C
= 10 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
5.脉冲条件：脉冲宽度= 300毫秒，占空比
≤
2%.
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
我（关闭）
V
我（上）
V
OL
V
OH
R1
R
1
/R
2
160
4.9
7.0
250
0.6
1.4
10
0.25
0.2
13
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
kW
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
100
500
0.9
NADC
NADC
MADC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
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4
MUN2115 ， MMUN2115L ， MUN5115 ， DTA114TE ， DTA114TM3 ， NSBA114TF3
典型特征
MUN2115 ， MMUN2115L ， MUN5115 ， DTA114TE ， DTA114TM3
1
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
电压（V）的
I
C
/I
B
= 10
75°C
0.1
25°C
0.01
25°C
1000
75°C
h
FE
，直流电流增益
T
A
=
25°C
100
25°C
10
V
CE
= 10 V
1
0.001
0
20
30
40
10
I
C
，集电极电流（毫安）
50
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
10
C
ob
，输出电容（ pF）的
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（V）的
50
I
C
，集电极电流（毫安）
9
F = 10千赫
l
E
= 0 A
T
A
= 25°C
图3.直流电流增益
100
75°C
10
25°C
1
0.1
0.01
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（ V）
8
9
10
T
A
=
25°C
0.001
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
10
V
O
= 0.2 V
V
in
，输入电压（ V）
T
A
=
25°C
1
75°C
25°C
0.1
0
10
20
30
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
图6.输入电压与输出电流
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5
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